ความแตกต่างระหว่าง NPN และ PNP ทรานซิสเตอร์คืออะไร?

สมมติว่าฉันรู้ว่าทรานซิสเตอร์ NPN ทำงานอย่างไร

PNP ทรานซิสเตอร์ต่างกันอย่างไร ความแตกต่างในการดำเนินงานระหว่าง PNP และ NPN คืออะไร

transistors bjt pnp

@Federico - อะไรทำให้คุณเชื่อว่า Denilson ต้องการทราบความแตกต่างทางกายภาพ? เนื่องจากเขายอมรับคำตอบตามสภาพและเชื่อมโยงกับคำถามอื่นเกี่ยวกับลักษณะการดำเนินงานฉันจึงได้ข้อสรุปเช่นเดียวกับKortuk : คุณเปลี่ยนความหมายของคำถาม การแก้ไขไม่ควรนำมาใช้เพื่อจี้กระทู้แทนแก้ไขเพื่อชี้แจงความหมายของโพสต์โดยไม่ต้องเปลี่ยนมัน

— Kevin Vermeer

@ เควินเวอร์เมียร์: มันสอดคล้องกับชื่ออย่างสมบูรณ์ซึ่งถามว่าความแตกต่างคืออะไร เดนิลสันยังถามในคำถามว่าความแตกต่างในการปฏิบัติงานเป็นอย่างไรและคำตอบที่ได้รับการยอมรับจะพูดถึงวิธีการเชื่อมต่อเท่านั้น หากมีความแตกต่างอื่น ๆ ฉันคิดว่าพวกเขาควรจะตอบคำถามนี้มาก

— Federico Russo

@ เควินเวอร์เมียร์: ฉันต้องการหลีกเลี่ยงคำถามใหม่ที่จะปิดเหมือนซ้ำกันเพราะนั่นคือสิ่งที่จะเกิดขึ้นถ้าฉันถาม

— Federico Russo

@ เควิน - ฉันอ่านการเพิ่มของ Federico และฉันเห็นด้วยกับเขาว่ามันไม่ได้เปลี่ยนเจตนาของคำถาม "ความแตกต่างของคุณลักษณะ" (FR) เป็นส่วนหนึ่งของ "ความแตกต่างในการดำเนินงาน" (DS) ฉันคิดว่ามันควรเป็น Denilson ที่จะตัดสินใจย้อนกลับ

— stevenvh

@stevenvh แน่นอนไม่สอดคล้องกับสิ่งที่ผู้โพสต์อาจหมายถึงตามคำตอบที่ได้รับการยอมรับ คุณถูกต้องเราจำเป็นต้องมี OP เพื่อชั่งน้ำหนักความคิดเห็นที่ใส่ไว้ที่นี่ถูกตั้งค่าสถานะเขาว่า

— Kortuk

คำตอบ:

ทรานซิสเตอร์ PNP ทำงานในลักษณะเดียวกับ NPN แต่แรงดันและกระแสทั้งหมดกลับด้าน คุณเชื่อมต่ออีซีแอลไปที่มีศักยภาพสูงกว่าแหล่งที่มาปัจจุบันจากฐานและกระแสหลักไหลเข้าสู่อีซีแอลแล้วออกจากผ่านสะสม

จะเป็น $V_\rm{BE}$ แต่ขนาดของมันควรจะเท่ากันทั้ง PNP และ NPN ถ้าคุณใช้ชิ้นส่วนเสริม $-0.7\,\rm{V}$

— JPC
แหล่งที่มา

สิ่งที่คุณจะอธิบายในย่อหน้าแรกคือ PNP ทรานซิสเตอร์ซึ่งคุณไม่ได้พูด สิ่งนี้ยังไม่ตอบคำถามเพราะมันเกี่ยวกับฟิสิกส์ของอุปกรณ์ คุณไม่เคยอธิบายผู้ให้บริการส่วนใหญ่หลุม ฯลฯ

— Olin Lathrop

@OlinLathrop คุณสามารถแก้ไขเพื่อปรับปรุงคำถามได้ แต่ตามคำตอบที่ยอมรับแล้ว OP จะให้ความสนใจกับความแตกต่างในการดำเนินงานเป็นหลัก

— Kortuk

@OlinLathrop ฉันพยายามปรับปรุงความสามารถในการอ่านคำตอบของฉัน ตามที่ Kortuk กล่าวว่าฉันไม่เชื่อว่า OP มีความสนใจในฟิสิกส์เลย

— jpc

ฉันเห็นว่าคำถามมีการเปลี่ยนแปลงในเวลาเฉลี่ยหรืออาจถูกรวมเข้าด้วยกัน คำถามเดิมที่ฉันเห็นได้ถามเกี่ยวกับฟิสิกส์และกล่าวถึงผู้ให้บริการและหลุมส่วนใหญ่โดยเฉพาะ

— Olin Lathrop

@Olin ฉันได้ตรวจสอบประวัติการแก้ไขแล้วและดูเหมือนว่าคำถามเพิ่มเติมที่คุณเห็นนั้นเป็นเพราะมีบางคนไม่เกี่ยวข้องกับ OP

— jpc

ทรานซิสเตอร์ NPN และ PNP นั้นแตกต่างกัน อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ได้ดีกว่ารูซึ่งหมายความว่า PNP ไม่ดีเท่า NPN สำหรับ Si BJTs ประเภท PNP อยู่เบื้องหลังเมื่อมันมาถึงแรงดันพังทลายและพลังงานที่สูงจริงๆ สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้งานทั่วไปเช่น BC337 / BC327 ทุกอย่างสำหรับจุดประสงค์และจุดประสงค์นั้นเหมือนกัน แต่ถ้าคุณต้องการทำ SMPS แบบออฟไลน์มันจะไม่ง่ายหรือใช้งานได้จริงที่ 1KW สำหรับเจอร์เมเนียม NPN น่าจะดีกว่า แต่ก็ไม่ใช่ นี่คือเนื่องจากปัญหาการผลิต AC127 นั้นไม่ค่อยดีเท่า AC128 และ AD161 นั้นไม่ดีเท่า AD162 และใช่อุปกรณ์เหล่านี้ขายเป็นคู่ที่ตรงกัน อัตราส่วนของอิเล็กตรอนต่อการเคลื่อนที่ของหลุมเป็นปัจจัยกำหนดว่า PNP จะใกล้กับ NPN อย่างไร นี่เป็นสิ่งที่แย่กว่ามากสำหรับ SiC ดังนั้นใครจะคาดหวังกับ PNP BJTs ดังนั้นพวกเขาอาจจะไม่ทำให้พวกเขารำคาญ ด้วยเหตุผลบางอย่าง PNPs จึงมีเสียงรบกวนต่ำดังนั้นพวกเขาจึงชื่นชอบในระยะอินพุตคู่ที่ต่างกัน ความอุดมสมบูรณ์ของชิพไดรเวอร์ highside นั้นพิสูจน์ได้ว่า PNP นั้นไม่ดีเท่า NPN

— หมกหมุ่น
แหล่งที่มา

+1 สำหรับเน้นความแตกต่างในการเคลื่อนย้ายระหว่างอิเล็กตรอนและหลุม หลุมไม่ได้เป็น "บวกบวก" ของอิเล็กตรอนอิสระ สำหรับคนที่งงกับความคิดเห็นนี้โปรดดูที่นี่เพิ่มเติมelectronics.stackexchange.com/questions/199347/…

— akhmed

ความแตกต่างเพียงอย่างเดียวคือการทำงานของทรานซิสเตอร์ ในการกำหนดค่าตัวส่งสัญญาณธรรมดา (ธรรมดา) เมื่อมีการให้กระแสฐาน (หรือจะใช้งานได้มากขึ้นเมื่อฐานเชื่อมต่อกับแหล่งจ่าย 5v) ของทรานซิสเตอร์ PNP ไม่มีการนำความร้อนเกิดขึ้นเนื่องจากพาหะส่วนใหญ่ในภูมิภาค n เป็นอิเล็กตรอนที่มีการเคลื่อนไหว ถูกระงับและไม่มีเส้นทางเกิดขึ้นตัวปล่อย b / w และตัวรวบรวมดังนั้นจะไม่มี o / p ที่จุดเชื่อมต่อตัวปล่อยสัญญาณ หากกระแสไฟฟ้าฐานถูกลบออกจากทรานซิสเตอร์เส้นทางเสมือนจะถูกสร้างขึ้นโดยมีตัวส่งและตัวเก็บรวบรวมซึ่งมีความต้านทานต่อการไหลของอิเล็กตรอนซึ่งจะถูกเปลี่ยนแปลงโดยกระแสฐาน (หรือแรงดันไฟฟ้า) หากในกรณีดังกล่าว Vcc เชื่อมต่อโดยตรงกับตัวสะสมและตัวปล่อยมีการต่อลงดินผ่านการต้านทาน (อาจเป็น 10k) จากนั้น Vcc จะได้รับเส้นทางตรงที่จะปรากฏขึ้นที่ทางแยก ดังนั้นถ้า o / p ถูกนำมาที่ emitter ในกรณีของ PNP, config คืออินเวอร์เตอร์ในขณะที่ตัวเก็บรวบรวมทรานซิสเตอร์ทำงานเป็นสวิตช์หรือบัฟเฟอร์อย่างง่าย (นี่คือสิ่งที่ตรงกันข้ามกับการกำหนดค่า NPN) เนื่องจากความไม่แน่นอน ซอฟต์แวร์การจำลองฉันไม่สามารถแสดงภาพได้ แต่ฉันหวังว่านี่จะเป็นไปตามวัตถุประสงค์

— nvade
แหล่งที่มา