คำถามติดแท็ก phototransistor

นี่เป็นคำถามเกี่ยวกับโครงการของฉันในเครื่องส่งสัญญาณเสียงแบบออปติคัล ฉันต่อสายอุปกรณ์ที่ง่ายมากซึ่งฉันใช้หม้อแปลงสัญญาณเสียง (EI14) เพื่อปรับความเข้มของลำแสงเลเซอร์ (ไดโอด 650nm, 5mW ราคาถูก) ตามการส่งสัญญาณเสียงของโทรศัพท์ของฉัน เลเซอร์ตัวต้านทานภาพถ่ายได้รับ (G5528 A205) ต่อสายเข้ากับช่องเสียบไมโครโฟนของแล็ปท็อปของฉัน ด้วยการตั้งค่านี้ฉันสามารถส่งสัญญาณเสียงระหว่างอุปกรณ์ทั้งสอง จากนั้นฉันอัปเกรดการตั้งค่าแทนที่ตัวต้านทานภาพถ่ายด้วยทรานซิสเตอร์ภาพถ่ายเพื่อปรับปรุงเวลาตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงของความเข้มของแสง (12us มากกว่า 20ms) คุณภาพมีการปรับปรุงอย่างมีนัยสำคัญ มันยังไม่ดีและฉันไม่เคยคาดหวังว่ามันจะมีอะไรมากมายให้ปรับปรุง แต่มีคุณสมบัติหนึ่งที่ทำให้ยุ่งเหยิงโดยเฉพาะอย่างยิ่งของการตั้งค่านี้ มันส่งเสียงได้ดี แต่ไม่สามารถพูดได้ ไม่ว่ามันจะส่งสัญญาณไม่ดี แต่มันก็ไม่ได้ส่งผ่านเลย ในการบันทึกเสียงนี้จะถูกบันทึก แต่เสียงที่ควรจะเป็นแบบเต็มหลังจากผ่านไปประมาณ 50 วินาทีนั้นไม่ได้มี หากคุณฟังอย่างตั้งใจและรู้ว่าควรระวังอะไรมีของเหลืออยู่เล็กน้อยของเสียงร้องต้นฉบับ ฉันคิดว่ามันจมอยู่กับเสียงเพลงและลองบันทึกข้อความเสียงและส่งสัญญาณนั้นแทน ผลลัพธ์เดียวกัน - ผู้รับไม่เห็นสิ่งใดภาพร่างแอมพลิจูดที่ได้รับจะไม่กระตุกแม้แต่น้อย เช่นเดียวกันกับการบันทึกหนังสือเสียง ความคิดเห็นใดเกี่ยวกับความแตกต่างระหว่างเพลงและคำพูดที่เกิดขึ้นได้อย่างไร

22 audio  transmitter  laser  phototransistor  laser-diode 

มีเทคโนโลยีก่อนโฟโตไดโอด / โฟโต้ทรานซิสเตอร์หรือเซมิคอนดักเตอร์ที่คล้ายกันซึ่งสามารถใช้เพื่อเริ่มหรือหยุดเครื่องจักรตามจำนวน (หรือสถานะ / ไม่มี /) ของแสงที่ตกลงมา

18 sensor  photodiode  phototransistor  history 

ฉันกำลังพยายามสร้างโครโนกราฟ airsoft / chronometer (อุปกรณ์ที่วัดความเร็วกระสุนปืน) แนวคิดคือการวัดเวลาที่กระสุนกำลังเคลื่อนที่จากจุด A ถึงจุด B จากนั้นฉันสามารถคำนวณความเร็วของกระสุนได้ กระสุนถูกยิงเข้าไปในท่อพลาสติกที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 32 มม. ฉันพยายามใส่ IR LED ข้างหนึ่งและ phototransistor อีกด้าน (BPW 40) ทั้งที่จุดเริ่มต้นและจุดสิ้นสุดของหลอด บางสิ่งเช่นนี้ วงกลมสีฟ้าเป็นโฟโต้ทรานซิสเตอร์ตัวกลมสีแดงคือ IR LEDs และวงกลมสีขาวเป็นกระสุนปืนอัดลม เมื่อกระสุนพุ่งผ่านบริเวณที่กระสุนถูกดึง 2 (ระหว่าง IR LED และ phototransistor) ทุกอย่างทำงานได้อย่างสมบูรณ์ แต่เมื่อกระสุนผ่านที่กระสุน 1 และ 3 ถูกวาดมันจะไม่ถูกตรวจจับ นั่นเป็นสิ่งที่คาดหวัง แต่พฤติกรรมที่ไม่พึงประสงค์ ดังนั้นคำถามของฉันคือ: ฉันจะตรวจจับกระสุนโดยไม่คำนึงถึงตำแหน่งได้อย่างไร? ฉันคิดเกี่ยวกับการใส่ IR LEDs และโฟโต้ทรานซิสเตอร์รอบ ๆ ท่อ …

13 sensor  infrared  phototransistor 

เนื่องจากกระแสฐานในวงจรอีซีแอลทั่วไปกระแสอีซีแอลจะสูงกว่ากระแสสะสม: ผมอี= 1 + ββผมคIe=1+ββIc I_e = \dfrac{1+\beta}{\beta} I_c ฉันสงสัยว่ามันเป็นอย่างไรสำหรับ phototransistor เหมือนใน optocoupler ฉันคาดหวังว่าตัวปล่อยและตัวสะสมกระแสไฟฟ้าจะเท่ากันเพราะไม่มีกระแสฐาน แต่โฟโตไดโอดสามารถสร้างกระแสไฟฟ้าที่มีศูนย์โวลต์ข้ามมันดังนั้นดูเหมือนว่าโฟตอนสามารถสร้างอิเล็กตรอนได้ ดังนั้นสำหรับ phototransistorผมอี= ฉันคIe=IcI_e = I_c

12 current  phototransistor 

แต่ฉันคิดว่ามันไม่ถูกต้องอย่างแน่นอน BJT ทรานซิสเตอร์สามารถทำงานโดยไม่มีฐานได้อย่างไร ไม่ควรทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีฐานเป็นเพียงเซมิคอนดักเตอร์ (PP, NN) มีทรานซิสเตอร์ BJT ทดลองเกรดกองทัพของนาซ่าที่ไม่มีฐานหรือไม่? แล้วใครล่ะที่ถูกต้องฉันหรืออาจารย์?

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

Digikey แสดง optoisolators ที่มีเอาต์พุตหลายประเภท: ดาร์ลิงตัน ดาร์ลิงตันพร้อมฐาน ภาพถ่าย FET ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์เชิงเส้น ทรานซิสเตอร์ ทรานซิสเตอร์พร้อมฐาน อะไรคือความแตกต่างระหว่างสิ่งเหล่านี้และในสถานการณ์ใดฉันจะใช้อย่างใดอย่างหนึ่ง

9 opto-isolator  phototransistor  specifications 

ฉันมีโฟโต้ทรานซิสเตอร์ NPN ทั่วไป ฉันให้มันทำงานในการกำหนดค่าตัวสะสมทั่วไป; ดูรูปที่ 2 ของบันทึกย่อของแอปนี้ การเพิ่ม Re จะเพิ่มความไว แต่ลดความเร็วลง ฉันได้ศึกษา phototransistor เป็นเวลาสองสามวันแล้วและฉันคิดว่าแอมพลิฟายเออร์ transimpedance สามารถให้ความไวเพิ่มเติมแก่ฉันได้โดยไม่ต้องลดความเร็วเนื่องจากฉันจะไม่โหลดตัวปล่อยซ้ำอีกต่อไป อย่างไรก็ตามฉันไม่สามารถค้นหาการใช้งานที่ตรงไปตรงมาได้ แอพโน้ตส่วนใหญ่อธิบายโฟโตไดโอด ซึ่งแตกต่างจากโฟโตไดโอดนั้นโฟโต้ทรานซิสเตอร์จะต้องลำเอียงและหมายเหตุการใช้งานสองสามอย่างที่พูดถึงการใช้โฟโตทรานสเตอร์จะถือว่ามีแรงดันไบแอสในเชิงลบในเครื่องขยายสัญญาณ transimpedance ฉันต้องการโซลูชันที่ทำงานร่วมกับ op-amp แบบ single-supply พื้นที่เสมือนจริงบนอินพุตที่ไม่กลับด้านของแอมพลิฟายเออร์ transimpedance จะทำให้อคติ phototransistor ถูกต้องหรือไม่? โดยทั่วไปแล้วกราวด์เสมือนอยู่กึ่งกลางระหว่าง VCC และ GND แต่ฉันไม่คิดว่ามันจะต้องเป็น แรงดันไฟฟ้าโฟโตทรานซิสเตอร์ของฉันคือ 0.15V; ให้ VCC = 3.3V นั่นหมายความว่าพื้นที่เสมือนของฉันจะอยู่ที่ ~ 3V หรือไม่? มีวิธีที่ดีกว่าในการออกแบบวงจรนี้หรือไม่? ฉันต้องการให้เอาต์พุตใกล้เคียงกับ GND มากที่สุดเพราะอาจจะมีแอมป์ขั้นที่สอง แก้ไข: รายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับแอปพลิเคชัน …

9 operational-amplifier  phototransistor