คำถามติดแท็ก fet

มองไปที่แผ่นข้อมูลสำหรับ MC74VHC1G08ภายใต้คุณลักษณะChip Complexity: FETs = 62ส่วนมันฯ เหตุใด IC นี้จึงต้องการทรานซิสเตอร์ 62 ตัวในขณะที่ประตู AND สามารถสร้างได้ด้วยทรานซิสเตอร์เพียง 6 ตัว ทรานซิสเตอร์อื่น ๆ 56 ตัวที่ใช้ทำอะไร ฉันเดาว่าจะเป็นวงจรป้องกันบางอย่าง แต่ฉันไม่แน่ใจ

24 digital-logic  integrated-circuit  logic-gates  fet 

นี่คือโครงสร้างของตัวขับเกต FAN3100 IC: (นำมาจากแผ่นข้อมูล ) อย่างที่คุณเห็น - มีสวิตช์สองตัวคือ: CMOS และ BJT ทำไมพวกเขาทำให้พวกเขาทั้งสอง?

20 bjt  cmos  gate-driving  fet 

ในขณะที่คิดหาวิธีในการปกป้อง MOSFETแนวคิดหนึ่งก็คือการต่อต้านที่สูงมากที่ด้านหน้าของประตู: ความคิดที่ว่ากระแสไม่ควรไหลผ่านประตูดังนั้นถ้ามีบางคนที่ถูกคุกคามประตูชั่วคราวความต้านทานจะ จำกัด ปัจจุบันอาจป้องกัน FET จากการเบิร์น ในความเป็นจริงในขณะที่ทำการวิจัยการป้องกัน MOSFET ฉันเจอผลิตภัณฑ์ที่ได้รับการป้องกันแบบบูรณาการซึ่งรวมอยู่ในฟีเจอร์ "การต้านทานประตูซีรีย์ภายใน" ดังที่แสดงในแผนภาพ: ถ้าความคิดนี้ถูกต้องแล้วคำถามคือทำไมไม่เสมอใส่ตัวต้านทาน megaohm หน้าประตู FET ใด? หรือมีเหตุผลในทางปฏิบัติที่โดยทั่วไปแล้วตัวต้านทานเกตจะไม่ป้องกัน FET หรือไม่ หรืออาจมีผลกระทบด้านประสิทธิภาพที่ไม่พึงประสงค์ได้บ้าง?

15 circuit-protection  fet 

ในวงจรด้านบนเมื่อกด S1 แล้วปล่อยไฟ LED จะติดและยังคงเปิดอยู่ ทำไมเป็นเช่นนี้ ฉันไม่สามารถวัดแรงดันเกตได้โดยตรงด้วย DMM เนื่องจากการเชื่อมต่อผลลัพธ์ DMM ใน LED ไม่ติดค้าง หากไฟ LED ติด (กด S1 แล้วปล่อย) เมื่อกด S2 แล้วปล่อยไฟ LED จะดับลงตามที่คาดไว้ ฉันอ่านบท ECE book ของฉันบน FETs และดูเหมือนจะไม่ได้พูดถึงอะไรเกี่ยวกับปรากฏการณ์นี้ ...

15 led  fet 

ฉันกำลังมองหาวิธีที่ดีในการควบคุมการไหลของกระแสในโครงการของฉัน ในบางจุดอาจมี 40-50 แอมแปร์ที่ 12-15 V. ในขณะที่รีเลย์เป็นตัวเลือกที่ดี แต่มันก็เป็นกลไกดังนั้นจึงต้องใช้เวลาในการเปิดใช้งานและสึกหรอเมื่อเวลาผ่านไป ฉันได้เห็น MOSFETs (เช่นIRL7833นี้) ที่โฆษณาเพื่อให้สามารถจัดการกับงานที่ต้องทำเช่นนั้นได้ อย่างไรก็ตามเมื่อพิจารณาถึงขนาดของ FET มันทำให้ฉันรู้สึกไม่สบายใจที่จะใช้พลังมากขนาดนั้นผ่านมัน นี่เป็นข้อกังวลที่ถูกต้องหรือไม่?

14 transistors  mosfet  switching  fet 

พื้นหลัง: ฉันใช้Si7456CDP N-channel MOSFET ในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง แหล่งจ่ายไฟและโหลดจะอยู่ในกล่องพลาสติก เมื่อวานนี้แหล่งจ่ายไฟและโหลดกำลังทำงานอย่างสมบูรณ์ เช้านี้เมื่อฉันมาเพื่อเปิดมันไม่มีอะไรทำงาน ไม่มีพลัง. ในที่สุดฉันค้นพบว่าแหล่งที่มาของ MOSFET และการระบายน้ำออกมาสั้น ๆ ด้วยกัน การเปลี่ยน MOSFET เพื่อแก้ไขปัญหา คำถาม: อะไรจะทำให้ MOSFET แบบ N-channel ล้มเหลวโดยฉับพลันเมื่อ Source-Drain สั้น

12 switch-mode-power-supply  short-circuit  fault  fet 

คำนี้เราจะออกแบบเครื่องขยายเสียง จนถึงการบรรยายของเราเรายังคงอยู่ที่ BJT และจากสิ่งที่ฉันเคยได้ยิน FET จะมีการพูดคุยบางส่วนซึ่งแตกต่างจาก BJT อย่างละเอียด อย่างไรก็ตามฉันอยากจะมีความคิดในช่วงต้นนี้ดังนั้นฉันจึงสามารถวางแผนว่าจะใช้ทรานซิสเตอร์ตัวใดเพื่อขยายเสียงที่ดีที่สุด ฉันได้อ่านหัวข้อบางส่วนว่าทรานซิสเตอร์อื่น ๆ (BJT / FET) นั้นดีกว่าอย่างไร แต่ฟอรัมอื่น ๆ บอกว่าประสิทธิภาพนั้นไม่ได้ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ แต่ขึ้นอยู่กับว่าทรานซิสเตอร์นั้นลำเอียงอย่างถูกต้องและวิธีการออกแบบวงจรอย่างเหมาะสม ในการออกแบบแอมพลิไฟเออร์แอมพลิฟายเออร์ทรานซิสเตอร์ชนิดใดในสี่ชนิดที่มีประสิทธิภาพมากที่สุด? (NPN / PNP / JFET / MOSFET) อย่างไรก็ตามความต้องการของศาสตราจารย์ของฉันก็แค่นี้: ประทับใจฉัน ตอนนี้กลุ่มของฉันยังไม่ได้ตัดสินใจเกี่ยวกับข้อมูลเฉพาะของวงจร (กำลังไฟความต้านทานและอื่น ๆ )

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

ฉันพบในวงจรอ้างอิงว่าเมื่อใช้ BJT เป็นสวิตช์เมื่อจะใช้ในโหมดความอิ่มตัวโหลดจะอยู่ที่ตัวสะสมเสมอ สำหรับ NPN ตัวปล่อยเชื่อมต่อกับกราวด์สำหรับ PNP ตัวปล่อยเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟเช่นนี้: ทำไมโหลดถึงอยู่ตลอดเวลาที่ตัวสะสมไม่ใช่อีกวิธีหนึ่ง? เนื่องจากทรานซิสเตอร์ทำหน้าที่เป็นสวิตช์เท่านั้นจึงสามารถใช้ FET แทน BJT ได้หรือไม่ หากมีใครใช้ BJT สำหรับการทำมัลติเพล็กซิ่งแบบหลายเซเว่นเซกเมนต์กระแสของเซกเมนต์ทั้ง 7 จะต้องผ่านทรานซิสเตอร์ ดังนั้นเมื่อใช้ทรานซิสเตอร์แบบไม่ต่อเนื่องต่อหน่วย 7 ส่วนในโหมดความอิ่มตัวค่าการรับกระแสที่ต่างกันของทรานซิสเตอร์ที่แตกต่างกันจะนำไปสู่ความแตกต่างของความสว่างของจอแสดงผล 7 ส่วนหรือไม่?

9 transistors  switches  bjt  fet