ความถี่สวิตชิ่งมีผลอย่างไรต่อวงจรสวิตชิ่งบูสเตอร์?

ในกรณีใดที่แอปพลิเคชัน / ต้องการความถี่ในการสลับสูงและในทางกลับกัน? ฉันกำลังพยายามเลือก DC-DC booster IC และฉันก็ไม่รู้เหมือนกันว่าความถี่การสลับจะมีผลต่อวงจรอย่างไร สิ่งเดียวที่ฉันนึกได้ตอนนี้คือความเร็วของ Schottky diode ที่ไปหลังตัวเหนี่ยวนำ แต่อย่างอื่นนั้นฉันไม่รู้ Google ไม่ได้มีประโยชน์มากกับสิ่งนี้ (หรือบางทีฉันไม่ได้ใช้คำหลักที่ถูกต้อง) ดังนั้นความช่วยเหลือใด ๆ ที่ได้รับการชื่นชมอย่างมาก

โดยทั่วไปทั้งในการเพิ่มและควบคุมการสลับบัคความถี่ในการสลับที่สูงขึ้นทำให้สามารถใช้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุที่เล็กลงได้ อย่างไรก็ตามความถี่สวิตชิ่งสูงยังสามารถกินเข้าไปในประสิทธิภาพโดยรวมของตัวควบคุมผ่านการสูญเสียการสลับทั้งในสวิทช์ตัวเองและในวงจรไดรฟ์เกต

ใช่ไดโอดมีส่วนช่วยในการสลับการสูญเสียเช่นกัน แต่สามารถลดได้โดยใช้การแก้ไขแบบซิงโครนัส เช่นการเปลี่ยนไดโอดด้วย MOSFET อื่น ( แต่แล้วว่า MOSFET มีการสูญเสียประตูไดรฟ์เกินไป ... ที่คุณสามารถดูหนึ่งในการเพิ่มประสิทธิภาพของการออกแบบเหล่านี้สามารถเกี่ยวข้องกับจำนวนน่าแปลกใจของความสมดุล.)

เช่นเดียวกับ Dave บอกว่าตัวเหนี่ยวนำของคุณจะเล็กลง ตัวสลับจะจัดเก็บพลังงานที่ให้ไว้ในสนามแม่เหล็กของขดลวดก่อนแล้วแปลงกลับเป็นกระแสไฟขาออกจำนวนครั้งต่อวินาที ยิ่งมีความถี่สูงเท่าไหร่ระยะเวลาและเวลาในการเก็บพลังงานก็จะยิ่งสั้นลงเท่านั้น พลังงาน = พลังงาน$\times$ เวลาดังนั้นความถี่สูงกว่า 10 เท่าหมายความว่าขดลวดต้องเก็บพลังงานน้อยลงสิบเท่า

ข้อเสียเปรียบของความถี่ที่สูงขึ้นคือการสูญเสียการสลับที่สูงขึ้น FET ซึ่งทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบของสวิทช์จะกระจายพลังงานใกล้เป็นศูนย์เมื่อเปิด (เพราะแทบจะไม่มีแรงดันข้าม) และปิด (เพราะแทบจะไม่มีกระแสผ่าน) แต่ทุกครั้งที่สวิตช์ผ่านพื้นที่ที่มีแรงดันและกระแสมากกว่า กว่าศูนย์และแต่ละครั้งมันสลายพลังงานบางส่วน ความถี่ที่สูงขึ้นสิบเท่าเป็นสิบเท่าผ่านพื้นที่ใช้งานและการสูญเสียพลังงานเพิ่มขึ้นสิบเท่า
นอกจากนี้ความถี่ที่สูงขึ้นจะทำให้เกิดการแผ่รังสีมากขึ้น EMI (การรบกวนด้วยไฟฟ้า)