คำถามเกี่ยวกับตัวต้านทานเกตมอสเฟต

ฉันมีเกท mosfet เชื่อมต่อกับลอจิก4043และ Id นั้นอยู่ที่ประมาณ 100mA ทั้ง 4043 และ mosfet มี + 5v ฉันมีแผนที่จะใช้2N7000 mosfet

คำถามคือตัวต้านทานเกตขนาดใหญ่ที่ฉันต้องการระหว่าง 4043 และมอสเฟต บางครั้งลอจิกเอาท์พุทจะถูกใส่อย่างรวดเร็ว เร็วแค่ไหน? เมนบอร์ด hdd นำการควบคุมที่ ฉันจำเป็นต้องวางตัวต้านทานแบบดึงลงจากลอจิกถึง -0v ระหว่าง 4043 ถึง mosfet หรือไม่?

resistors mosfet cmos

— hanukas
แหล่งที่มา

คำตอบโดย jippie และ PhilFrost นั้นดี แต่ถ้าคุณต้องการได้มุมมองเชิงปริมาณที่มากขึ้นเกี่ยวกับความต้านทานของเกตใน MOSFET คุณสามารถดูโพสต์นี้ ( electronics.stackexchange.com/questions/60427/เป็นต้น)

— gsills

นอกจากนี้ยังขึ้นอยู่กับโหลดของ MOSFET คือ: irf.custhelp.com/app/answers/detail/a_id/215

— Fizz

หากตรรกะไม่เคยถูกตัดการเชื่อมต่ออย่างฉับพลันจาก MOSFET เช่นเมื่อมีสองเครื่องมือเชื่อมต่อกับสายเคเบิลคุณสามารถทำได้โดยไม่ต้องมีตัวต้านทานใด ๆ ที่นี่ สาย CMOS 4000 เป็นแบบผลักจึงไม่จำเป็นต้องมีตัวต้านทานแบบเลื่อนขึ้น / ลง และหากคุณไม่ได้ใช้งาน MOSFET บนขอบของความสามารถของมันคุณไม่จำเป็นต้องกังวลเกี่ยวกับความจุของสายเคเบิลที่เพิ่มเข้ามา

— Zdenek

คำตอบ:

โดยทั่วไปควรรวมตัวต้านทานเกทเพื่อหลีกเลี่ยงเสียงเรียกเข้า เสียงเรียกเข้า (parasitic oscillation) เกิดจากความจุของประตูในอนุกรมที่มีการเหนี่ยวนำของสายเชื่อมต่อและสามารถทำให้ทรานซิสเตอร์กระจายพลังงานมากเกินไปเพราะมันไม่ได้เปิดเร็วพอและด้วยเหตุนี้กระแสผ่านท่อระบายน้ำ / แหล่งรวมค่อนข้างสูง 'ish drain-source impedance จะทำให้อุปกรณ์ร้อนขึ้น ตัวต้านทานความต้านทานโอห์มต่ำจะแก้ (หน่วง) เสียงเรียกเข้า

ในฐานะที่เป็น@PhilFrostกล่าวถึงตัวต้านทานที่มีมูลค่าสูงสู่พื้นดินเป็นความคิดที่ดีที่จะหลีกเลี่ยงการมีเพศสัมพันธ์แบบ capacitive ในการขับทรานซิสเตอร์เมื่อไม่ได้เชื่อมต่อ

schematic

^{จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab}

ตลอดเวลาให้เดินสายระหว่างเอาท์พุทลอจิกเกททรานซิสเตอร์แหล่งทรานซิสเตอร์และกราวด์ให้สั้นที่สุด สิ่งนี้จะช่วยให้มั่นใจว่าเปิด / ปิดได้อย่างรวดเร็ว

— jippie
แหล่งที่มา

ข้อสังเกตเล็กน้อย: ฉันจะใส่ตัวต้านทานแบบดึงลงก่อนที่ตัวต้านทาน จำกัด ประตู - ด้วยวิธีนี้ตัวต้านทานสองตัวไม่ได้สร้างตัวแบ่งแรงดัน

— Anindo Ghosh

@AnindoGhosh นี้ได้รับการกล่าวถึงในคำตอบที่จะเป็นหนึ่งในคำถามของฉัน ซูเปอร์แคทตั้งข้อสังเกตว่าการวาง R2 ก่อน R1 จะสร้างตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้าเมื่อ GD สั้นลงในกรณีที่ MOSFET เกิดความล้มเหลวและดังนั้นจึงปกป้องไดรเวอร์เพียงเล็กน้อย แน่นอนว่าควรเลือกค่าอย่างเหมาะสมและมีการแลกเปลี่ยนการใช้พลังงาน

— abdullah kahraman

@abdullahkahraman ผู้ขับขี่จะได้รับการปกป้องไม่ว่าในกรณีใด R2 ก่อนหรือหลัง - การป้องกันนั้นได้รับความอนุเคราะห์จาก R1

— Anindo Ghosh

@AnindoGhosh ไม่เคยพิจารณาสถานที่อื่นสำหรับ R2 และถึงแม้ว่าการแบ่งแรงดันไฟฟ้าจะน้อยที่สุดฉันเดาว่าคุณพูดถูก สำหรับการป้องกันไมโครคอนโทรลเลอร์เมื่อมีการหลุดออกจาก DG สามารถวาง Z1 5V1 ขนานกับ R2 ไม่แน่ใจว่ามันมีประสิทธิภาพแค่ไหน แต่อย่างน้อยคุณก็ยิงตัวควบคุมป้องกัน

— jippie

@ Anindo จริง ๆ แล้วฉันชอบตัวต้านทานซีรีย์ใกล้กับที่มาและปล่อยให้มันเป็นสองเท่าของเทอร์มิเนเตอร์ ตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้าไม่มีปัญหา (100 / 1M = 0.01% ไม่แม้แต่ 1mV สำหรับไดรเวอร์ 5V)

— apalopohapa

คุณไม่จำเป็นต้องมีตัวต้านทานพื้นฐาน มอสเฟตไม่เพียง แต่ไม่มีฐาน (มีประตูเท่านั้น) แต่ประตูยังมีความต้านทานสูงมาก ยกเว้นเมื่อ MOSFET กำลังเปลี่ยนสถานะกระแสเกตเป็นศูนย์เป็นหลัก

$1k\Omega$ $1M\Omega$

— Phil Frost
แหล่งที่มา

ฉันคิดว่าจะ จำกัด กระแสการไหลเข้าหนึ่งควรใส่ตัวต้านทานแบบอนุกรมเมื่อทำงานกับไมโครคอนโทรลเลอร์ หรือเป็นเพียงแค่ overkill?

— abdullah kahraman

@abdullahkahraman I / O พอร์ตโดยทั่วไปจะไม่แข็งและจมดังนั้นฉันไม่เห็นความต้องการตัวต้านทานอนุกรม

— Adam Lawrence

บางครั้งคุณใส่ตัวต้านทานขนาดเล็ก (100-200 โอห์ม) หรืออาจเป็นเฟอร์ไรต์บีดในซีรีส์ที่มีประตู MOSFET เพื่อฆ่าอัตราขยายที่ความถี่สูง (RF) ถ้ามันแสดงสัญญาณของความไม่แน่นอน

— Dave Tweed

ฉันต้องการเตือนทุกคนว่าเรากำลังพูดถึงการขับรถ 2N7000 ด้วย 4043 ทั้ง 2N7000 เป็นอุปกรณ์ที่มีค่าเกตประตูสูงหรือ 4043 ที่มีความสามารถในกระแสไดรฟ์สูง ฉันสงสัยอย่างจริงจังว่าชุดค่าผสมนี้ต้องการตัวต้านทานเกตมากกว่า MOSFET ทั้งหมดใน CPU ที่ต้องใช้ตัวต้านทานเกต

— Phil Frostst

@Madmanguruman - ข้อสรุปของคุณถูกต้องเนื่องจากสมมติฐานของคุณ แต่สมมติฐานของคุณไม่ได้ใช้กับ MCU ระดับผู้บริโภคส่วนใหญ่ (1) คุณสามารถ (และจะ) เกินพิกัด I / O ปัจจุบันหากคุณทำไดร์เวอร์เอาท์พุทให้สั้นลง (2) ผู้ขับขี่จะทำตัวราวกับกำลังขับรถลัดวงจรถ้าความถี่สวิตชิ่งสูง - อินพุตสามารถสลับที่ความถี่สูงได้อย่างอิสระจากเอาต์พุต ผลลัพธ์จะไม่ปีนขึ้นไปมากในการตอบสนองทำให้สภาพเหมือนสั้นอย่างยั่งยืน อย่างไรก็ตามฟิลนั้นถูกต้องนั่นไม่ใช่กรณีที่นี่ แต่ลักษณะทั่วไปของคุณสมควรได้รับการรับรองนี้

— DrFriedParts

เมื่อพูดถึงกรณีทั่วไป IR อธิบายว่าความต้านทานของชุดประตูมีความสำคัญต่อการควบคุมเวลาเปิด

http://irf.custhelp.com/app/answers/detail/a_id/215

— ไมค์
แหล่งที่มา

นี่คือการเชื่อมโยงคำตอบเดียว โปรดเพิ่มเนื้อหาลงในส่วนนี้เพื่อปรับปรุงคำตอบ

— nidhin

การเชื่อมโยงนี้จะตาย

— AccelMotion