คำถามติดแท็ก cmos

ฉันได้อ่านหัวข้อมากมายที่นี่ ฉันอ่านบางคนที่บอกว่าฉันชอบที่ "มีลักษณะของ CMOS" และในแผ่นข้อมูลบางอย่าง (เช่น AVR) พวกเขาบอกว่ามันมีคุณสมบัติของ CMOS และอื่น ๆ ... ฉันจำคำว่า "CMOS ที่เข้ากันได้" หรือไม่ เหตุใดการมี "คุณลักษณะของ CMOS" ทำให้คนภูมิใจ

31 cmos 

การ "ตรึงหมุด" ในไมโครคอนโทรลเลอร์ CMOS หมายความว่าอย่างไร

26 microcontroller  pins  cmos 

เมื่อไม่นานมานี้ฉันได้เริ่มเล่นกับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และสร้างประตูตรรกะง่ายๆโดยใช้ทรานซิสเตอร์ ฉันรู้ว่าวงจรรวมที่ทันสมัยใช้ CMOS แทนตรรกะทรานซิสเตอร์ - ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่ฉันอดสงสัยไม่ได้ก็คือวิธีการออกแบบซีพียู การออกแบบยังทำที่ระดับประตูตรรกะ (ย่อย) หรือไม่มีนวัตกรรมมากในพื้นที่นั้นอีกต่อไปและเราย้ายไปสู่ระดับที่สูงขึ้นของสิ่งที่เป็นนามธรรมหรือไม่? ฉันเข้าใจว่า ALU ถูกสร้างขึ้นมาได้อย่างไร แต่มีซีพียูมากกว่านั้นอีกมาก การออกแบบพันทรานซิสเตอร์นั้นมาจากไหน? พวกเขาส่วนใหญ่สร้างโดยอัตโนมัติโดยซอฟต์แวร์หรือยังมีการเพิ่มประสิทธิภาพด้วยตนเองมาก?

21 design  cpu  cmos 

นี่คือโครงสร้างของตัวขับเกต FAN3100 IC: (นำมาจากแผ่นข้อมูล ) อย่างที่คุณเห็น - มีสวิตช์สองตัวคือ: CMOS และ BJT ทำไมพวกเขาทำให้พวกเขาทั้งสอง?

20 bjt  cmos  gate-driving  fet 

ฉันมีเกท mosfet เชื่อมต่อกับลอจิก4043และ Id นั้นอยู่ที่ประมาณ 100mA ทั้ง 4043 และ mosfet มี + 5v ฉันมีแผนที่จะใช้2N7000 mosfet คำถามคือตัวต้านทานเกตขนาดใหญ่ที่ฉันต้องการระหว่าง 4043 และมอสเฟต บางครั้งลอจิกเอาท์พุทจะถูกใส่อย่างรวดเร็ว เร็วแค่ไหน? เมนบอร์ด hdd นำการควบคุมที่ ฉันจำเป็นต้องวางตัวต้านทานแบบดึงลงจากลอจิกถึง -0v ระหว่าง 4043 ถึง mosfet หรือไม่?

20 resistors  mosfet  cmos 

CMOS ช่วยลดการดึงไอซีในปัจจุบันได้อย่างมากเนื่องจากหนึ่งใน FET ที่เกื้อกูลอยู่เสมอในโหมดที่ไม่ดำเนินการดังนั้นจึงมีกระแสไหลเพียงอย่างเดียวระหว่างการเปลี่ยนระหว่างรัฐซึ่งเป็นปริมาณประจุไฟฟ้าบนเกตและ อาจรั่วเมื่อประตูทั้งสองเปิดในไม่ช้า เป็นไปได้ในทางทฤษฎีหรือไม่ที่จะสร้างลอจิกเกทที่ไม่มีการรั่วไหลขณะเปลี่ยนสถานะ (ใช้เทคโนโลยีที่สมจริง) และสัญญาณจะถูกส่งผ่านวงจรเมื่อมีการเปลี่ยนแปลงแรงดันทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าอื่น ๆ ถ้าไม่ทฤษฎีขั้นต่ำสุดคืออะไร?

18 current  cmos  energy  theory 

ดังนั้นฉันจึงรู้ว่าอาจไม่ใช่สถานที่ที่ดีที่สุดในการถามคำถามนี้ แต่บางทีคุณบางคนอาจคุ้นเคยกับกลไกของกล้องดิจิตอลมิเรอร์เลสและเทคโนโลยีเซ็นเซอร์ CMOS ฉันไม่ค่อยเข้าใจว่าทำไมเซ็นเซอร์ภาพอิเล็กทรอนิกส์ที่สร้างสิ่งประดิษฐ์ชัตเตอร์แบบม้วนไม่ได้สร้างภาพที่มีปัญหานี้เมื่อรวมเข้ากับชัตเตอร์เชิงกล สิ่งที่ฉันไม่ได้รับคือ: ชัตเตอร์กลิ้งเกิดขึ้นเนื่องจากการอ่านค่าเซ็นเซอร์จากด้านหนึ่งไปอีกด้านหนึ่ง (โดยปกติคือจากบนลงล่าง) ดังนั้นภาพจริงจะถูกต่อเข้าด้วยกันจากเส้นสแกนในช่วงเวลาที่ต่างกัน ในความเข้าใจของฉันการอ่านค่าบรรทัดการสแกนเลียนแบบหน้าต่างกลไกเชิงกลที่อยู่เหนือเซ็นเซอร์ (?) ตอนนี้เมื่อใช้ชัตเตอร์เชิงกลที่ด้านหน้าของเซ็นเซอร์ชัตเตอร์จะเข้าควบคุมภารกิจนี้ในขณะที่เซ็นเซอร์จะถูกอ่านออกไปทั่วโลกในคราวเดียว (?) ดังนั้นวัตถุชัตเตอร์ม้วนจะไม่ปรากฏในภาพสุดท้าย แต่ถ้าเซ็นเซอร์สามารถอ่านได้ทั่วโลกในคราวเดียวเหตุใดจึงไม่เกิดขึ้นเมื่อใช้ชัตเตอร์อิเล็กทรอนิกส์? ทำไมเซ็นเซอร์ไม่สามารถเปิดและปิดภายในเช่น 1/2000 วินาทีได้อย่างสมบูรณ์หลีกเลี่ยงการกลิ้งชัตเตอร์? ทำไมต้องใช้ "วิธีสแกนเส้น" ในการถ่ายภาพ เมื่อฉันมีกล้องถ่ายรูปที่สามารถถ่ายภาพนิ่งที่ 10 เฟรมต่อวินาทีด้วยชัตเตอร์เชิงกลทำไมมันไม่ได้หมายความว่าเซ็นเซอร์สามารถถ่ายภาพที่ 10fps ด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์โดยไม่ต้องใช้ชัตเตอร์หมุน? ฉันได้พบโพสต์นี้ซึ่งอธิบายถึงเหตุผลทั่วไปของการกลิ้งชัตเตอร์ แต่ไม่ใช่คำถามที่ฉันมี ฉันไม่รู้ด้วยซ้ำว่าสมมติฐานของฉันถูกต้องหรือไม่ แต่ฉันยินดีถ้ามีใครซักคนที่เข้าใจเรื่องนี้

16 sensor  cmos  camera  physics  image-sensor 

ฉันใช้ ATF16V8 PLD สำหรับตรรกะของกาวอย่างง่าย ในขณะที่ทำการทดสอบบนกระดานต้นแบบฉันสังเกตเห็นว่ามันรู้สึกอุ่นทันทีที่สัมผัส ฉันตรวจสอบว่าไม่มีเอาต์พุตลัดวงจร แต่ฉันรู้ว่ามีอินพุตหลายตัวที่ไม่ได้เชื่อมต่อ ATF16V8 เป็นวงจร CMOS และฉันอ่านว่าอินพุตแบบลอยตัวอาจมีปัญหากับเทคโนโลยีนี้ซึ่งแตกต่างจาก TTL นี่อาจเป็นสาเหตุของความร้อนออกมาและทำไม?

12 power  heat  cmos  input 

จากการวิจัยสำหรับปัญหาฉันอธิบายที่นี่ฉันพบวงจรนี้โดย Maxim: นี่คือตัวคูณสัญญาณนาฬิกาและต้องเหมาะอย่างยิ่งในกรณีของฉันเนื่องจากความถี่อินพุตถูกกำหนดไว้อย่างดีมาก อย่างไรก็ตามเมื่อดูจากเอกสารข้อมูลทางเทคนิคฉันพบว่า MAX9010 ส่งออกระดับ TTL ในขณะที่ 74VHC86 ยอมรับระดับ CMOS (0.7 * Vcc) โดยทั่วไปฉันไม่สามารถหาตัวเปรียบเทียบความเร็วสูงด้วย CMOS outputs ที่ทำงานที่ 5V ฉันควรให้ความสนใจเป็นพิเศษกับปัญหานี้ - อะไรคือเงื่อนไขเมื่อวงจรอาจล้มเหลวในการผลิตนาฬิกาที่เหมาะสม? คุณสามารถให้ข้อเสนอแนะเกี่ยวกับวงจรโดยทั่วไปได้หรือไม่? การประเมินของฉันว่าควรทำงานอย่างถูกต้องเป็นสองเท่า 21.47727 MHz ถึง 42.95454 MHz ด้วย R1 = 1k และ C1 = 15pF (แต่แน่นอนว่าต้องมีการสร้างต้นแบบและการปรับในชีวิตจริง) PS วันสุดท้ายที่ฉันได้ตรวจสอบการออกแบบมากมายสำหรับการจัดการนาฬิกาและความรู้สึกของฉันคือพวกเขาอยู่ในระดับสูง "บทความการตลาด" และไม่เหมาะสมกับแอปพลิเคชันโดยตรง - บทความพูดคุยกันมากมายเกี่ยวกับข้อดีของวงจร ข้อเสีย (เกิดจากการขยายพันธุ์ล่าช้าช่วงความถี่ ฯลฯ ) ดังนั้นจึงเป็นความคิดที่ดีที่จะใช้สิ่งที่พูดโดยตรงโดยไม่มีการสร้างแบบจำลองและการจำลองสถานการณ์ที่เหมาะสมสำหรับเงื่อนไขเป้าหมาย อัปเดต:เนื่องจากฉันสงสัยว่าวงจรนี้เป็นการออกแบบในอุดมคติที่ออกแบบมาเพื่อทำงานในสภาพที่สมบูรณ์ …

11 voltage  clock  cmos  ttl 

ฉันเพิ่งอ่านบันทึกการใช้งานและฉันรู้สึกสับสนเกี่ยวกับประโยคนี้: "วิศวกรมักคิดว่า MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์พลังงานเดียว แต่เป็นชุดของเซลล์ FET กำลังเล็ก ๆ หลายพันตัวที่ต่อกันขนานกัน" เป็นไปได้อย่างไร? ในทุกชั้นเรียนฉันได้เรียนรู้เกี่ยวกับการตัดขวางของ MOSFET ในรูปแบบกลุ่มเดียวไม่เหมือนกับ "การรวบรวมเซลล์ FET กำลังนับพัน" ดังนั้นคำถามคือ: ใบสมัครที่อ้างอิงถึง MOS ชนิดพิเศษหรือชีวิตของฉันทั้งหมดเป็นเรื่องโกหกหรือไม่?

11 transistors  mosfet  cmos 

ฉันมักจะเห็นอุปกรณ์ที่มีความต้องการพลังงานระบุเฉพาะในโวลต์ (เช่น 7-12V) แต่ไม่เคยจ่ายกระแสไฟฟ้า ฉันต้องการเรียกใช้อุปกรณ์ฝังตัวที่หลากหลายของผนังหูดและแบตเตอรี่ (อุปกรณ์ที่มีหน่วยงานกำกับดูแลไม่ต้องกังวล) แต่ฉันก็ลังเลเพราะฉันไม่ได้ตระหนักถึงข้อกำหนดของกระแสไฟฟ้าสำหรับอุปกรณ์ คำถามของฉันคือ: มีแอมแปร์มาตรฐานที่ "เข้าใจ" สำหรับไมโครคอนโทรลเลอร์และที่อื่น ๆ หรือไม่? ฉันได้รับแจ้งว่าแอมแปร์ไม่สำคัญ แต่ฉันขอแตกต่างกันเนื่องจากฉันค่อนข้างแน่ใจว่าถ้าฉันจัดหาอุปกรณ์ 7-12 โวลต์ที่มี 9 โวลต์ที่ 1 พันล้านแอมป์ที่มันจะระเบิด แก้ไข: เพื่อให้ง่าย แหล่งจ่ายไฟได้รับการจัดอันดับที่แอมป์ว่าจะทนก่อนที่จะร้อนเกินไปและได้รับความเสียหาย?

11 power-supply  cmos 

มีคำถามสองสามข้อที่พูดถึงความแตกต่างระหว่างกระบวนการ CMOS มาตรฐานและการผลิต DRAM: เหตุใดไมโครคอนโทรลเลอร์จึงมี RAM น้อยมาก พวกเขารวมตรรกะในกระบวนการ DRAM ในขณะที่ผลิต SDRAM อย่างไร ความแตกต่างอะไรกันแน่หรือนี่เป็นความลับทางการค้าโดยสิ้นเชิง? ฉันต้องการคำตอบโดยละเอียดสำหรับคนที่มีความเข้าใจระดับสูงโดยทั่วไปเกี่ยวกับกระบวนการพิมพ์หิน

10 cmos  vlsi  dram 

มีเหตุผลใดที่ Q11 เหลือ 4060 IC หรือไม่? ฉันได้อ่านมาแล้วเพื่อยืดเวลาชีพจรสูงสุด (ตัวแบ่งนาฬิกาสูงสุด) แต่ทำไมถึงทำใน Q11 ทำไมไม่ใช่ Q12 และดังนั้นจึงมีตัวนับ 8 บิตเต็มรูปแบบ (Q4-Q11)

10 digital-logic  integrated-circuit  timer  cmos 

หลังจากอ่านหลักสูตรฮาร์ดแวร์คอมพิวเตอร์ใน BIOS / CMOS แล้วฉันยังไม่สามารถระบุสาเหตุที่ชิป ROM ของ BIOS ไม่ได้สร้างขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี CMOS และทำไมมันจึงเชื่อมต่อกับชิปแยกต่างหากที่เรียกว่า "CMOS" สำหรับการจัดเก็บ ข้อมูลการกำหนดค่า นี่คือจากบันทึกการบรรยาย : โปรแกรมจะถูกเก็บไว้ในชิป BIOS ระบบในขณะที่ข้อมูลที่เปลี่ยนแปลงได้จะถูกเก็บไว้ในชิป CMOS กลุ่มฮาร์ดแวร์ของ CMOS : ฮาร์ดแวร์ที่ใช้ร่วมกันจำเป็น แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้ - RAM ฮาร์ดไดรฟ์ฟลอปปี้ไดรฟ์พอร์ตอนุกรมและพอร์ตขนาน ฉันรู้ว่า BIOS ถูกเก็บไว้ในหน่วยความจำแฟลชและเทคโนโลยี CMOS MOSFET นั้นสิ้นเปลืองพลังงานน้อยกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับการใช้งานอื่น ๆ เหตุใดจึงเป็นเฉพาะ ROM BIOS ที่ไม่ได้ใช้ CMOS เช่นอุปกรณ์เก็บข้อมูลอื่น - ข้อดีคืออะไร และทำไมข้อมูลการกำหนดค่า BIOS ไม่สามารถจัดเก็บในชิป ROM ของตัวเองแทนที่จะเป็น "ชิป CMOS"?

9 mosfet  cmos  flash  computer-architecture  rom 

ผมคิดว่าการใช้พลังงานสำหรับ CPU กับปัจจุบันที่ฉันและแรงดันไฟฟ้าUคือฉัน· U ฉันสงสัยว่าข้อสรุปต่อไปนี้มาจากWikipediaหรือไม่ พลังงานที่ใช้โดย CPU นั้นจะแปรผันตามความถี่ของ CPU และกำลังสองของแรงดัน CPU: P = CV 2 f (โดยที่ C คือความจุ f คือความถี่และ V คือแรงดันไฟฟ้า)

9 power  capacitor  mosfet  cpu  cmos