แทนที่ตัวเก็บประจุแทนทาลัมด้วยตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ Op Amps

ฉันกำลังพยายามสร้างเครื่องขยายเสียงที่ไม่กลับด้านด้วยแอมป์สหกรณ์บางตัว THS3491

แผ่นข้อมูลมีการเชื่อมโยงด้านล่าง

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ths3491.pdf

บนหน้า 25 มีไดอะแกรมการตั้งค่าคอนฟิก non-inverting

และในหน้า 35 มีแนวทางสำหรับตัวเก็บประจุแยกตัว

มันบอกว่า "ใช้ตัวเก็บประจุตัวแยกแทนทาลัมแทนทาลัมขนาดใหญ่กว่า (ที่มีค่า 6.8uF หรือมากกว่า) ซึ่งมีประสิทธิภาพที่ความถี่ต่ำกว่า ... "

ฉันมีประสบการณ์ไม่ดีกับตัวเก็บประจุแทนทาลัมดังนั้นฉันจึงต้องการหลีกเลี่ยงการใช้สิ่งเหล่านี้

การเปลี่ยนตัวเก็บประจุแทนทาลัมเป็นเซรามิกแทนเป็นเรื่องที่ดีหรือไม่?

ค้นหา StackExchange ฉันพบหลายหน้าด้วยปัญหาที่คล้ายกัน

ตัวเก็บประจุแทนทาลัมกับตัวเก็บประจุเซรามิก

MLCC กับแทนทาลัม: สำหรับ Decoupling, อินพุตเพื่อควบคุมและลดระลอก

คำตอบคือมันไม่เป็นไรที่จะใช้เซรามิค แต่ไม่แน่ใจเพราะฉันกำลังจัดการกับ Op Amps ฉันค้นหาเพิ่มเติม

http://www.dataweek.co.za/news.aspx?pklnewsid=27008

ในเว็บไซต์ด้านบนพวกเขาแนะนำให้ใช้เซรามิกแทนทาลัมเนื่องจากตัวเก็บประจุเซรามิกมีข้อได้เปรียบมากกว่าแทนทาลัม

แต่มันก็โอเคที่จะแทนที่แทนทาลัมด้วยตัวเก็บประจุเซรามิก?

ในวงจรส่วนใหญ่ใช่ และในวงจรของคุณมันก็โอเค

ความจุเป็นเพียงความจุและค่าความจุเซรามิก MLCCs เพิ่มขึ้นเล็กน้อยในช่วงไม่กี่ทศวรรษที่ผ่านมาซึ่งนำไปสู่การบังคับใช้ที่กว้างขึ้นมาก (และการขาดแคลนการผลิตอย่างต่อเนื่อง)

แต่คุณต้องระวังสองประการที่ส่วนใหญ่เป็นเอกสิทธิ์ของเซรามิก:

• ในบางวงจร capacitive ESR เป็นส่วนที่ต้องการของวงจรคาดว่าค่าต่ำสุดและเซรามิกมีแนวโน้มที่จะมี ESR ต่ำมาก ในบางกรณีสิ่งนี้อาจนำไปสู่ความไม่มั่นคงและความผันผวน สิ่งที่น่ากังวลเป็นพิเศษคืออินพุตของสวิตช์ตัวแปลง DC-DC และสายเคเบิล DC ยาวที่สามารถเชื่อมต่อได้

• MLCCs มีแนวโน้มที่จะมีการพึ่งพาแรงดันไฟฟ้าที่แข็งแกร่งมาก สิ่งเหล่านี้สามารถลดค่าความจุได้ 60% หรือมากกว่าภายใต้ DC bias นอกเหนือไปจากการสูญเสีย capacitive นี้เป็นพฤติกรรมที่ไม่ใช่เชิงเส้นที่สามารถเป็นที่กังวลในบางวงจร

• เซรามิก MLCCs เป็น piezoelectric การสั่นสะเทือนหรือการไล่ระดับอุณหภูมิใด ๆ อาจทำให้เกิดสัญญาณรบกวนที่จะถูกฉีดเข้าไปในวงจร และในบางแอพพลิเคชั่นสวิตชิ่งคุณจะได้ยินเสียงหึ่งในตัวเก็บประจุซึ่งอาจนำไปสู่ความล้มเหลวทางกล

ใช่มันก็โอเคจากมุมมองของ op-amps ระวังเกี่ยวกับค่าสัมประสิทธิ์แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุคุณอาจต้องใช้ค่าความจุระบุ 10uF หรือ 20uF เพื่อรับ 6.8uF ที่แรงดันไบอัส 15V (มีค่าสัมประสิทธิ์แรงดันไฟฟ้าขนาดใหญ่) (นอกเหนือจากกันนั่นคือสัตว์เดรัจฉานในช่วง GHz CFA ดังนั้นตัวเก็บประจุเซรามิกขนาดเล็ก (100nF + 100pF) มีความสำคัญจริง ๆ ในแอปพลิเคชันนี้โดยเฉพาะดูความคิดเห็นของ Peter Smith เกี่ยวกับการใช้รูปทรงเรขาคณิตแบบย้อนกลับ ขั้วพร้อมด้านยาวของชิปความต้านทานชุดกาฝากน้อยดังนั้น)

ตัวอย่างเช่นนี่คือตัวเก็บประจุ 25V 10uF 1210 ที่โดยทั่วไปจะลดลงประมาณ -35% ที่ 15V bias คาปาซิเตอร์ที่มีขนาดเล็กกว่าจะแย่ลงกว่าเดิม

จากมุมมองของระบบการมีตัวเก็บประจุ ESR จำนวนน้อยมากที่ผ่านอุปกรณ์สิ้นเปลืองอาจทำให้เกิดปัญหาเสถียรภาพกับกฎระเบียบด้านพลังงานของคุณ หากเป็นแล็บซัพพลายหรือตัวควบคุมเชิงเส้น 7815/7915 มันจะไม่เป็นปัญหา (อย่างน้อยกับ 7815) แต่ด้วยตัวควบคุมเชิงเส้น LDO หรือตัวควบคุมเชิงลบอาจทำให้เกิดปัญหา