ฉันอยากรู้ว่าซีพียูสัญญาณไฟฟ้าชนิดใดที่ส่งไปยัง RAM แบบไดนามิกเมื่อต้องการเขียนหนึ่งบิต (1 หรือ 0)
cpu ส่งเพียงแค่พัลส์ไฟฟ้าเพียงอันเดียวหรือไม่และถ้าแรงดันไฟฟ้าของพัลส์ไฟฟ้านั้นสูงกว่าระดับที่กำหนดจะทำการประจุตัวเก็บประจุให้อยู่ในระดับแรงดันไฟฟ้าที่เป็น "1" และถ้ามันอยู่ที่แรงดันไฟฟ้าต่ำกว่า ตัวเก็บประจุถึงระดับที่เป็น "0" หรือไม่
คำตอบ:
ตัวควบคุมหน่วยความจำ ส่งสัญญาณออกครั้งละ 32, 64 หรือ 128 บิตและคอนโทรลเลอร์ของหน่วยความจำจะแปลความหมายเหล่านั้นในระดับที่เหมาะสมสำหรับการจัดเก็บ
ที่ระดับต่ำสุดใช่; เส้นจะไปสู่สถานะแรงดันไฟฟ้า 1 หรือ 0 แบบดิจิทัลและประจุหรือคายประจุตัวเก็บประจุ ตรรกะเพิ่มเติมตั้งอยู่ระหว่างชิป dram และตัวควบคุมหน่วยความจำบนแผงวงจรหลักหรือซีพียูที่จัดการฟังก์ชั่นต่าง ๆ รวมถึงการกำหนดเส้นทางสายข้อมูลไปยังเซลล์ที่ถูกแก้ไข
มีสองกลไก:
1) ต้องระบุบิตที่ถูกต้อง บิตสามารถจัดเรียงในการกระจายแบบ 2 มิติและในชิป 1Mbit ที่อาจประกอบด้วย 1024 แนวนอนและ 1024 เส้นไฟฟ้าแนวตั้ง ในการเขียนบิตมันจะตั้งหนึ่งของแต่ละแรงดันสูงและหนึ่งที่เหลือเป็นแรงดันต่ำ บิตที่ทั้งเส้นแนวนอนและแนวตั้งถูกตั้งค่าเป็นไฟฟ้าแรงสูงเป็นบิตที่เขียนขึ้น
2) ข้อมูลบิตจะต้องไหลเข้าไปในเซลล์บิต ในไดนามิกแรมนี่คือตัวเก็บประจุแบบง่าย
ตรรกะในการดูว่าเส้นแนวนอนและแนวตั้งเป็นทั้งแรงดันสูงและตัวเก็บประจุสามารถรวมกันเป็นวงจรชั้นเดียวที่เรียบง่ายมากบนชิปซึ่งโดยทั่วไปแล้วแทบไม่มีอะไรเลยและถือเป็นหนึ่งในสิ่งที่เล็กที่สุดที่คุณสามารถทำได้ ใส่ชิป อย่างไรก็ตามตัวเก็บประจุ - ส่วนสูญเสียคือสูญเสียอิเล็กตรอนเมื่อเวลาผ่านไป ดังนั้นทุกบิตในชิปแรมต้องอ่านและเขียนซ้ำแล้วซ้ำอีก นี่คือสาเหตุที่เรียกว่าไดนามิกและนี่คือสาเหตุที่คอมพิวเตอร์สูญเสียหน่วยความจำเมื่อปิดเครื่อง
การอ่านใช้ตรรกะเดียวกันเพื่อเลือกบิตเซลล์และโดยทั่วไปจะทำให้ตัวเก็บประจุว่างถ้ามีอิเล็กตรอนใด ๆ การอ่านเซลล์ที่มีอิเลคตรอนจึงต้องการให้เขียนเซลล์ทันทีหลังจากนั้นอีกครั้ง