คำถามติดแท็ก transistors

แผ่นข้อมูลสำหรับ BD679 ทรานซิสเตอร์รายการในหมู่การจัดอันดับสูงสุดแน่นอนว่า "Emitter ฐานแรงดัน" มีสูงสุดของ 5v รูปนี้ทำให้ฉันสับสน - แบบจำลองจิตของฉันของทรานซิสเตอร์ (BJT) มีเส้นทางจากฐานถึงตัวปล่อยเท่ากับตัวไดโอดและความแตกต่างที่อาจเกิดขึ้นนั้นไม่เกี่ยวข้อง - เป็นกระแสที่ควบคุมเกท ฉันได้ค้นหาคำศัพท์นี้แล้วผลลัพธ์ที่ได้ก็เป็นแบบนี้ซึ่งดูเหมือนจะพูดถึงคุณสมบัติที่แตกต่างของทรานซิสเตอร์ สัญกรณ์ ('Emitter Base Voltage' ซึ่งตรงข้ามกับ 'Base Emitter Voltage') ทำให้ฉันคิดว่านี่อาจหมายถึง 'แรงดันลบสูงสุด' ที่สามารถวางไว้ทั่ว Base-Emitter แทนที่จะทำงานสูงสุดตามปกติ ถูกต้องหรือไม่ ถ้าไม่รูปนี้คืออะไรและสาเหตุใดที่จุดเชื่อมต่อนี้มีค่าสูงสุดต่ำเมื่อเทียบกับส่วนที่เหลือของอุปกรณ์

12 transistors  bjt 

วิธีใดที่จะเลือกตัวต้านทานสำหรับฐานทรานซิสเตอร์ NPN ฉันต้องการใช้P2N2222Aเป็นสวิตช์ในการออกแบบตามที่แสดงด้านล่าง เมื่อฉันมีแรงดันไฟฟ้าที่ฐาน (1.8 V) ฉันต้องการสร้างการเชื่อมต่อระหว่าง NODE1 และกราวด์ จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab

12 transistors  resistors  bjt  npn 

ฉันกำลังสร้างวงจรปินเนอร์ LED และฉันอยู่ที่จุดของการเพิ่มประสิทธิภาพ วงจรทั้งหมดนั้นใช้พลังงานสูงสุดเพียงประมาณ 10-20mA วันนี้ฉันดูส่วนนี้ของวงจร: อย่างที่คุณเห็นเมื่อสวิตช์ของฉันอยู่ที่ตำแหน่ง 5 มันจะปิดวงจร แต่ตอนนี้เมื่อวงจรของฉันปิดอยู่ยังคงมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านตัวต้านทานแบบดึงลง ฉันรู้ว่านี่เป็นกระแสขนาดเล็กมาก แต่ฉันสงสัยว่ามีวิธีที่จะทำให้สวิตช์นี้เพื่อที่จะไม่ดึงกระแสใด ๆ เมื่อปิดสวิตช์ แก้ไข: ฉันน่าจะใส่วงจรทั้งหมดเข้าไป

11 transistors  switches  pulldown 

ฉันเพิ่งอ่านบันทึกการใช้งานและฉันรู้สึกสับสนเกี่ยวกับประโยคนี้: "วิศวกรมักคิดว่า MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์พลังงานเดียว แต่เป็นชุดของเซลล์ FET กำลังเล็ก ๆ หลายพันตัวที่ต่อกันขนานกัน" เป็นไปได้อย่างไร? ในทุกชั้นเรียนฉันได้เรียนรู้เกี่ยวกับการตัดขวางของ MOSFET ในรูปแบบกลุ่มเดียวไม่เหมือนกับ "การรวบรวมเซลล์ FET กำลังนับพัน" ดังนั้นคำถามคือ: ใบสมัครที่อ้างอิงถึง MOS ชนิดพิเศษหรือชีวิตของฉันทั้งหมดเป็นเรื่องโกหกหรือไม่?

11 transistors  mosfet  cmos 

ฉันเพิ่งซื้อชุด Arduino Uno และฉันจะผ่านโครงการทั้งหมดในหนังสือเล่มเล็กที่มาพร้อมกับชุด จากแม้แต่วงจร LED และวงจรตัวต้านทานที่ง่ายที่สุดเพื่อรับความรู้สึกสำหรับบอร์ด Arduino การทำขนมปังและการขจัดความรู้ทางอิเล็กทรอนิกส์ของฉันที่ไม่ได้ใช้มานานกว่า 30 ปี มันต้องปัดฝุ่นออก หนึ่งในวงจรคือการสาธิตการสลับกำลังไฟโดยใช้มอเตอร์และทรานซิสเตอร์ NPN ฉันเข้าใจทุกแง่มุมของพื้นฐานที่สุดของ cuicuits ยกเว้นฟังก์ชันของไดโอดเท่าที่ฉันสามารถบอกได้ว่าไม่มีบทบาทในการทำงานของวงจร มันมีเหตุผลแน่นอนดังนั้นคำถามของฉันคือ: อะไรคือเหตุผล?

11 transistors  motor  diodes  basic 

เราใช้พวกเขาทุกวันและผู้รู้เข้าใจอย่างเต็มที่ถึงลักษณะการทำงานของทรานซิสเตอร์ BJT มีเอกสารและลิงค์มากมายที่อธิบายเกี่ยวกับคณิตศาสตร์ในการปฏิบัติการ มีวิดีโอดีๆมากมายที่อธิบายทฤษฎีปัจจุบันเกี่ยวกับการทำงานของร่างกาย (ส่วนใหญ่หลังได้รับจากคนที่พูดว่า "Tele-marketer English" ด้วยเหตุผลบางอย่าง) อย่างไรก็ตามฉันต้องยอมรับว่าหลังจากผ่านไป 40 ปีขึ้นไปฉันต้องยอมรับอย่างมากที่มูลค่าใบหน้าเนื่องจากคำอธิบายว่าชุมทางนักสะสมเข้ากับสมการได้อย่างไรนั้นเป็นคลื่นเล็กน้อย อย่างไรก็ตามนอกเหนือจากนั้นมีแง่มุมเดียวที่ฉันไม่เข้าใจ ดูเหมือนว่าจะต่อต้านกฎของฟิสิกส์กฎของ Kirchhoff และอื่น ๆ ฉันกำลังพูดถึงวงจรอีซีแอลธรรมดาอิ่มตัวมาตรฐานของคุณ เป็นที่ทราบกันดีและเรายอมรับว่าเมื่ออิ่มตัวแรงดันสะสมจะน้อยกว่าแรงดันไฟฟ้าฐาน เห็นได้ชัดว่าเราใช้มันเพื่อประโยชน์ของเราในวงจรและเลือกชิ้นส่วนเพื่อให้ Vce-Sat ต่ำที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้สำหรับกระแสโหลดเฉพาะ จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab ดีและน่าสนใจจนกระทั่งคุณดูโหมดที่เป็นแก่นสารของทรานซิสเตอร์ NPN ทั่วไป ... นักสะสมสามารถเป็นแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าฐานในแซนด์วิชนั้นได้อย่างไร แม้ว่าคุณจะเพิ่มแรงดันไฟฟ้าชนิด back-EMF ลงไปที่นั่นเพื่อให้กระแสนั้นตัวสะสมกระแสไฟฟ้ากำลังทำงานผิดทางผ่านทางชุมทางตัวเก็บรวบรวมฐาน ..

11 transistors  bjt  physics 

ฉันแนะนำให้ใช้การออกแบบต่อไปนี้เพื่อขับเคลื่อนการโหลดด้วยไมโครคอนโทรลเลอร์ ฉันต้องการทราบว่าทำไมจึงจำเป็นต้องใช้ทรานซิสเตอร์ 2 ตัว (n-ch และ p-ch) เพื่อทำหน้าที่เป็นสวิตช์และไม่เพียงหนึ่งตัวเท่านั้น ฉันค้นหาผ่าน Google และ youtube และหน้าส่วนใหญ่ใช้ทรานซิสเตอร์หนึ่งตัว (ส่วนใหญ่เป็น n-ch) เพื่อสร้างสวิตช์เช่นหน้านี้: http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_7.html คุณช่วยอธิบายให้ฉันฟังถึงข้อดีหรือข้อเสียของการออกแบบดังกล่าว (ทรานซิสเตอร์ 2 ตัว) ผ่านสวิตช์ทรานซิสเตอร์ตัวเดียวได้ไหม จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab

11 transistors  switches 

ฉันได้พบกับบทช่วยสอนที่ฉันคิดว่าวงจร BJT NPN ด้านบนผิดเนื่องจากข้อสรุปที่เกิดขึ้น แต่เมื่อฉันจำลองวงจรนี้ฉันพบว่าข้อสรุปเป็นจริง ฉันงงอย่างสมบูรณ์และดูเหมือนว่าฉันมีความเข้าใจผิดพื้นฐานเกี่ยวกับพฤติกรรมของทรานซิสเตอร์ วงจรข้างต้นไม่ได้ทำงาน ไม่มี Vcc มีแรงดันอินพุต Vin ซึ่งเพิ่มขึ้นจากศูนย์ถึง 1V ด้านล่างเป็นโครงของแรงดันไฟฟ้าขาออก Vout เทียบกับ Vin: และที่นี่ใต้พล็อตคือกระแสผ่านโหลด I (Rload) และตัวเก็บกระแส Ic ที่เกี่ยวกับ Vin คำถาม: ความสับสนของฉันคือทำไมรูปแบบใด ๆ ในปัจจุบันและไหลผ่านตัวรวบรวมและ Rload เมื่อไม่มีความแตกต่างที่เป็นไปได้ระหว่างตัวสะสมของทรานซิสเตอร์และขั้วส่งสัญญาณ ตามเนื้อเรื่องดูเหมือนว่า KCL จะพอใจเพราะ I (Rload) + Ic = 0 แต่สิ่งที่ฉันไม่เข้าใจรูปแบบปัจจุบันและการไหลในลักษณะนี้ ถ้ามีคนถามฉันฉันจะบอกว่า: "กระแสจะไหลจากฐานถึงตัวปล่อยดังนั้นกับพื้นจะไม่มีกระแสผ่านการโหลดและ Vout จะเป็นศูนย์" ฉันงงกับวงจรนี้อย่างสมบูรณ์ เห็นได้ชัดว่ามีบางอย่างผิดปกติในมุมมองของฉัน เหตุใดการวนรอบปัจจุบันจึงเป็นอย่างนั้น

11 transistors  bjt 

ฉันอ่านตัวอย่างจากหนังสือเรียน และสำหรับวงจรนี้เหนือผู้เขียนอ้างว่าเมื่อ R3 น้อยกว่า 100 โอห์ม Q3 จะไม่เปลี่ยน ฉันคิดไม่ออกว่า "เหตุผล" ทำไม แต่ฉันยืนยันกับ LTSpice ผู้เขียนนั้นถูกต้อง เขาไม่ได้อธิบายเหตุผล ถ้าสมมุติว่า R3 ใกล้เคียงกับศูนย์เมื่อเปิด Q2 ทำไมจะไม่เปิด Q3

11 transistors  switches  bjt 

ฉันได้ออกแบบวงจรต่อไปนี้เพื่อเชื่อมต่อสัญญาณ 12-20V ไปยังไมโครคอนโทรลเลอร์ที่ทำงานบน 3.3 โวลต์ สัญญาณมีทั้ง 20V หรือวงจรเปิด ฉันต้องการให้วงจรมีความยืดหยุ่นมากที่สุด มันควรจะสามารถจัดการ EMI และ ESD R1 คือการ จำกัด กระแสและไบอัสทรานซิสเตอร์ C1 คือการใช้ตัวกรองสัญญาณความถี่ต่ำ R2 ใช้เพื่อดึงฐานทรานซิสเตอร์และปล่อยตัวเก็บประจุ C1 ที่อินพุต 20V เป็น 20V หรือวงจรเปิด D1 ใช้เพื่อป้องกันทรานซิสเตอร์จากแรงดันลบที่ฐาน R3 คือการดึงขาไมโครคอนโทรลเลอร์ขึ้น ยินดีต้อนรับความคิดเห็นและการปรับปรุงใด ๆ ในวงจรนี้ คำถามด้าน:อะไรคือแรงดันบวกสูงสุดที่ทรานซิสเตอร์นี้สามารถทนได้ แผ่นข้อมูลระบุสถานะสูงสุดในปัจจุบันเป็น 100mA หากฐานถูกรักษาไว้ที่ 0.7 โวลต์อินพุตอาจมีค่ามากถึง 1,000 โวลต์ (10k ohm * 100mA) แต่ถ้าอินพุทคือ 1,000 โวลต์ตัวแบ่งที่เป็นไปได้นั้นจะสร้างแรงดันไฟฟ้าที่ฐานที่ 500 …

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

คำนี้เราจะออกแบบเครื่องขยายเสียง จนถึงการบรรยายของเราเรายังคงอยู่ที่ BJT และจากสิ่งที่ฉันเคยได้ยิน FET จะมีการพูดคุยบางส่วนซึ่งแตกต่างจาก BJT อย่างละเอียด อย่างไรก็ตามฉันอยากจะมีความคิดในช่วงต้นนี้ดังนั้นฉันจึงสามารถวางแผนว่าจะใช้ทรานซิสเตอร์ตัวใดเพื่อขยายเสียงที่ดีที่สุด ฉันได้อ่านหัวข้อบางส่วนว่าทรานซิสเตอร์อื่น ๆ (BJT / FET) นั้นดีกว่าอย่างไร แต่ฟอรัมอื่น ๆ บอกว่าประสิทธิภาพนั้นไม่ได้ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ แต่ขึ้นอยู่กับว่าทรานซิสเตอร์นั้นลำเอียงอย่างถูกต้องและวิธีการออกแบบวงจรอย่างเหมาะสม ในการออกแบบแอมพลิไฟเออร์แอมพลิฟายเออร์ทรานซิสเตอร์ชนิดใดในสี่ชนิดที่มีประสิทธิภาพมากที่สุด? (NPN / PNP / JFET / MOSFET) อย่างไรก็ตามความต้องการของศาสตราจารย์ของฉันก็แค่นี้: ประทับใจฉัน ตอนนี้กลุ่มของฉันยังไม่ได้ตัดสินใจเกี่ยวกับข้อมูลเฉพาะของวงจร (กำลังไฟความต้านทานและอื่น ๆ )

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

ฉันกำลังพิจารณาเปลี่ยน 2N3904 และ TIP31C ด้วย TIP102 ในหนึ่งในวงจรของฉัน (PWM LED หรี่) และสังเกตเห็นในตัวต้านทานแผนผัง TIP102 ที่นำจากแต่ละฐานไปยังตัวปล่อย วงจรปัจจุบันของฉันไม่มีสิ่งเหล่านี้และฉันก็สงสัยว่ามันมีจุดประสงค์อะไรและถ้าวงจรของฉันควรมีสิ่งนั้นโดยไม่คำนึงถึง

11 transistors  darlington 

ฉันพยายามควบคุมประตูโรงรถระยะไกลด้วยพิน GPIO จาก Raspberry Pi ของฉัน แทนที่จะขับรีเลย์มันจะง่ายกว่าการกดปุ่มกดสั้น ๆ บนรีโมท นี่เป็นวิธีที่ฉันควรทำหรือไม่? ฉันต้องการไดโอดป้องกันหรือไม่และถ้าเป็นเช่นนั้นจะไปที่ไหน? มันเป็นเรื่องสำคัญที่ pin GPIO 3.3V ถูกอ้างอิงไปยังดินที่แตกต่างกัน (กราวด์ Raspberry Pi) กว่ากราวด์ระยะไกลหรือไม่? จะขอบคุณคำแนะนำเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์ที่จะใช้และค่าตัวต้านทาน UPDATE; ข้อมูลเพิ่มเติมจากความคิดเห็นโดย OP: หลังจากตรวจสอบคุณถูกต้องปุ่มกดเพียงแค่ลัดวงจรวงจรไปยังเส้นทางกลับของแบตเตอรี่ 9V ข้อกังวลหลักของฉันคือ 3.3V ที่อ้างอิงถึง GND ในขณะที่ทุกอย่างบนรีโมทนั้นลอย

11 transistors  raspberry-pi  gpio 

ฉันทำวงจรต่อไปนี้: เมื่อใช้พลังงาน C1 จะชาร์จไฟและ LED จะสว่างขึ้น เมื่อไฟฟ้าถูกตัดการเชื่อมต่อ LED จะค่อยๆหรี่ลง มันจะปิดเมื่อ C1 ถึงประมาณ 1.5V ฉันกำลังพยายามให้ LED อื่นเปิดใช้เมื่อ LED แรกปิดลง โดยพื้นฐานแล้วฉันต้องการให้วงจรเปิดเมื่อตัวเก็บประจุมีค่าต่ำกว่า 1.5V: ฉันใช้ทรานซิสเตอร์ SS9014 (มีข้อความระบุไว้อย่างอื่นในแผนภาพ) ฉันไม่คุ้นเคยกับการอ่านแผ่นข้อมูลทรานซิสเตอร์ดังนั้นฉันจึงไม่ทราบเงื่อนไขที่ทำให้ทรานซิสเตอร์ปิด มันเป็นแรงดันไฟฟ้าที่แน่นอนหรือเป็นแอมแปร์ที่เปิดใช้งานหรือไม่ ถ้ามันเป็นแอมแปร์แน่นอนฉันก็แค่ปรับ R2 เพื่อให้ LED2 เปิดเมื่อ C1 ต่ำกว่า 1.5V ใช่ไหม? แอมแปร์นั่นคืออะไร? หากไม่ใช่แอมแปร์ที่ทำให้ Q1 เปิดใช้งานจะต้องมีแรงดันไฟฟ้า ฉันคิดว่าแรงดันไฟฟ้าน้อยกว่า 1.5V เพราะ 1.5V สามารถเปิดได้ ตัวเลือกของฉันมีอะไรบ้างในสถานการณ์นี้ มีวิธี (หรือเป็นไปได้ที่จะ 4000 ซีรีย์ IC หรือไม่) …

11 transistors 

ในโรงเรียนฉันได้รับการสอนเกี่ยวกับทรานซิสเตอร์ PMOS และ NMOS และเกี่ยวกับการปรับปรุง - และทรานซิสเตอร์โหมดการพร่อง นี่คือรุ่นสั้น ๆ ของสิ่งที่ฉันเข้าใจ: การปรับปรุงหมายถึงช่องสัญญาณปกติปิด พร่องหมายถึงช่องทางปกติเปิด NMOS หมายถึงช่องที่ทำจากอิเล็กตรอนอิสระ PMOS หมายถึงช่องที่ทำจากช่องว่าง การเพิ่มประสิทธิภาพ NMOS: แรงดันเกตประตูบวกดึงดูดอิเล็กตรอนเปิดช่อง การปรับปรุง PMOS: แรงดันเกตประตูลบดึงดูดรูเปิดช่อง พร่อง NMOS: ประตูแรงดันลบขับอิเล็กตรอนปิดช่องทาง การสูญเสีย PMOS: แรงดันไฟฟ้าเกตบวกขับไล่รูปิดช่อง หกปีแล้วที่ฉันเริ่มทำงานออกแบบเพื่อหาเลี้ยงชีพและอย่างน้อยก็ครั้งหนึ่งที่ฉันต้องการ (หรืออย่างน้อยก็คิดว่าฉันต้องการ) ทรานซิสเตอร์ PMOS พร่อง ดูเหมือนเป็นความคิดที่ดีสำหรับวงจรบูทสแตรปสำหรับแหล่งจ่ายไฟตัวอย่างเช่น ยังไม่มีอุปกรณ์ดังกล่าวดูเหมือนจะมีอยู่ เหตุใดจึงไม่มีการสูญเสีย PMOS ทรานซิสเตอร์ ความเข้าใจของฉันเกี่ยวกับพวกเขามีข้อบกพร่องหรือไม่ พวกเขาไร้ประโยชน์หรือไม่ เป็นไปไม่ได้ที่จะสร้าง? มีราคาแพงมากที่จะสร้างว่าต้องการทรานซิสเตอร์แบบอื่นที่มีราคาถูกกว่า? หรือพวกเขาออกไปที่นั่นและฉันก็ไม่รู้จะมองที่ไหนดี?

11 transistors  components  nmos  semiconductors  pmos