การกรอง EMI บนบรรทัด LVDS

คำถามนี้เกี่ยวข้องกับเล็กน้อย: มีอะไรเกิดขึ้นบน PCB ของฉันบ้าง

นี่คือโมดูลอุตสาหกรรม IO ของ EtherCAT ของ Beckhoff แต่ละโมดูลเชื่อมต่อกับเพื่อนบ้านโดย LVDS 100mbps แต่ละโมดูลมีET1200 ASIC ซึ่งจัดการการสื่อสารทั้งหมดบนบัส

ฉันเพิ่งเปิดบางคนเพื่อดูว่าพวกเขาใช้ตัวกรอง EMI ใด

ดูเหมือนว่าพวกเขาจะใช้ส่วนประกอบการกรองจำนวนมากที่ไม่ได้กล่าวถึงในแผ่นข้อมูลสำหรับ ET1200 IC (หรือในเอกสารใด ๆ บน LVDS ที่ฉันสามารถหาได้) โดยเฉพาะอย่างยิ่งสาย LVDS ได้รับการตกแต่งด้วยตัวต้านทานการเลิกจ้าง 100R มากกว่าที่แนะนำ

ฉันค่อนข้างแน่ใจว่าส่วนประกอบที่มีป้ายกำกับสีเขียวคือ:

1. ตัวเก็บประจุ
2. ลูกปัดเฟอร์ไรต์
3. หายใจไม่ออกโหมดทั่วไป

นี่คือสิ่งที่ฉันเชื่อว่าเป็นแผนผังสำหรับส่วนประกอบ LVDS:

เห็นได้ชัดว่าพวกเขาต้องเพิ่มส่วนประกอบทั้งหมดเหล่านี้เพื่อผ่านการทดสอบ EMC ฉันค่อนข้างประหลาดใจเกี่ยวกับเม็ดเฟอร์ไรต์ ฉันมักจะเห็นตัวเก็บประจุที่ใช้ในสถานที่เหล่านั้นเพื่อให้ได้ข้อต่อ AC ฉันจะไม่คิดถึงการใส่เฟอร์ไรต์ในนั้น

ฉันกำลังออกแบบฮาร์ดแวร์ซึ่งใช้ EtherCAT โดยใช้ ET1200 ASIC ฉันต้องการส่ง EMC ด้วยเช่นกันดังนั้นฉันคิดว่าฉันควรใช้ส่วนประกอบเดียวกัน

คำถาม: ค่าตัวเก็บประจุและเฟอร์ไรต์ที่เป็นไปได้ที่ฉันต้องใช้มีอะไรบ้าง มีเอกสารใดบ้างที่พูดถึงเทคนิคการกรอง EMI สำหรับ LVDS หรือไม่?

โดยทั่วไปเม็ดเฟอร์ไรต์และตัวกรองโหมดทั่วไปจะใช้ในการปราบปราม EMI ที่ดำเนินการและแผ่รังสี โดยทั่วไปการปราบปรามนี้จำเป็นต้องใช้เพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดของ EMI ที่แผ่รังสี

เป้าหมายคือการปราบปรามเสียงประสานในขณะที่ผ่านความถี่พื้นฐาน

Murata มีบันทึกย่อของแอปพลิเคชันที่กล่าวถึงเรื่องนี้โดยไม่ต้องใช้คณิตศาสตร์

ดูที่นี่ -> http://www.murata.com/products/catalog/pdf/c35e.pdf

หวังว่านี่จะช่วยได้ถ้าคุณยังต้องการข้อมูลนี้อยู่

Waltx

เนื่องจากสัญญาณ LVDS 100MHz ค่อนข้างอ่อนความต้านทานของเฟอร์ไรต์บีดจึงไม่ควรสูงกว่า 100ohm และอิมพีแดนซ์ CM อาจขึ้นอยู่กับสัญญาณรบกวนของสัญญาณ CM คุณหาทางแก้ปัญหาตอนนี้หรือไม่?