คำถามติดแท็ก ringing

ฉันออกแบบ PCB ตัวแรกของฉันสำหรับตัวเพิ่มบูสเตอร์ DC-DC เพียงเพื่อจะพบว่ามันให้ผลผลิตที่มีเสียงดังมาก การออกแบบจะขึ้นรอบMIC2253 นี่คือแผนผัง: แม้ว่าวงจรของฉันจะอนุญาตให้มีการรวมกันของแรงดันไฟฟ้าอินพุต (Vin) และแรงดันไฟฟ้าขาออก (Vout) ที่แตกต่างกัน กรณีที่ฉันกำลังดีบักคือ Vin = 3.6V และ Vout = 7.2V โหลดเป็นตัวต้านทาน 120 โอห์ม ฉันคำนวณรอบการทำงาน D = 0.5 (เช่น 50%) สิ่งนี้ดูเหมือนจะอยู่ในขีด จำกัด ขั้นต่ำ 10% และสูงสุดรอบ 90% ที่ระบุไว้ในแผ่นข้อมูล ส่วนประกอบอื่น ๆ เช่นหมวกตัวเหนี่ยวนำตัวต้านทานจะเหมือนหรือคล้ายกับแผ่นข้อมูลที่แสดงในตัวอย่างการประยุกต์ใช้ การออกแบบดูเหมือนจะให้แรงดัน RMS ที่ถูกต้องเพิ่มขึ้นในเอาต์พุต แต่หลังจากดูสัญญาณผ่านออสซิลโลสโคปแล้วฉันเห็นการสั่นของแรงดันไฟฟ้าไซน์แบบไซนัสที่ทำให้หมาด ๆ ปรากฏขึ้นเป็นระยะ ๆ ซึ่งดูเหมือนว่าจะเกิดขึ้น ฉันเห็นความผันผวนที่เหมือนกันเกือบทุกจุดบนกระดาน ความผันผวนของเอาต์พุตมีขนาดใหญ่นั่นคือ 3 …

28 layout  ground  dc-dc-converter  interference  ringing 

นี่คือการโพสต์ครั้งแรกของฉันที่นี่ในการแลกเปลี่ยนอิเล็กทรอนิกส์สแต็ค ฉันเป็นงานอดิเรกในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และเป็นมืออาชีพในการเขียนโปรแกรม ฉันกำลังทำงานกับวงจรเหนี่ยวนำเพื่อให้ความร้อนกับชิ้นงาน ฉันมีการตั้งค่าที่ทำงาน @ 12Vac ในระยะสั้นฉันมีองค์ประกอบต่อไปนี้ในวงจร: ไมโครคอนโทรลเลอร์เพื่อสร้างพัลส์ที่มี DC 50% พร้อมแหล่งจ่ายไฟของตัวเองโดยใช้กราวด์ร่วมกับหม้อแปลงที่จ่ายกำลังโซลินอยด์ 2 MOSFETs (100 แอมป์ยังคงระบายกระแส 150Vds) ที่ด้านล่างเพื่อสลับทิศทางของกระแสผ่าน ขดลวดแม่เหล็กไฟฟ้า 3570 nH จาก 11 รอบเส้นผ่าศูนย์กลาง ~ 5 ซม. ทำจากท่อทองแดงที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง 1 ซม (วางแผนที่จะใช้ watercooling ผ่านขดลวดในภายหลัง) หม้อแปลง 230Vac ถึง 12Vac ที่สามารถส่งได้สูงสุด 35 แอมป์หรือ 20 แอมป์ชั่วครู่หนึ่ง ไดรเวอร์ MOSFET (TC4428A) เพื่อขับเกตของ MOSFET ตัวต้านทาน 10K ในแต่ละ MOSFETs …

22 mosfet  heat  inductance  ringing 

ฉันได้สร้างเครื่องกำเนิดสัญญาณคลื่นสี่เหลี่ยมที่ใช้ RC และ Schmitt บนเขียงหั่นขนมมันมีคุณสมบัติที่ไม่พึงประสงค์บางอย่างที่เห็นได้ชัดเนื่องจากความยาวของจัมเปอร์, เขียงหั่นขนมเอง ฯลฯ เวอร์ชั่นแผนผังและเขียงหั่นขนม: และสัญญาณรูปคลื่น: โดยเฉพาะอย่างยิ่งขอบคลื่นที่สูงขึ้นของคลื่นสี่เหลี่ยมมีการโอเวอร์เฮตเป็นจำนวนมาก(ประมาณ 200mV มากกว่า 500mV สูงสุด)และเสียงเรียกเข้า มันง่ายกว่าที่จะทำให้แย่ลงโดยการสัมผัส R1 ดูการแก้ไขข้อมูลที่ถูกต้อง ในการมองหาวิธีแก้ไขฉันพบว่ามีเงื่อนไขเหมือนนักดูถูกและทำให้ชื้นสำหรับวงจร RF และสิ่งอื่น ๆ นอกเหนือจากเกรดจ่ายงานอดิเรกของฉัน Anindo แนะนำในการตอบคำถามที่เกี่ยวข้องว่าควรใช้ตัวต้านทาน50Ωสำหรับการโหลด ฉันกำลังวัดเอาท์พุทจากทริกเกอร์ Schmitt ตัวแรก (IC1D, ที่ขา 2) ทริกเกอร์ที่เหลือจะใช้กับตัวต้านทาน220Ωเพื่อสร้างความต้านทานประมาณ50Ω แต่ฉันได้ผลลัพธ์ที่เหมือนกันเกือบจะวัดที่โหนดเอาท์พุท เครื่องกำเนิดสัญญาณพัลส์ที่ล้ำสมัยนี้มีไว้สำหรับการทดลอง / การศึกษาของฉันเท่านั้นเองดังนั้นจึงไม่มีอะไรสำคัญเลยสำหรับมัน ถ้าฉันตัดสินใจที่จะสร้างบอร์ดบัดกรีของมันฉันจะทำอะไรได้บ้างเพื่อให้แน่ใจว่าดีกว่าลูกพี่ลูกน้องของมัน แก้ไข: ฉันเข้าใจผิดว่าอยู่ในโหมด AC คู่สำหรับภาพหน้าจอและการวัดก่อนหน้านี้ นี่คือหน้าจอเพิ่มเติมบางส่วนที่แสดงสัญญาณที่ขา 1 และ 2 ของ IC (คลื่นสามเหลี่ยมป้อนเข้าที่ 1, เอาต์พุตสี่เหลี่ยมจัตุรัสบน 2) …

19 impedance-matching  ringing 

ฉันได้ออกแบบ PCB (ตั้งใจจะเป็นแบบบล๊อกต้นแบบ) ที่มีตัวขับประตูด้านข้างแบบสูงและต่ำ IR2113 ขับ IRF3205 (55V, 8mΩ, 110A) สอง MOSFET กำลังในการกำหนดค่าครึ่งสะพาน: รูปภาพของการตั้งค่าทางกายภาพ จากการทดสอบวงจรด้วยโหลดฉันพบว่าในขณะที่สวิตช์ด้านล่างค่อนข้างสะอาดมีสัญญาณเรียกเข้าที่เอาต์พุตของ half-bridge (X1-2) ทุกครั้งที่สวิตช์ด้านสูงเปิดอยู่ เล่นรอบกับการตั้งค่าเวลาตายของสัญญาณอินพุตและแม้กระทั่งการลบโหลด (ตัวเหนี่ยวนำที่มีตัวต้านทานพลังงานในซีรีส์จำลองตัวแปลงบั๊กแบบซิงโครนัสที่เชื่อมต่อจาก X1-2 ถึง X1-3) ไม่ได้ลดเสียงเรียกเข้านี้ การวัดด้านล่างนี้ถ่ายโดยไม่ได้เชื่อมต่อกับโหลด (ไม่มีอะไรที่ X1-2 ยกเว้นโพรบออสซิลโลสโคป) เห็นได้ชัดว่าการเหนี่ยวนำและกาฝากของกาฝากนั้นเพียงพอที่จะทำให้เกิดขึ้น แต่ฉันไม่สามารถเข้าใจได้ว่าทำไมด้านต่ำทำงานได้ดี สำหรับฉันทั้งรูปคลื่นของไดรฟ์เกทนั้นดูสะอาดเพียงพอโดยแรงดันไฟฟ้าที่เปลี่ยนแรงดันไฟฟ้า treshold ของมอสเฟตอย่างรวดเร็วพอสมควร ไม่มีรางยิงเมื่อเปลี่ยน สาเหตุที่เป็นไปได้ของปัญหาคืออะไรและฉันสามารถใช้มาตรการใดเพื่อลดอาการ ฉันทราบว่ามีคำถามที่คล้ายกันมาก ๆ ที่นี่และในเว็บไซต์อื่น ๆ แต่ฉันพบว่าคำตอบที่โพสต์นั้นไม่ช่วยเหลือสำหรับปัญหาเฉพาะของฉัน แก้ไข ในขณะที่มีตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์ 2200 ยูเอฟที่อินพุต (X1-1 ถึง X1-3) เพื่อป้องกันการแทรกซึมและเสียงรบกวนมันก็ล้มเหลวอย่างเห็นได้ชัดที่จะกำจัดความถี่สูง การเพิ่มตัวเก็บประจุ 100nF …

18 mosfet  driver  h-bridge  ringing 

ผมได้พัฒนา 48v -> 6V DCDC ควบคุมการสลับใช้LTC3810 มันใช้งานได้ดียกเว้นว่าจะมีเสียงกริ่งที่เอาต์พุตที่แต่ละสวิตช์ คุณสามารถดู 'ขอบเขตการติดตามในรูปภาพ การวัดนี้ใช้ข้ามฝาอินพุตของเครื่องปรับความดัน 3.3v ซึ่งห่างจากเส้นลวดประมาณ 30 ซม. ฉันได้รับหนึ่งในสี่เหล่านี้ทุก ๆ (250kHz) แอมพลิจูดดูเหมือนจะอยู่ที่ประมาณ 200mv pp เสียงเรียกเข้านั้นไม่ดีพอที่จะผ่านตัวควบคุมต่อไป (อีก DCDC 6v -> 3.3v) และทำให้เกิดปัญหากับการส่งสัญญาณ EtherCAT ของฉัน สิ่งที่ดีที่สุดที่จะทำเกี่ยวกับเรื่องนี้คืออะไร? ฉันควรลองเพิ่มตัวเหนี่ยวนำเล็ก ๆ หรือตัวต้านทานที่จุดเอาท์พุทหรือไม่? ฉันมีเอาท์พุทที่ใหญ่มาก (5600uF) ที่เพิ่ม: ฉันลองเพิ่มลูกปัดเฟอร์ไรต์ตัวเหนี่ยวนำและแคปตามที่แนะนำ แต่ก็ไม่ได้ช่วยอะไร ตอนนี้ฉันกำลังลองตัวเหนี่ยวนำหลักที่ใหญ่กว่า

10 dc-dc-converter  ringing