วิศวกรรมไฟฟ้า

ด้านล่างเป็นรูปภาพของ PCB ที่มีจุดทองแดง (?) สำหรับการเชื่อมต่อ สิ่งที่เรียกว่าการเชื่อมต่อเหล่านี้และใครบางคนจะประสานสายไปยังจุดเหล่านี้ เมื่อพยายามที่จะบัดกรี 30 AWG สายดูเหมือนว่าจะทำงานถ้ามันเป็นแบบครั้งเดียว แต่เมื่อมีหลายรายการติดกันมันดูเหมือนแน่นเกินไป นอกจากนี้สิ่งที่จะTBยืนหยัด (แต่ละจุดดูเหมือนจะชื่อ TBxx)

9 pcb  soldering 

ฉันมีเพื่อนร่วมงานที่ไม่ทำงานในอีก 2 สัปดาห์ข้างหน้าและขอให้ฉันออกแบบวงจรให้เสร็จ ฉันมีรายการการดำเนินการที่จำเป็นต้องสามารถทำได้ดูเหมือนง่ายพอ ฉันเริ่มที่จะเริ่มต้นมันวันนี้และหลังจากที่ได้ดูสิ่งที่เขาทำไปแล้วฉันสังเกตเห็นบางสิ่งที่ฉันไม่เคยเห็นมาก่อน นี่คือพื้นฐานของสิ่งที่ดูเหมือนว่า: จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab ฉันไม่เห็นวงจรแอมป์สหกรณ์ที่ใช้ไดโอดในวงจรป้อนกลับด้วยวิธีนี้ ฉันรู้ว่ามันเป็นตัวเปรียบเทียบของหน้าต่างและส่วนหนึ่งของวงจรนี้ใช้เพื่อตรวจจับระดับแรงดันไฟฟ้าและเปิด LED ถ้ามันสูงหรือต่ำกว่าเกณฑ์ ฉันไม่สามารถหาจุดที่ตัวต้านทานและไดโอดอยู่ในความคิดเห็นได้ การกำหนดค่าแอมป์สหกรณ์ของฉัน PDF นั้นมาจากเครื่องมือของ texas ( LINK ) และฉันไม่พบสิ่งนี้ เพื่อให้ทุกคนสามารถบอกฉันว่าฟังก์ชั่นของวงจรความคิดเห็นนี้คืออะไร? หมายเหตุ : ฉันมีป้ายกำกับว่า V1, V2, OUT ฯลฯ เนื่องจากไม่ควรเกี่ยวข้องกับวงจร V1 และ V2 กำลังวัดแรงดันอินพุต Vref เป็นเกณฑ์และเอาท์พุทสลับไฟ LED แก้ไข:ฉันได้อัปเดตแผนผังเพื่อรวมตัวต้านทานที่แอนดี้กล่าวถึงคุณค่าของการต่อต้านคือสิ่งที่อยู่ในแผนผังในขณะนั้นพวกเขาอาจไม่ถูกต้องฉันไม่แน่ใจเพราะแผนผังยังไม่เสร็จ

9 operational-amplifier  feedback 

วงจรด้านล่างนั้นเรียบง่ายเท่าที่ได้รับ แต่มันก็ไม่ได้ทำตามที่ฉันคาดไว้ V3 เป็นคลื่นสี่เหลี่ยม 3.3Vpp ไปที่ฐานของทรานซิสเตอร์ดังนั้นฉันคาดว่าจะเห็น V_Out สูงเมื่อ V3 ต่ำและในทางกลับกัน โดยทั่วไปวงจรผกผัน ที่สำคัญฉันคาดหวังว่าวงจรนี้จะเร็วพอที่จะทันกับคลื่น 400 kHz 2222 อาจมีความจุ 25 pf ที่อินพุตซึ่งให้ค่าคงที่เวลา 25 ns ด้วย R2 จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab แต่ในการจำลองฉันเห็น V_Base สละเวลาสักครู่เพื่อตอบสนองบนขอบของ V_In: น่าเสียดายนี่ดูเหมือนว่าจะทำให้ V_Out ยาวนานกว่าที่ฉันต้องการ ดู V_In กราฟเทียบกับ V_out (โปรดคำนึงถึงความผกผัน): ฉันสามารถปรับปรุง "การยืด" โดยการลด R2 หรือ R3 และเร่งวงจร แต่จากมุมมองลำดับแรกฉันไม่เห็นสาเหตุที่ฉันควรทำ ฉันก็ไม่เข้าใจเช่นกันว่าทำไมแค่ขอบเดียวช้า ความจุฐานของอีซีแอลของ Q1 ไม่สามารถอธิบายเรื่องนี้ได้ใช่ไหม …

9 switches  bjt 

ฉันมีเอาต์พุตดิจิตอลขับเคลื่อนโดยไดรเวอร์ด้านสูงที่มีแรงดันเล็กน้อยที่ 24V DC กระแสโหลดปกติต่ำกว่า 100 mA มีการตรวจสอบเอาท์พุทดังนั้นฉันสามารถปิดได้อย่างรวดเร็วหากตรวจพบการลัดวงจรที่ด้านโหลด ปัญหาคือคนขับเองไม่ได้รับการป้องกันและไฟฟ้าลัดวงจรทำให้เกิดควันมาก ดังนั้นสิ่งที่ฉันต้องการคือวงจรที่เรียบง่ายที่เอาต์พุตของไดรเวอร์ซึ่ง: มีความต้านทานต่ำกว่า 10 Ωถ้ากระแสไฟขาออกต่ำกว่า 100 mA เพิ่มความต้านทานอย่างรวดเร็วเพื่อ จำกัด กระแสของไดรเวอร์ที่ระดับ 500 mA หรือต่ำกว่า ทนต่อความสามารถที่กระแสไฟฟ้าลัดวงจรต้องมีอย่างน้อย 20 ms เพื่อตรวจจับการลัดวงจรและปิดสวิตช์ของคนขับ มีแรงดันการทำงาน 50V หรือสูงกว่า มีส่วนประกอบขั้นต่ำและราคาถูก (0.20 $ ต่อช่องสูงสุด) ไม่ได้เป็นผู้จัดหาแหล่งเดียว ฉันลอง polyfuses ที่ตั้งค่าใหม่ได้ PTC แต่ช้าเกินไป FP0100 ของ Microchip น่าจะดี แต่แพง (ฉันต้องการอย่างน้อย 60 แชนเนลบน PCB ของฉัน) ชุด TBU ของ …

9 protection  short-circuit  output  current-limiting  polyfuse 

ฉันกำลังออกแบบเลย์เอาต์ PCB ด้วย ATmega328 + NRF24 ฉันรู้ดีว่าต้องการแคป decoupling อย่างสมบูรณ์ C1 และ C2 ในภาพของฉัน ปัญหาของฉันคือการติดตาม: VCC มาจากแบตเตอรี่ (พร้อม 0.1 µF ในแบบคู่ขนาน) คุณทราบว่า VCC cross C1 (1206 ceramic 0.1 µF) และไปที่ pin 20 จาก C1 VCC ไปที่ pin 7 และจาก pin 7 บนตัวเก็บประจุ decoupler ตัวอื่น (C2, อีกครั้ง 1206 ceramic 0.1 µF) ถูกต้องหรือฉันต้องการหาร …

9 pcb  decoupling-capacitor 

พิจารณาถึงขอบบวกที่เรียกใช้ฟลิปฟล็อป D พร้อมสัญญาณอินพุต X พร้อมเวลาตั้งค่า 20 ns และเวลาพัก 0 ns ผลลัพธ์จะเป็นอย่างไร C คือสัญญาณนาฬิกาที่มีระยะเวลา 40 ns ในช่วงบวกที่ 6 เราจะเห็นว่าข้อมูล (หรือ X) ไม่เสถียรสำหรับ 20 ns (เวลาการตั้งค่า) ก่อนที่มันจะไปจาก 1 ถึง 0 ดังนั้นเอาต์พุตไม่สามารถคาดเดาได้ใช่ไหม เมื่อฉันถามสิ่งนี้กับอาจารย์ของเขาเขาบอกว่าผลลัพธ์ของฟล็อปฟล็อปจะเป็นค่าของอินพุต (X) ก่อน 20 ns ซึ่งเป็น 1 ที่นี่ เขาถูกต้องหรือไม่

9 clock  flipflop  setup 

เมื่อคำนวณตัวต้านทานเกทสำหรับมอสเฟตตัวเดียวฉันจะสร้างวงจรเป็นวงจรซีรีย์ RLC โดยRที่ตัวต้านทานเกตจะถูกคำนวณ Lคือการเหนี่ยวนำการติดตามระหว่างเกท mosfet และเอาท์พุตของไดรเวอร์ mosfet Cคือความจุอินพุตที่มองเห็นได้จากประตูมอสเฟตคฉันs sคผมssC_{iss}ในแผ่นข้อมูล mosfet) จากนั้นฉันคำนวณค่าของRอัตราส่วนการทำให้หมาด ๆ ที่เหมาะสมเวลาเพิ่มขึ้นและการโอเวอร์โหลด ทำขั้นตอนเหล่านี้เปลี่ยนแปลงเมื่อมี mosfet มากกว่าหนึ่งเชื่อมต่อในแนวเดียวกัน ฉันสามารถทำให้วงจรง่ายขึ้นโดยไม่ใช้ตัวต้านทาน gate แยกสำหรับแต่ละ mosfet หรือไม่หรือจะแนะนำให้ใช้ตัวต้านทาน gate แยกต่างหากสำหรับ Mosfet ทุกตัวหรือไม่ ถ้าใช่ฉันสามารถใช้Cเป็นผลรวมของตัวเก็บประจุประตูของ mosfet แต่ละอันได้หรือไม่? จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab โดยเฉพาะอย่างยิ่งฉันกำลังเล็งที่จะขับ H สะพานทำจากTK39N60XS1F-ND แต่ละสาขาจะมีสอง mosfet แบบขนาน (8 mosfet ที่ทั้งหมด) ส่วนไดรเวอร์ mosfet จะประกอบด้วยUCC21225Aสองตัว ความถี่ในการทำงานจะอยู่ระหว่าง 50kHz ถึง 100kHz โหลดจะเป็นตัวหลักของหม้อแปลงที่มีตัวเหนี่ยวนำตั้งแต่ 31.83mH หรือมากกว่า

9 mosfet  gate-driving 

ฉันกำลังผ่านนิยามของผู้ติดตามแรงดันไฟฟ้าในเว็บไซต์นี้ http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Voltage-follower และปัญหาพื้นฐานก็ถูกนำเสนอและผู้ติดตามแรงดันไฟฟ้า op-amp เป็นวิธีแก้ปัญหา สามารถแก้ไขปัญหานี้โดยไม่ใช้ op-amp ได้หรือไม่?

9 operational-amplifier  circuit-analysis  voltage-divider 

ฉันได้ถอดหัวพิมพ์ของเครื่องพิมพ์เก่า (EPSON Stylus Photo R300) และพบชิ้นส่วนเล็ก ๆ ข้างใต้หัวพ่นหมึก มันยาว 4 มม. กว้าง 3 มม. และสูง 2.5 มม. นี่คือลักษณะที่ปรากฏจากด้านบน (ด้านที่ห่างจาก PCB): และนี่คือลักษณะจากด้านล่าง (ด้านข้างติดกับ PCB): ในหัวพิมพ์จริงมันถูกติดตั้งที่ด้านล่างราวกับว่า "มอง" ที่กระดาษ ส่วนนี้ดูเหมือนจะเป็นคู่ของเครื่องรับ / ส่งสัญญาณ IR แต่ทั้งคู่ดูคล้ายกันมากและฉันไม่แน่ใจว่าทำไมเครื่องพิมพ์จึงพยายาม "มอง" ที่กระดาษ มันไม่ใช่ตัวเข้ารหัสแบบออปติคัลที่ใช้กันทั่วไปในการติดตามตำแหน่งหัวตั้งแต่นั้นฉันได้ค้นพบและระบุแล้วและส่วนที่เป็นปัญหานั้นค่อนข้างไกลจากเทปแถบ ดังนั้นอุปกรณ์นี้คืออะไรและบทบาทของมันคืออะไรภายใต้หัวพิมพ์ แก้ไขตามคำตอบ: ฉันได้ลองจ่ายพลังงานให้กับอุปกรณ์แล้วและหนึ่งในนั้นดูเหมือนจะเป็น IR LED:

9 identification 

การทดสอบทำสำหรับวงจรและอุปกรณ์ต่าง ๆ ในช่วง Ghz ถึง THz ก่อนที่จะมีขอบเขตและตัวนับความถี่ที่เร็วเพียงพอหรือไม่

9 rf  measurement  testing  frequency-measurement 

คำถามของฉันคือ: ทำไมเราถึงเลือกความถี่ที่ถูกตัดออกเพื่อตอบสนองความสำคัญของฟังก์ชั่นการถ่ายโอน H( ω ) =12√H(ω)=12 H(\omega) = \frac{1}{\sqrt{2}} ? ดังนั้นฉันไม่ถามว่าคำนวณความถี่การตัดเป็นอย่างไร RL--√RL \sqrt{\frac{R}{L}}แต่ฉันถามว่าทำไมถึงเลือกวิธีนี้ ฉันรู้ว่าฉันฟังดูสับสนเล็กน้อย แต่เป็นเพราะฉันสับสน ขอบคุณล่วงหน้า

9 transfer-function  low-pass  cutoff-frequency 

ปิด. คำถามนี้เป็นคำถามปิดหัวข้อ ไม่ยอมรับคำตอบในขณะนี้ ต้องการปรับปรุงคำถามนี้หรือไม่ อัปเดตคำถามเพื่อให้เป็นหัวข้อสำหรับการแลกเปลี่ยนกองวิศวกรรมไฟฟ้า ปิดให้บริการใน2 ปีที่ผ่านมา ฉันได้รับออสซิลโลสโคปแบบอะนาล็อกของ Tektronix 2213 ที่ผิดพลาดและหวังว่าจะซ่อมได้ เมื่อมันควรจะแสดงเป็นเส้นตรงก็จะแสดงรูปคลื่นบ้านี้แทน ซึ่งส่งผลให้เกิดการบิดเบือนที่รุนแรงเมื่อดูสัญญาณใด ๆ รูปภาพนั้นควรเป็นเส้นตรงการเชื่อมต่ออินพุตถูกตั้งค่าเป็น GND นี่คือรูปภาพของการตั้งค่า: การติดตามมีลักษณะแตกต่างกันไปตามการตั้งค่าที่แตกต่างกันมันจะใหญ่ขึ้นที่โวลต์ / หารเล็กกว่าและกว้างขึ้นด้วยวินาที / วินาทีที่น้อยลงอย่างแท้จริงว่าสัญญาณจริงจะตอบสนองอย่างไร มันสามารถทริกเกอร์สัญญาณ "นี้" ได้ ดูเหมือนกันในช่องที่ 2 เช่นกัน ดูเหมือนว่ามันอาจส่งผลกระทบต่อแกน Z สังเกตความเข้มที่แตกต่างกันแม้ว่ามันจะไม่สัมพันธ์กับแอมพลิจูดของสัญญาณในแบบที่คุณคาดว่าจะถูกมอดูเลตด้วยสัญญาณเดียวกัน ฉันตรวจสอบแรงดันภายในและพวกเขาทั้งหมดสูงเล็กน้อย (ยกเว้นสาย 5V ควบคุม), ออกจากความอดทนตามคู่มือบริการ ฉันคิดว่านี่เป็นเพราะสายไฟของฉันเป็น 120V แทนที่จะเป็น 115V คู่มือระบุสำหรับการทดสอบ น่าเสียดายที่ฉันไม่มี variac เพื่อทดสอบทฤษฎีนี้ ความคิดใด ๆ ที่จะได้รับการชื่นชมอย่างมากฉันกำลังจะเริ่มแค่ทดสอบแต่ละจุดจากคู่มือและดูว่ารูปคลื่นตรงกันหรือไม่ นี่คือคู่มือบริการ: http://w140.com/tektronix_2213_service.pdf ฉันมีออสซิลโลสโคปตัวอื่นที่ดีในการแก้ไขปัญหานี้ด้วย …

9 oscilloscope  repair 

กระบวนการผลิตและประกอบ PCB ที่ไม่ดีพอหรือไม่และประเภทของการบัดกรีที่ใช้ทำให้เกิดความร้อน EMF (seebeck บน PCB) มีปัญหาหรือไม่? มันได้รับผลกระทบจากประเภทของวัสดุที่ใช้หรือไม่? ตัวอย่างเช่นคุณภาพของการชุบจุดแวะการใช้โลหะที่แตกต่างกันเช่นทองดีบุกทองแดง ฯลฯ ?

9 pcb  thermal  emf 

พื้นหลัง สำหรับแอพพลิเคชั่น transimpedance คุณต้องการให้แอมป์อยู่ในขอบเขตเชิงเส้นและหลีกเลี่ยงความอิ่มตัวของแอมป์และการกู้คืนพิกัด สิ่งนี้สามารถทำได้ด้วยวงจรควบคุมอัตราขยายอัตโนมัติแบบง่ายเมื่อใช้แอมป์สหกรณ์ที่มีความเสถียรเช่นกัน จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab เมื่อไดโอดเปิดการตอบสนองแบบวงปิดจะคงไว้ซึ่งแบนด์วิดท์เดียวกัน แต่ขนาดจะลดลง ปัจจัยป้อนกลับความถี่สูง Cfeedback / (Cfeedback + Cin) เข้าใกล้ 1 แต่ก็ไม่เป็นปัญหาเพราะแอมป์สหกรณ์มีความเป็นหนึ่งเดียวที่มั่นคง ฉันใช้สิ่งนี้กับ OPA656 และใช้งานได้ดี สิ่งนี้จะไม่ทำงานกับแอมพลิฟายเออร์ที่ decompensated มันจะสั่นเมื่อมีข้อเสนอแนะความถี่สูงมากเกินไป ฉันเคยเห็นสิ่งนี้กับ OPA846 คำถาม คุณจะเก็บแอมพลิฟายเออร์แบบ decompensated ไว้ในพื้นที่เชิงเส้นในแอปพลิเคชัน transimpedance ได้อย่างไร ฉันลองจำลองวงจรด้านล่างด้วยความหวังว่าการสลับในความจุอินพุตพิเศษจะลดความคิดเห็นความถี่สูง แต่ผลลัพธ์ไม่ดี จำลองวงจรนี้ ค่าองค์ประกอบในแผนงานไม่ใช่สิ่งที่ฉันใช้ในวงจรจริงของฉัน พวกเขาเป็นค่ารอบเพื่อลดความซับซ้อนของการสนทนาของวงจรเช่นปัจจัยความคิดเห็นความถี่สูงของวงจรแรกเมื่อไดโอดปิดคือ 1/101 ค่าองค์ประกอบที่แท้จริงของฉันได้รับการปรับแต่งเพื่อความเร็วสูงสุดใกล้กับขอบของความมั่นคงซึ่งไม่ทราบแน่ชัดเนื่องจากมีการกาฝากของคณะกรรมการและจะหันเหความสนใจจากคำถาม

9 operational-amplifier  amplifier  analog  photodiode 

นี่คือคำถามที่ noob เมื่อเร็ว ๆ นี้ฉันได้รับคอนโทรลเลอร์ SCR Power ( WATLOW DIN-a-mite DB20-24CO-0000 Style B ) นี่เป็นครั้งแรกที่ฉันต้องทดสอบคอนโทรลเลอร์ SCR สำหรับตัวฉันเอง อินพุตทริกเกอร์คือ 4VDC ถึง 32VDC ซึ่งฉันขับเคลื่อนด้วย Li-ion ที่ชาร์จเต็ม 4.1 โวลต์ อินพุต AC: 115VAC จากอินเวอร์เตอร์ 12V และออกเป็นมิเตอร์ดิจิตอล 115V (ฉันต้องการลองครั้งแรกกับอุปกรณ์ที่ใช้พลังงานต่ำ) แม้ว่ามันจะมีความหมายสำหรับเครื่องทำความร้อน ตามรายละเอียด SCR ได้รับการจัดอันดับสำหรับ 25 แอมป์ รีเลย์ปัจจุบันที่คล้ายกันหรือสูงกว่านั้นมีให้เลือกและมีขนาดเล็กกว่ามาก ดังนั้นมีเหตุผลเฉพาะสำหรับการใช้ตัวควบคุมพลังงาน SCR มากกว่ารีเลย์ / คอนแทคปัจจุบันที่สูงขึ้นหรือไม่ นอกจากนี้คอนโทรลเลอร์พลังงาน SCF เหมือนกับ Solid …

9 relay  solid-state-relay  scr