คำถามติดแท็ก bjt

ฉันได้พบกับบทช่วยสอนที่ฉันคิดว่าวงจร BJT NPN ด้านบนผิดเนื่องจากข้อสรุปที่เกิดขึ้น แต่เมื่อฉันจำลองวงจรนี้ฉันพบว่าข้อสรุปเป็นจริง ฉันงงอย่างสมบูรณ์และดูเหมือนว่าฉันมีความเข้าใจผิดพื้นฐานเกี่ยวกับพฤติกรรมของทรานซิสเตอร์ วงจรข้างต้นไม่ได้ทำงาน ไม่มี Vcc มีแรงดันอินพุต Vin ซึ่งเพิ่มขึ้นจากศูนย์ถึง 1V ด้านล่างเป็นโครงของแรงดันไฟฟ้าขาออก Vout เทียบกับ Vin: และที่นี่ใต้พล็อตคือกระแสผ่านโหลด I (Rload) และตัวเก็บกระแส Ic ที่เกี่ยวกับ Vin คำถาม: ความสับสนของฉันคือทำไมรูปแบบใด ๆ ในปัจจุบันและไหลผ่านตัวรวบรวมและ Rload เมื่อไม่มีความแตกต่างที่เป็นไปได้ระหว่างตัวสะสมของทรานซิสเตอร์และขั้วส่งสัญญาณ ตามเนื้อเรื่องดูเหมือนว่า KCL จะพอใจเพราะ I (Rload) + Ic = 0 แต่สิ่งที่ฉันไม่เข้าใจรูปแบบปัจจุบันและการไหลในลักษณะนี้ ถ้ามีคนถามฉันฉันจะบอกว่า: "กระแสจะไหลจากฐานถึงตัวปล่อยดังนั้นกับพื้นจะไม่มีกระแสผ่านการโหลดและ Vout จะเป็นศูนย์" ฉันงงกับวงจรนี้อย่างสมบูรณ์ เห็นได้ชัดว่ามีบางอย่างผิดปกติในมุมมองของฉัน เหตุใดการวนรอบปัจจุบันจึงเป็นอย่างนั้น

11 transistors  bjt 

ฉันอ่านตัวอย่างจากหนังสือเรียน และสำหรับวงจรนี้เหนือผู้เขียนอ้างว่าเมื่อ R3 น้อยกว่า 100 โอห์ม Q3 จะไม่เปลี่ยน ฉันคิดไม่ออกว่า "เหตุผล" ทำไม แต่ฉันยืนยันกับ LTSpice ผู้เขียนนั้นถูกต้อง เขาไม่ได้อธิบายเหตุผล ถ้าสมมุติว่า R3 ใกล้เคียงกับศูนย์เมื่อเปิด Q2 ทำไมจะไม่เปิด Q3

11 transistors  switches  bjt 

ฉันได้ออกแบบวงจรต่อไปนี้เพื่อเชื่อมต่อสัญญาณ 12-20V ไปยังไมโครคอนโทรลเลอร์ที่ทำงานบน 3.3 โวลต์ สัญญาณมีทั้ง 20V หรือวงจรเปิด ฉันต้องการให้วงจรมีความยืดหยุ่นมากที่สุด มันควรจะสามารถจัดการ EMI และ ESD R1 คือการ จำกัด กระแสและไบอัสทรานซิสเตอร์ C1 คือการใช้ตัวกรองสัญญาณความถี่ต่ำ R2 ใช้เพื่อดึงฐานทรานซิสเตอร์และปล่อยตัวเก็บประจุ C1 ที่อินพุต 20V เป็น 20V หรือวงจรเปิด D1 ใช้เพื่อป้องกันทรานซิสเตอร์จากแรงดันลบที่ฐาน R3 คือการดึงขาไมโครคอนโทรลเลอร์ขึ้น ยินดีต้อนรับความคิดเห็นและการปรับปรุงใด ๆ ในวงจรนี้ คำถามด้าน:อะไรคือแรงดันบวกสูงสุดที่ทรานซิสเตอร์นี้สามารถทนได้ แผ่นข้อมูลระบุสถานะสูงสุดในปัจจุบันเป็น 100mA หากฐานถูกรักษาไว้ที่ 0.7 โวลต์อินพุตอาจมีค่ามากถึง 1,000 โวลต์ (10k ohm * 100mA) แต่ถ้าอินพุทคือ 1,000 โวลต์ตัวแบ่งที่เป็นไปได้นั้นจะสร้างแรงดันไฟฟ้าที่ฐานที่ 500 …

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

บางครั้งฉันก็เจอกับสัญลักษณ์ BJT ซึ่งมีหลายบรรทัดออกมาจากตัวส่งหรือตัวสะสม BJT นั้นเป็นอุปกรณ์ประเภทต่าง ๆ หรือไม่? ระดับโซลิดสเตตหมายถึงอะไร

11 bjt  symbol  solid-state-devices 

คำนี้เราจะออกแบบเครื่องขยายเสียง จนถึงการบรรยายของเราเรายังคงอยู่ที่ BJT และจากสิ่งที่ฉันเคยได้ยิน FET จะมีการพูดคุยบางส่วนซึ่งแตกต่างจาก BJT อย่างละเอียด อย่างไรก็ตามฉันอยากจะมีความคิดในช่วงต้นนี้ดังนั้นฉันจึงสามารถวางแผนว่าจะใช้ทรานซิสเตอร์ตัวใดเพื่อขยายเสียงที่ดีที่สุด ฉันได้อ่านหัวข้อบางส่วนว่าทรานซิสเตอร์อื่น ๆ (BJT / FET) นั้นดีกว่าอย่างไร แต่ฟอรัมอื่น ๆ บอกว่าประสิทธิภาพนั้นไม่ได้ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ แต่ขึ้นอยู่กับว่าทรานซิสเตอร์นั้นลำเอียงอย่างถูกต้องและวิธีการออกแบบวงจรอย่างเหมาะสม ในการออกแบบแอมพลิไฟเออร์แอมพลิฟายเออร์ทรานซิสเตอร์ชนิดใดในสี่ชนิดที่มีประสิทธิภาพมากที่สุด? (NPN / PNP / JFET / MOSFET) อย่างไรก็ตามความต้องการของศาสตราจารย์ของฉันก็แค่นี้: ประทับใจฉัน ตอนนี้กลุ่มของฉันยังไม่ได้ตัดสินใจเกี่ยวกับข้อมูลเฉพาะของวงจร (กำลังไฟความต้านทานและอื่น ๆ )

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

ฉันต้องการทราบสาเหตุของการเลือกไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (BJT) กับทรานซิสเตอร์ภาคสนาม (FET) ( MOSFETหรือJFET ) เพื่อเปลี่ยนโหลดจากไมโครคอนโทรลเลอร์ ในสถานการณ์สมมุติของเราสมมติว่าโหลดต้องการกระแสมากกว่าไมโครคอนโทรลเลอร์ที่สามารถให้ได้และคำถามคือสิ่งที่การพิจารณาจะมีอคติต่อหรือ BJT และการออกแบบสวิตช์ FET โดยสันนิษฐานว่า "ใช้งานง่าย" ไม่ใช่การพิจารณา คำถามนี้เป็นรุ่นที่เฉพาะเจาะจงมากขึ้นว่า จะใช้คำถามทรานซิสเตอร์เมื่อใด

11 microcontroller  switches  mosfet  bjt 

ฉันกำลังดูการตั้งค่า DC BJT สำหรับการจัดหาแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า ฉันไม่เคยเห็นไดโอดที่ติดอยู่กับฐานของ BJT มาก่อนและสงสัยว่ามันจะใช้ทำอะไร? ฉันเชื่อว่ามันอาจใช้สำหรับการชดเชยเนื่องจากผลกระทบของอุณหภูมิ แต่ฉันไม่เห็นข้อมูลมากนักเกี่ยวกับเรื่องนี้หรือทำไมคุณไม่เชื่อมความต่างศักย์ที่ฐาน Q1 ด้วยตัวต้านทานแทน ไม่มีใครมีข้อเสนอแนะว่าทำไมคุณอาจทำอะไรเช่นนี้?

11 diodes  bjt  current-source 

แต่ฉันคิดว่ามันไม่ถูกต้องอย่างแน่นอน BJT ทรานซิสเตอร์สามารถทำงานโดยไม่มีฐานได้อย่างไร ไม่ควรทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีฐานเป็นเพียงเซมิคอนดักเตอร์ (PP, NN) มีทรานซิสเตอร์ BJT ทดลองเกรดกองทัพของนาซ่าที่ไม่มีฐานหรือไม่? แล้วใครล่ะที่ถูกต้องฉันหรืออาจารย์?

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

ฉันจำลองวงจรนี้จากการออกแบบอ้างอิง แต่ฉันไม่แน่ใจทั้งหมดว่ามันทำงานอย่างไรหรือคุณจะออกแบบสิ่งนี้อย่างไร ในการจำลองดูเหมือนว่าได้รับการออกแบบให้เก็บกระแสไฟฟ้าผ่านค่าคงที่ D1 ที่ประมาณ 5mA แม้จะมีช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตสูงถึง 25V ฉันเห็นว่าแรงดันเกตสำหรับ M1 นั้นอยู่ที่ประมาณ 1.6V และแรงดันไฟฟ้าฐานสำหรับ BJT เพิ่มขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าขาเข้าเพิ่มขึ้น ดังนั้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นกระแส BJT เพิ่มขึ้นมันจึงทำหน้าที่เป็นอิมพีแดนซ์ที่ปรับได้ที่นั่น นั่นถูกต้องใช่ไหม? นี่เป็นสิ่งที่คุณทำในรูปแบบของเครื่องเทศหรือเป็นวงจรกระจกในปัจจุบันที่กำหนดไว้ที่ไหนสักแห่งและฉันก็จำมันไม่ได้เหรอ?

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

2N3904และ2N4401ดูเหมือนจะเป็นส่วนเปรียบอย่างมากในรายละเอียดทั้งหมด 2N4401 มีคะแนนปัจจุบันสูงกว่า แต่อย่างอื่นพวกเขาดูเหมือนจะอยู่ในระดับเดียวกันกับราคาและทุกอย่างอื่น เห็นได้ชัดว่ามันยากที่จะให้คำตอบสากล 100% เนื่องจากทั้งสองส่วนทำโดยผู้ผลิตหลายราย แต่ตราบเท่าที่เป็นไปได้ที่จะบอกว่ามีเหตุผลอย่างใดอย่างหนึ่งจะใช้ 2N3904 แทน 2N4401 หรือไม่

10 transistors  bjt  components  npn  specifications 

ฉันเรียกดูแผ่นข้อมูล TI สำหรับ LM78L05และสังเกตเห็นวงจรแอปพลิเคชันนี้: สังเกตว่า Q2 มีตัวสะสมและตัวปล่อยสั้นอย่างไร ฉันไม่สามารถพูดได้ว่าฉันเคยเห็นมาก่อนและการค้นหาไม่ได้เกิดขึ้น Q2 จะเล่นบทบาทใดในการกำหนดค่านั้น ฉันสงสัยไดโอดชนิดหนึ่ง แต่ไม่สามารถเข้าใจได้ว่าทำไมไดโอดเก่าแบบธรรมดาไม่ทำงานได้ดีกว่าและถูกกว่ามาก 2N4033 แผ่นข้อมูลอธิบายว่ามันเป็นวัตถุประสงค์ทั่วไป PNP Silicon ระนาบ RF ทรานซิสเตอร์

10 voltage-regulator  diodes  bjt  linear-regulator 

ฉันใช้งานแหล่งจ่ายกระแสคงที่และใช้งานได้อย่างน่าอัศจรรย์ แต่ฉันหวังว่าจะลองและเข้าใจมันเพิ่มขึ้นอีกเล็กน้อย! นี่คือวงจรของคำถาม: ฉันได้ลองทำการค้นหาบนเว็บและพบว่ามันค่อนข้างยากที่จะหาสิ่งที่เป็นทฤษฎีในวงจรนี้ที่อธิบายสิ่งที่เกิดขึ้นจริงกับทุกสิ่ง ผมไม่พบว่าปัจจุบันผ่านทรานซิสเตอร์สามารถพบได้ง่ายๆโดยการใช้IE=VsetRsetผมE=VชุดRชุดI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}}ซึ่งมากกว่าที่ฉันรู้ก่อนที่จะเริ่มมอง แต่ตอนนี้ฉันต้องการที่จะรู้ว่าสิ่งที่เกิดขึ้นจริงและวิธีการที่มันยังคงส่งออกคงที่แม้จะมีโหลด / แรงดันที่แตกต่างกันที่โหลด หากใครจะสามารถส่องแสงนี้ฉันจะขอบคุณมาก

10 transistors  operational-amplifier  bjt  current-source  constant-current 

ทรานซิสเตอร์สองขั้วมีการไหลของอิเล็กตรอนและการไหลของรู สามารถเข้าใจการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนได้ แต่หลุมเป็นส่วนหนึ่งของโครงสร้างอะตอม / คริสตัล เราจะอธิบายลักษณะการเคลื่อนไหวของพวกเขาได้อย่างไร?

10 transistors  bjt  electron 

ยกตัวอย่างเช่นMMBT3904และMMBT3906 BJTs มีการระบุไว้เป็นNPN / PNP Switching ทรานซิสเตอร์และพูดถึงเอกสารข้อมูลทางเทคนิคครั้งที่เปลี่ยนในขณะที่BC846และBC856 BJTs มีการระบุไว้เป็นNPN / PNP ทรานซิสเตอร์อเนกประสงค์ (และความเร็วในการเปลี่ยนจะต้องได้รับการอนุมาน โดยดูที่ช่วงความถี่การเปลี่ยน f t ?) นอกจากนี้ที่เห็นได้ชัด (สูงฉเสื้อสำหรับการเปลี่ยนทรานซิสเตอร์): มีความแตกต่างในวิธีการเหล่านี้ได้รับการออกแบบและผลิต? โดยทั่วไปแล้วประเภทหนึ่งสามารถใช้ในแอปพลิเคชันอื่น แต่ไม่ใช่ในทางกลับกันได้หรือไม่? สิ่งที่เกี่ยวกับความจุมิลเลอร์ความเป็นเส้นตรงและเสียงรบกวน มีเทคนิคบางอย่างในเรขาคณิตที่อยู่บนซิลิคอนหรือความเข้มข้นของสารเจือปนหรือไม่? ที่เกี่ยวข้องสำหรับ FETs: อะไรคือความแตกต่างระหว่างทรานซิสเตอร์ผลสนาม (FETs) ออกวางตลาดเป็นสวิทช์กับแอมป์?

10 transistors  switches  amplifier  bjt 

ต้องการปรับปรุงโพสต์นี้หรือไม่? เพิ่มการอ้างอิงจากแหล่งที่มีชื่อเสียงโดยการแก้ไขการโพสต์ โพสต์ที่มีเนื้อหาไม่เหมาะสมอาจถูกแก้ไขหรือลบ ด้วย BJTs เราสามารถควบคุมกระแสฐานโดยใช้ Vin (จากแผนภาพ) ทำไมตำราเรียนระบุว่า BJTs ควบคุมปัจจุบันเมื่อเห็นได้ชัดว่าการเปลี่ยนแรงดันควบคุมกระแสผ่านตัวสะสม

10 bjt