ปัญหาเสียงเรียกเข้าของตัวเก็บประจุตัวขับสะพานเต็มรูปแบบ

9

นี่เป็นครั้งแรกที่ฉันได้ออกแบบไดรฟ์เวอร์บริดจ์ ฉันกำลังประสบปัญหากับเสียงเรียกเข้าที่เอาต์พุต ฉันทำ pcb มาแล้ว นี่คือรูปภาพของด้านบนของกระดาน

ด้านหลัง

อินพุตไปยังไดรเวอร์ L6498 เวลาที่ตาย 250ns

เอาท์พุทแรงดันไฟฟ้าของสะพานเต็ม

เอาท์พุทที่มีการเชื่อมต่อกับหม้อแปลงที่ไม่ได้โหลด CH1: แรงดันไฟฟ้าของหม้อแปลง CH2: กระแสของหม้อแปลง

การตั้งค่าแบบเต็ม

ปัญหาที่ฉันมีอยู่ก็คือการแกว่งที่ด้านบนของรูปคลื่นเอาท์พุตเมื่อมีการต่อโหลด การใช้โหลดกับหม้อแปลงจะทำให้เสียงเรียกเข้าแย่ลงเท่านั้น ฉันได้ทดสอบประตูของ mosfet ทั้งหมดและรูปคลื่นนั้นสะอาดมากโดยที่ไม่แหลมแม้ว่าจะโหลดหม้อแปลงแล้วก็ตาม ปัญหาเดียวที่เกิดขึ้นกับรูปคลื่นสัญญาณเอาท์พุตบริดจ์ คณะกรรมการมีตัวเก็บประจุฟิล์ม 1 ยูเอฟในใจกลางของคณะกรรมการ ฉันได้ลองเพิ่มตัวเก็บประจุขนาด 2200 ยูเอฟที่รางแรงดันไฟฟ้าหลักถัดจากมอสเฟตตามที่แสดงในภาพด้านล่าง ฉันยังมีหม้อแปลงกระแสเพื่อวัดตัวเก็บประจุในปัจจุบัน

รูปคลื่นของสัญญาณออกจะดีขึ้นเมื่อหม้อแปลงยังคงเชื่อมต่ออยู่เมื่อมีการเพิ่มฝาอิเล็กโทรไลต์ CH1: แรงดันเอาท์พุทสะพานเต็ม CH2: ตัวเก็บประจุด้วยกระแสไฟฟ้า ปัญหานี้คือ: หมวกอิเล็กโทรไลต์ได้รับความอบอุ่นภายใต้การโหลดที่เบามากของสะพานเต็ม ที่โหลดสูงกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเก็บประจุประมาณ 30 แอมป์ที่จุดสูงสุด ตัวเก็บประจุร้อนมาก หากการเพิ่มความจุมากขึ้นในรางจ่ายไฟจะช่วยปรับปรุงเสียงเรียกเข้าฉันควรใช้ตัวเก็บประจุชนิดใด ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มขนาดใหญ่จะช่วยได้หรือไม่ ปัญหาเสียงเรียกเข้าดังขึ้นหรือไม่? ถ้าเป็นเช่นนั้นร่องรอยกำลัง pcb ควรจะสั้นลง?

— จะแกะ
แหล่งที่มา

2

ยินดีต้อนรับสู่ EE.SE สำหรับพัลส์ที่มีกระแสรุนแรงเท่านั้นตัวเก็บประจุโพลีโพรพีลีนจะอยู่รอดและเย็นตัวลง แต่การหามากกว่า 10 ยูเอฟเป็นสิ่งที่ท้าทายและมีราคาแพง พยายามรักษาสามเหลี่ยมทองคำของแหล่งจ่ายกระแส (ขีด จำกัด ขนาดใหญ่สำหรับอุปกรณ์สวิตช์โหมด) สวิตช์ปัจจุบัน (ของ MOSFET ของคุณ) และโหลดปัจจุบัน (ตัวต้านทานหรือมอเตอร์) ให้ใกล้ที่สุด คุณควรมีตัวเก็บประจุโพลีโพรพีลีนอยู่ในมือเพื่อลองใช้ พวกมันทำลายไม่ได้

— Sparky256

1

ดังนั้นสิ่งที่คุณเห็นว่าเป็นปัญหาคือเสียงเรียกเข้าใช่ไหม ทำไมสิ่งนี้จึงถูกมองว่าเป็นปัญหา? แผนผังของคุณอยู่ที่ไหน ผลการจำลองสถานการณ์ของคุณอยู่ที่ไหน

— แอนดี้อาคา

@ Sparky แนวคิดของสามเหลี่ยมทองคำเป็นวลีใหม่สำหรับฉัน แต่มีความหมายมาก: (1) แหล่งที่มาปัจจุบัน (2) สวิทช์ปัจจุบัน (3) กระแสที่ใช้ (3) กระแสที่ใช้ควรเป็นรูปสามเหลี่ยมที่แน่นมาก ฉันควรเพิ่มว่าควรจัดเรียง 3 ชิ้นสำหรับตำแหน่งทางกายภาพที่อยู่ติดกันทันทีดังนั้นสนามแม่เหล็กจะยกเลิกได้ขนาดใหญ่และพลังงานที่เก็บไว้ในลูป (ตอนนี้มีพื้นที่เล็กลง) จะน้อยกว่ามาก

— analogsystemsrf

2

รูปแบบแย่มาก! ทำไมทุกอย่างถึงแยกกัน? กรุณาเพิ่มแผนผังของคุณ

— winny

วัดความถี่ของเสียงเรียกเข้าและลองแทนที่ตัวต้านทานประตูของคุณด้วยลูกปัดเฟอร์ไรต์ที่มีขนาดเท่ากันซึ่งสูงสุดที่ความถี่นั้น หรือเพียงเพิ่มตัวต้านทานเกตของคุณ ฉันเห็นด้วยกับรูปแบบที่ไม่ดี คุณไม่มีระนาบกราวด์ใต้ร่องรอยไดรฟ์เกตของคุณดังนั้นความต้านทานกระแสไฟฟ้าไหลย้อนจะสูงมาก กระแสวนของเกทขับกระแสเกตของคุณมีขนาดใหญ่มากซึ่งจะช่วยแก้ไขปัญหาเหล่านี้ได้เช่นกัน คุณควรออกแบบ MOSFETs ของคุณให้เข้าที่บนบอร์ดไม่ใช่ผ่านขั้วต่อสกรูเนื่องจากมีสิ่งที่คล้ายกันที่นี่ มีปรสิตมากเกินไป

— DKNguyen

1

คุณต้องใช้, เปิด - ปิดอย่างรวดเร็ว / ช้าในการขับประตู ... และลดการวนรอบของประตูขับ ..

— SCS
แหล่งที่มา

4

มันสั้นไปหน่อยสำหรับคำตอบ หากคุณสามารถเพิ่มรายละเอียดได้นี่อาจเป็นคำตอบที่ดี

— JRE

0

เนื่องจากคุณยังไม่ได้เพิ่มแผนผังและตามข้อมูลที่คุณให้ฉันสามารถให้คำแนะนำจากประสบการณ์และความเข้าใจของฉันเท่านั้น:

1- ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้ามีความสำคัญมากกว่าที่นี่เนื่องจากกระแสระลอกจะไปที่ความจุที่สูงขึ้น ใช้ฟิล์มสำหรับเสียงความถี่สูงช่วงความจุ 100nF หรือ 10nF เท่านั้น

2- ร่องรอยของตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าควรสั้นที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ทั้งสองสายเป็นปัญหา ประสานโดยตรงกับ pcb ใกล้กับ mosfets พลังงาน (ไม่เหมือนที่ 2 แคปที่ pcb สีน้ำเงินด้านนอก)

3- เพิ่มตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าเพิ่มเติมเนื่องจากมันเริ่มร้อนซึ่งหมายความว่ากระแสระลอกของคุณจะสูงกว่าค่าที่ได้รับ

4-I ไม่สามารถดูได้ว่ากำลังเข้าสู่บอร์ดของคุณอยู่ที่ไหนร่องรอยเหล่านั้นควรกว้างที่สุดเท่าที่จะทำได้เพื่อลดการเหนี่ยวนำ

5- ลองใช้บอร์ดกับแบตเตอรี่หากคุณใช้แหล่งจ่ายไฟแบบตั้งโต๊ะในขณะนี้

เริ่มต้นด้วยบันทึกทั่วไปเหล่านี้และแจ้งให้เราทราบหากปัญหายังคงมีอยู่

หวังว่านี่จะช่วยได้

— อิเล็กตรอน
แหล่งที่มา

0

คุณสามารถลองเพิ่มตัวกรองความถี่ต่ำที่เอาต์พุตด้วยตัวเก็บประจุที่แข็งแกร่ง (micro farad) หากขอบเขตของคุณสามารถทำงานได้ FFT ให้ลองใช้สัญญาณพัลส์ของคุณเพื่อช่วยให้คุณเข้าใจวงจรความถี่ที่รบกวนและออกแบบ LPF ได้ดีขึ้น มันสามารถเป็นวงจร RC อย่างง่ายที่มีค่าที่ถูกต้อง ...

— Daniel Sapir
แหล่งที่มา

0

คุณอาจจะได้ผลลัพธ์ที่ดีขึ้นด้วยเครือข่าย snubber R / C ลองทดลองกับค่าของตัวเก็บประจุประมาณ 0.05 ถึง 0.1 μFในซีรีย์พร้อมตัวต้านทานประมาณ 10 ถึง 47 Ω

ค่าที่เหมาะสมสำหรับ snubber จะขึ้นอยู่กับโหลด

ใช้โอกาสในการขายสั้นที่สุดเท่าที่จะทำได้

— มาร์คซิลวา
แหล่งที่มา