คือสำหรับ phototransistors?

เนื่องจากกระแสฐานในวงจรอีซีแอลทั่วไปกระแสอีซีแอลจะสูงกว่ากระแสสะสม:

$I_e = \dfrac{1+\beta}{\beta} I_c$

ฉันสงสัยว่ามันเป็นอย่างไรสำหรับ phototransistor เหมือนใน optocoupler ฉันคาดหวังว่าตัวปล่อยและตัวสะสมกระแสไฟฟ้าจะเท่ากันเพราะไม่มีกระแสฐาน แต่โฟโตไดโอดสามารถสร้างกระแสไฟฟ้าที่มีศูนย์โวลต์ข้ามมันดังนั้นดูเหมือนว่าโฟตอนสามารถสร้างอิเล็กตรอนได้ ดังนั้นสำหรับ phototransistor$I_e = I_c$

มันจะต้องเป็น; ไม่มีที่อื่นที่จะต้องเสียค่าใช้จ่าย

โฟตอนไม่สร้างอิเล็กตรอน พวกมันสร้างคู่อิเล็กตรอนรู อิเล็กตรอนจะถูกเร่งไปยังตัวสะสมรูไปที่ตัวส่ง (สำหรับ NPN โฟโต้ทรานซิสเตอร์) ตรงข้ามกับตัว PNP)

ในโฟโตไดโอดอิเล็กตรอนและรูบางส่วนจะอยู่ด้านตรงข้ามของสิ่งกีดขวางและไม่สามารถรวมตัวกันใหม่ได้ง่ายจนกระทั่ง (a) พวกมันสร้างแรงดันประมาณ 0.5V เพื่อดึงดูดพวกมันกลับมาหรือ (b) คุณจะให้ง่ายขึ้น เส้นทางปัจจุบันภายนอก นี่คืออุตสาหกรรมที่ค่อนข้างใหญ่ ...

แน่นอนสำหรับ phototransistor สิ่งอื่นใดจะละเมิดกฎหมายปัจจุบันของ Kirchhoff$I_e = I_c$

ทั้งสองคำตอบนั้นถูกต้อง แต่ฉันสงสัยว่าคุณสับสนเล็กน้อย ใช่มีพลังงาน (โฟตอน) เข้าไปในฐานและใช่โฟตอนเหล่านั้นสร้างกระแสในฐานซึ่ง Hfe ของทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่ควบคุมกระแส C / E กระแสฐานนั้นจะถูกสะท้อนในการไหลของกระแส C / E ที่เพิ่มขึ้นเพราะมันต้องไหลผ่าน แต่การเพิ่มขึ้นนั้นจะเล็กน้อยเมื่อเทียบกับกระแสหลัก ไม่มีกระแสไหลจากวงจรของคุณไปยังฐาน แต่โฟโต้ทรานซิสเตอร์ก็ยังเป็นอุปกรณ์ปลายทางสองตัวที่เกี่ยวข้องกับวงจรของคุณ

ดูเหมือนว่าโฟตอนสามารถสร้างอิเล็กตรอนได้

โฟตอนไม่สร้างอิเล็กตรอนใหม่ โฟตอนทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ไปแล้ว ในกรณีพิเศษนี้เมื่อโฟตอนชนกับอิเล็กตรอนโฟตอนจะเพิ่มพลังงานจลน์ของอิเล็กตรอน จากนั้นอิเล็กตรอนเคลื่อนที่จากฐานถึงตัวปล่อย ปรากฏการณ์ทางกายภาพนี้สร้างกระแสฐานหลอกซึ่งเปิดทรานซิสเตอร์