การฆ่าเชื้อด้วยรังสีแกมมามีผลอย่างไรต่ออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ฝังตัว

เราเพิ่งได้รับอุปกรณ์ 3 ชิ้นที่อาจถูกใส่เข้าไปโดยไม่ได้ตั้งใจผ่านกระบวนการฆ่าเชื้อด้วยรังสีแกมมา อุปกรณ์ดังกล่าวเป็นอุปกรณ์ฝังตัวที่ใช้พลังงานต่ำประกอบด้วยไมโครคอนโทรลเลอร์ 16 บิตพร้อมหน่วยความจำ FLASH ต่อพ่วงและ SRAM สำรองโดยแบตเตอรี่ลิเธียม อุปกรณ์ดูเหมือนจะตายอย่างสมบูรณ์

รังสีแกมมาจะมีผลกระทบอะไรต่ออุปกรณ์ฝังตัว หน่วยความจำ FLASH เสียหายหรือไม่ การเสื่อมสภาพของวงจร? ชิ้นส่วนล้มเหลว?

ข้อมูลเพิ่มเติม:

อุปกรณ์เป็นเครื่องมือสามตัวที่เราสร้างขึ้นซึ่งใช้ตัวบันทึก COTS ที่ค่อนข้างแพงในสมอง เครื่องมือถูกส่งกลับจากต่างประเทศมาให้เราพร้อมกับตัวอย่างตะกอน ศุลกากร / กักกันตัดสินใจว่าพวกเขาต้องการฆ่าเชื้อตัวอย่างตะกอนและฉันคิดว่าพวกเขาต้องใส่เครื่องมือผ่านเช่นกัน

การพยากรณ์โรคน่าจะไม่กะพริบ [คร่ำครวญ] มากเกินไป

ขึ้นอยู่กับพลังงานของรังสีความตายของอุปกรณ์อยู่ในช่วงจากที่เป็นไปได้ที่จะแน่นอน

คุณสามารถคาดหวังผลกระทบทั้งหมดที่คุณอธิบาย
แม้ว่าจะยังคงใช้งานได้อย่างชัดเจนคุณอาจได้รับกระแสการรั่วไหลเพิ่มขึ้นและ 'ความทุกข์ทั่วไป'

แกมม่าคืออะไร? พลังงานคืออะไรระยะทางเท่าไหร่? ทำไม?

ความเสียหายจากรังสีในอุปกรณ์หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ PDF
HTML
กล่าวว่า:

... ผลที่ได้รับแสดงให้เห็นว่าการแผ่รังสีแกมมาทำให้แรงดันไฟฟ้าธรณีประตูลดลงซึ่งเป็นสัดส่วนกับปริมาณรังสีที่ดูดกลืนได้

EPROM & EEPROM: ... รังสีแกมมาเป็นสาเหตุให้เกิดการสร้างคู่อิเล็กตรอนในหลุม SiO2 ที่เป็นฉนวนของประตู จำนวนคู่ที่สร้างขึ้นเป็นสัดส่วนโดยตรงกับพลังงานที่สะสมอยู่ในวัสดุขึ้นอยู่กับปริมาณรังสีที่ดูดซับทั้งหมด [8, 14] ...

ข้อสรุป

... จากการวิเคราะห์ข้อมูลที่รวบรวมจากการทดลองที่ดำเนินการการเปิดเผยความทรงจำของเซมิคอนดักเตอร์ต่อการแผ่รังสีแกมมาทำให้เกิดผลสามประการ: รูที่ถูกจับในบริเวณดักจับของออกไซด์การฉีดของรูจากออกไซด์เข้าสู่ FG และการปล่อยอิเล็กตรอน อินเตอร์เฟซออกไซด์

การสร้างคู่อิเล็กตรอนรูนำไปสู่การดักจับของพาหะที่มีประจุบวก (รู) ในฉนวนทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงเชิงลบในลักษณะ กล่าวคือผู้ให้บริการประจุบวกที่เกิดจากรังสีแกมม่าต้องการการเพิ่มแรงดันเกตเชิงลบเพื่อชดเชยประจุบวก หมายความว่ารังสีแกมมาทำให้แรงดันไฟฟ้าลดลงตามสัดส่วนกับปริมาณรังสีที่ดูดซับ

นาซ่า - ชิปในอวกาศ