ป้องกันกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ

ฉันอ่านบางที่ว่าสิ่งนี้สามารถใช้สำหรับการป้องกันกระแสไฟฟ้าย้อนกลับในวงจร แต่ฉันค่อนข้างสับสนกับการทำงานของมัน ใครบางคนสามารถช่วยฉันด้วยเรื่องนี้

แผนผัง

^{จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab}

mosfet protection polarity

— Durgaprasad
แหล่งที่มา

บางทีไดโอดใน MOSFET block diagram กำลังเข้ามาเล่น?

— ผู้เล่น Grady

นี่เป็นวิธีการป้องกันการกลับขั้วที่มีประโยชน์มาก

$V_{gs}$ $V_{gs}=0V$

แผนผัง

^{จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab}

สมมติว่าแรงดันไฟฟ้าของ 10V:

V_{g s} = V_{g} - V_{s} = 0 V - 9 V = - 9 V

$V_{gs}=V_g-V_s=0V-9V=-9V$

$R_{ds(on)}$ $25m\Omega$

หากขั้วกลับขั้วไดโอดแบบเบียนจะไม่ทำงานจึงไม่อนุญาตให้ MOSFET เปิดใช้งาน

$V_{gs}$ $V_{gs}$

แผนผัง

^{จำลองวงจรนี้}

— แมตต์ยัง
แหล่งที่มา

สวัสดี Matt ฉันเห็นด้วยกับแนวคิดไดโอดร่างกายของคุณโดยสิ้นเชิง แต่เมื่อใช้โวลต์แบบย้อนกลับที่กล่าวว่าแหล่งกำเนิด 10V กับแหล่งจ่ายและท่อระบายน้ำจะต่อสายดิน ดังนั้นตอนนี้ Vgs คือ -10V ซึ่งสูงกว่าค่าเริ่มต้นและดีพอที่จะให้ MOS อยู่ในพื้นที่อิ่มตัว ดังนั้นมันจึงกำลังดำเนินไปในทิศทางตรงกันข้ามเช่นกัน โปรดแก้ไขให้ฉันด้วยถ้าฉันพูดบางอย่างที่ไม่ถูกต้อง

— Durgaprasad

V_{g s} = 10 V - 10 V = 0 V

$V_{gs}=10V-10V=0V$

ฉันได้คะแนนจากไดโอด แต่เมื่อแหล่งกำเนิดสัญญาณอยู่ที่ 10V และประตูถูกต่อลงดิน จากนั้น Vgs คือ = -10V ขวา? ดังนั้นฉันจึงคิดว่า MOS ควรดำเนินการ (การกำหนดค่าตามปกติของ PMOS) แม้ว่าร่างกายจะไดโอดกลับลำเอียง

— Durgaprasad

เมื่อขั้วกลับด้านพื้นกลายเป็น 10V

— Matt Young

น่ากลัว! ฉันไม่เคยสังเกตจุดนั้น ขอบคุณมาก Matt ฉันเข้าใจแล้ว

— Durgaprasad