คำถามติดแท็ก eeprom

หน่วยความจำแฟลชและหน่วยความจำแบบ EEPROM ใช้ทรานซิสเตอร์แบบลอยตัวเพื่อเก็บข้อมูล อะไรคือความแตกต่างระหว่างทั้งสองและทำไมแฟลชจึงเร็วกว่านี้มาก?

77 flash  eeprom 

มีเหตุผลใดที่ผู้คนยังใช้ (และนำไปใช้กับระบบใหม่) EEPROM ปกติแทนหน่วยความจำแฟลชทุกวันนี้? จากวิกิพีเดียหน่วยความจำแฟลช : หน่วยความจำแฟลชได้รับการพัฒนาจาก EEPROM (หน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียวที่ลบได้แบบตั้งโปรแกรมด้วยระบบไฟฟ้า) มีข้อเสียใด ๆ (การใช้พลังงานพื้นที่ความเร็ว ฯลฯ ) ในการใช้แฟลชแทน EEPROM ปกติหรือไม่

34 flash  eeprom 

ในหน้าวิกิพีเดียสำหรับ EEPROM: http://en.wikipedia.org/wiki/EEPROMระบุไว้ว่า "อุปกรณ์ EEPROM แบบขนานมักจะมีบัสข้อมูล 8 บิตและบัสแอดเดรสกว้างพอที่จะครอบคลุมหน่วยความจำที่สมบูรณ์" และยัง "การทำงานของ EEPROM แบบขนานนั้นง่ายและรวดเร็วเมื่อเปรียบเทียบกับ EEPROM แบบอนุกรม" ในกรณีนั้นเหตุใด EEPROM อนุกรมจึงเป็นที่นิยมมากกว่าขนาน EEPROM

17 serial  i2c  memory  eeprom 

หน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียวที่สามารถตั้งโปรแกรมได้แบบลบได้ด้วยไฟฟ้า ( EEPROM ): ถ้าใช้หน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียว ( ROM ) แล้วฉันจะเขียนมันได้อย่างไร?

15 eeprom 

ตัวอย่างเช่น: แผ่นข้อมูลสำหรับ ATtiny2313 (เช่นเดียวกับเอกสารข้อมูล Atmel AVR ส่วนใหญ่) ระบุ: ความทนทาน EEPROM ที่ตั้งโปรแกรมได้ในระบบ 128 Bytes: 100,000 รอบการเขียน / ลบ ลองนึกภาพโปรแกรมที่ต้องการเพียงสองไบต์ในการจัดเก็บการกำหนดค่าบางส่วนอื่น ๆ 126 ไบต์เสียอย่างมีประสิทธิภาพ สิ่งที่เกี่ยวข้องกับฉันคือการอัพเดตปกติของสองไบต์การกำหนดค่าอาจทำให้ EEPROM ของอุปกรณ์เสื่อมสภาพและทำให้ใช้งานไม่ได้ อุปกรณ์ทั้งหมดจะไม่น่าเชื่อถือเพราะในช่วงเวลาหนึ่งคุณไม่สามารถติดตามได้ว่าไบต์ใดใน EEPROM ที่ไม่น่าเชื่อถือ มีวิธีที่ชาญฉลาดในการสวมระดับบน EEPROM ของไมโครคอนโทรลเลอร์เมื่อคุณใช้เพียงหนึ่งหรือสองไบต์จาก 128 ที่มีอยู่อย่างมีประสิทธิภาพหรือไม่

15 microcontroller  eeprom  algorithm 

ฉันใช้หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนเช่นหน่วยความจำ EEPROM และ FLASH ในแอปพลิเคชันแบบฝังตัวและฉันพบเสมอว่าตำแหน่งบิตหน่วยความจำที่ไม่ได้ใช้ (EEPROM / FLASH) ถูกตั้งค่าเป็น1ค่าเริ่มต้นเสมอ ทำไมเรื่องนี้จึงถูกนำมาใช้แทน0? ยกตัวอย่างเช่นที่อยู่พูดอยู่ 0 (ไบต์แรกของหน่วยความจำ) หากไม่ได้เขียนไปโดยผู้ใช้ร้านค้าเสมอและไม่0xff 0x00ทำไมคนที่สร้างชิปหน่วยความจำจึงเป็นเช่นนั้น? ฉันแน่ใจว่าการรักษาตำแหน่งหน่วยความจำเริ่มต้นตามที่0xffจะให้ประโยชน์หรือสิ่งที่สำคัญสำหรับผู้ผลิต อะไรคือเหตุผลที่อยู่เบื้องหลังโครงสร้างนี้ในชิปหน่วยความจำ

14 flash  eeprom  non-volatile-memory 

Atmega16 แผ่นข้อมูลบอกว่ามันมี a) หน่วยความจำโปรแกรมแฟลชในตัวระบบที่สามารถโปรแกรมได้ 16 Kbytes และ b) 512 EEPROM ไบต์ ไมโครคอนโทรลเลอร์สามารถมี ROM แยกกันสองตัวซึ่งสามารถตั้งโปรแกรมผ่านเทคโนโลยี EEPROM และเทคโนโลยีแฟลชได้หรือไม่? หรือการอนุมานของฉัน (ตามที่ระบุไว้ด้านบน) จากแผ่นข้อมูลผิดหรือเปล่า? ฉันรู้ว่าโปรแกรมของเราถูกเก็บไว้ในหน่วยความจำแฟลชมากกว่าทำไมทุกคนต้องใช้ EEPROM การใช้งานคืออะไรถ้าเรามีหน่วยความจำแฟลชสำหรับโปรแกรม? ผู้ใดสามารถอธิบายสิ่งที่เป็นคำว่า "ในระบบโปรแกรมด้วยตนเอง" สิ่งที่ฉันรู้: เทคโนโลยีแฟลชสามารถเขียนโปรแกรมในบล็อกของข้อมูลในขณะที่ EEPROM สามารถเขียนข้อมูลไบต์ต่อไบต์

14 microcontroller  memory  flash  eeprom 

มีการกำหนดอัตรานาฬิกาขั้นต่ำโดย I2C หรือไม่ ฉันรู้ว่าอัตราสัญญาณนาฬิกาที่ใช้กันอย่างแพร่หลายคือ 100kHz และมีโหมด "เร็ว" ที่ 400kHz ที่รองรับโดยอุปกรณ์บางอย่างและโหมดที่เร็วขึ้นยังรองรับโดยอุปกรณ์อื่น ๆ (ฉันคิดว่า 1MHz?) เนื่องจากสัญญาณ SCK ถูกสร้างขึ้นโดยมาสเตอร์ฉันคิดว่าใครสามารถทำงานที่ความเร็วช้ากว่าสัญญาณใด ๆ - มีขอบเขตที่ต่ำกว่าในทางปฏิบัติหรือไม่? อุปกรณ์ทาสสนใจในเรื่องของอัตรานาฬิกามากน้อยเพียงใด (เช่นเป็นเรื่องปกติที่อุปกรณ์เหล่านั้นจะมีช่วงเวลาสั้น ๆ )? เหตุผลที่ฉันถามคือฉันสงสัยว่าอาจเรียกใช้ I2C ในระยะทางที่ยาวกว่า (เช่น 20 ฟุต) เพื่อตั้งโปรแกรม I2C EEPROMs ได้อย่างน่าเชื่อถือในการตั้งค่าเครื่องมือทดสอบการผลิต ฉันสมมติว่ามันจะไม่ทำงานอย่างน่าเชื่อถือในระยะทางนั้นในอัตราข้อมูลมาตรฐาน

12 i2c  clock  eeprom  reliability 

มีวิธีบันทึกข้อมูลแรงดันไฟฟ้าโดยตรง (โดยไม่ใช้ไมโครคอนโทรลเลอร์) ไปที่ใดก็ได้เช่น EEPROM, SDCARD เป็นต้นหรือไม่? ตัวอย่างเช่นฉันใช้เซ็นเซอร์ความดัน MPX ซึ่งให้เอาต์พุตอนาล็อก 0V ถึง 5V แทนที่จะแปลงแรงดันเป็นแรงดันในไมโครคอนโทรลเลอร์และประหยัด (ซึ่งต้องใช้เวลาเงินพื้นที่ ฯลฯ ... ) ก่อนอื่นฉันต้องการบันทึกข้อมูลอะนาล็อกจากนั้นนำข้อมูลเหล่านี้ไปยังคอมพิวเตอร์ของฉันเพื่อแปลงแรงดันไฟฟ้าให้เป็นแรงดัน

11 microcontroller  circuit-analysis  analog  eeprom  data 

ฉันกำลังใช้คอนโทรลเลอร์ TM4C1230C3PMI จากเครื่องมือ Texas ในโครงการของฉัน มีแฟลชภายใน 32KB ซึ่งไม่เพียงพอสำหรับแอปพลิเคชันของฉัน ไมโครคอนโทรลเลอร์ขนาดแฟลชที่สูงกว่านั้นมีอยู่ในตลาดซึ่งสามารถใช้ได้ แต่ฉันต้องการไปกับไมโครคอนโทรลเลอร์นี้เท่านั้น ตามความรู้ของฉันภายนอก EEPROM สามารถใช้เพื่อเพิ่มขนาดแฟลชทั้งหมด (หน่วยความจำโปรแกรม) ความคิดของฉันถูกต้องหรือไม่ ถ้าไม่โปรดแนะนำฉันจะเพิ่มขนาดหน่วยความจำแฟลชทั้งหมดของคอนโทรลเลอร์ได้อย่างไร?

11 microcontroller  programming  memory  flash  eeprom 

ฉันถ่ายรูป Microchip EPROM บางภาพจากช่วงปลายยุค 80 / ต้นยุค 90 (ฉันจำหมายเลขชิ้นส่วนที่แน่นอนไม่ได้) แผ่นยึดลวดถูกล้อมรอบด้วยโครงสร้างแบบหวี จุดประสงค์ของโครงสร้างนี้คืออะไร

11 integrated-circuit  eeprom  reverse-engineering  wirebonding 

เมื่อคุณรวมรหัสต่อไปนี้ในแหล่ง AVR C คุณสามารถตั้งโปรแกรมฟิวส์ได้โดยตรงโดยไม่ต้องใช้คำสั่งพิเศษหรือไฟล์. hex: #include <avr/io.h> FUSES = { .low = LFUSE_DEFAULT , .high = HFUSE_DEFAULT , .extended = EFUSE_DEFAULT , }; มีกลอุบายที่คล้ายกันกับค่าของโปรแกรมใน EEPROM หรือไม่ ฉันตรวจสอบแล้ว/usr/lib/avr/include/avr/fuse.hว่าฉันสามารถค้นหาความคิดเห็นเกี่ยวกับมาโครได้ที่ไหน แต่ฉันไม่พบความคิดเห็นที่คล้ายกัน/usr/lib/avr/include/avr/eeprom.hและการตีความสิ่งที่ตัวประมวลผลล่วงหน้ามีอยู่ในลีกของฉัน มันจะมีประโยชน์จริง ๆ ถ้าฉันสามารถรวมค่า EEPROM เริ่มต้นในซอร์สโค้ด C ใครรู้วิธีการทำเช่นนั้น? Edit1: เคล็ดลับ FUSES นี้ดำเนินการเฉพาะในเวลา ISP ไม่ใช่เวลา RUN ดังนั้นจึงไม่มีฟิวส์ที่ถูกตั้งโปรแกรมในรหัสแอสเซมบลีที่เป็นผลลัพธ์ในคอนโทรลเลอร์ แต่โปรแกรมเมอร์จะวนไปตามวงจรการเขียนโปรแกรม FUSES พิเศษโดยอัตโนมัติ edit2: ฉันใช้เครื่องมือ avr-gcc และ …

11 avr  c  attiny  eeprom 

ฉันเคยได้ยิน (ฉันไม่แน่ใจว่ามันถูกต้องแค่ไหน) ที่ EPROM สามารถลบได้โดยการสัมผัสกับแสง UV อาจารย์ของฉันพูดถึงมันในคลาสการออกแบบไมโครโปรเซสเซอร์ของฉัน อย่างไรก็ตามฉันไม่แน่ใจว่าเขาทู่หรือไม่ ใครสามารถตรวจสอบได้ว่าเป็นเรื่องจริงหรือไม่ ถ้าเป็นเช่นนั้นใช้เวลานานแค่ไหนในการลบชิปและทำไมคนเราจะทำเช่นนี้แทนที่จะลบชิปผ่านโปรแกรมเมอร์เหมือนที่มันสามารถทำได้ในวันนี้ แก้ไข: อาจารย์ของฉันจริง ๆ แล้วว่า EPROM

11 eeprom 

ฉันกำลังวิจัยไมโครคอนโทรลเลอร์ชิปหน่วยความจำและชิปเสียงสำหรับของเล่นอิเล็กทรอนิกส์ที่เรียบง่าย ของเล่นเหล่านี้อาจป้อนข้อมูลผู้ใช้ผ่านปุ่มหรือสวิตช์แล้วเล่นเสียงที่เก็บไว้ในชิปหน่วยความจำและอาจเล่นผ่านชิปเสียงหรือเครื่องขยายเสียง ชิปทั่วไปเหล่านี้มีรุ่นอะไรบ้าง? ก่อนหน้านี้ฉันเคยทำงานกับชิป PIC ฉันกำลังมองหาสิ่งที่ผู้ผลิตของเล่นมักใช้ในผลิตภัณฑ์ของตน สิ่งเหล่านี้อาจจะคุ้มค่ากว่าที่ฉันเคยทำงานด้วยในฐานะนักอดิเรก การทำให้กระจ่าง ฉันกำลังค้นคว้า b / c นี้ฉันมีความคิดของเล่นและต้องการที่จะได้รับความรู้สึกของค่าใช้จ่ายในการทำมัน ฉันต้องการที่จะสามารถสร้างสิ่งนี้ได้

11 microcontroller  audio  eeprom 

ฉันกำลังออกแบบอุปกรณ์ที่ปรับตำแหน่งทางกายภาพโดยอัตโนมัติเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง หากอุปกรณ์นั้นถูกปิดหรือมีการตัดการเชื่อมต่ออุปกรณ์จำเป็นต้องจำไว้ว่ามันเป็นอุณหภูมิและตำแหน่งสุดท้าย ฉันมีความสามารถในการเก็บค่าเหล่านี้ใน EEPROM แต่ปัญหาคือตำแหน่งและอุณหภูมิสามารถเปลี่ยนแปลงได้อย่างรวดเร็ว ถ้าฉันจะเขียน temp และ pos เป็น EEPROM ทุกครั้งที่มีการเปลี่ยนแปลงพวกเขาจะ (1) ทำให้เฟิร์มแวร์ช้าลงเล็กน้อยและ (2) น่าจะฆ่า EEPROM หลังจากหนึ่งหรือสองปี ดังนั้นฉันเห็นตัวเลือกของฉันมีดังนี้ ... 1) ใช้ตัวเก็บประจุ / แบตเตอรี่เพื่อให้อุปกรณ์ขับเคลื่อนในเวลาสั้น ๆ หลังจากไฟฟ้าดับเพื่อให้ฉันสามารถเขียนค่าไปยัง EEPROM ในเวลานั้นเท่านั้น ฉันไม่ชอบสิ่งนี้เพราะบอร์ดค่อนข้างหิวและต้องใช้ฝาครอบขนาดใหญ่ และฉันไม่มีพื้นที่ว่างเหลือเฟือ และฉันไม่ต้องการค่าใช้จ่ายเพิ่มเติมของแบตเตอรี่และที่ใส่แบตเตอรี่ / หรือฝาปิดขนาดใหญ่ 2) ใช้ F-RAM แทน EEPROM เพื่อให้ฉันสามารถเขียนถึงล้านล้านครั้งโดยไม่ทำให้มันหมดไป ฉันไม่ชอบตัวเลือกนี้เนื่องจาก FRAM นั้นค่อนข้างแพงกว่า EEPROM ค่อนข้างมากและนี่เป็นผลิตภัณฑ์ที่ใช้ผลิต (ไม่ใช่แค่ตัวเดียว) 3) เขียนตำแหน่งและอุณหภูมิทุก ๆ 5 นาที …

10 microcontroller  eeprom  non-volatile-memory