คำถามติดแท็ก mosfet

ดังนั้นจึงมีทรานซิสเตอร์หลายประเภท: BJT JFET MOSFET รวมสิ่งต่าง ๆ เข้ากับรสชาติที่หลากหลายของแต่ละ (NPN, PNP, โหมดการปรับปรุง, โหมดพร่อง, HEXFET, ฯลฯ ) และคุณมีชิ้นส่วนที่หลากหลายซึ่งหลายแห่งสามารถทำงานเดียวกันได้ ประเภทใดเหมาะที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันใด ทรานซิสเตอร์ถูกใช้เป็นตัวขยายสัญญาณ, สวิตช์ลอจิกแบบดิจิตอล, ตัวต้านทานผันแปร, สวิตช์จ่ายไฟ, การแยกเส้นทางและรายการต่อไป ฉันจะรู้ได้อย่างไรว่าประเภทใดเหมาะที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันใด ฉันแน่ใจว่ามีบางกรณีที่มีความเหมาะสมมากกว่าอีกอย่างหนึ่ง ฉันยอมรับว่ามีความเป็นส่วนตัว / ทับซ้อนกันอยู่ที่นี่จำนวนหนึ่ง แต่ฉันแน่ใจว่ามีฉันทามติทั่วไปเกี่ยวกับประเภทของการใช้งานแต่ละประเภทของทรานซิสเตอร์ที่แสดง (และที่ฉันทิ้งไว้) เหมาะที่สุด? ตัวอย่างเช่น, ป.ล. - ถ้าจำเป็นต้องเป็น Wiki นั่นก็ดีถ้ามีคนต้องการแปลงให้ฉัน

61 mosfet  bjt  transistors 

ในการทดลองของฉันฉันใช้เพียง BJT เป็นสวิตช์ (สำหรับการเปิดและปิดสิ่งต่าง ๆ เช่น LED และเช่นนั้น) สำหรับเอาต์พุต MCU ของฉัน ฉันได้รับการบอกเล่าซ้ำ ๆ ว่า MOSFET โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel เป็นตัวเลือกที่ดีกว่าสำหรับสวิตช์ (ดูตัวอย่างที่นี่และที่นี่ ) แต่ฉันไม่แน่ใจว่าฉันเข้าใจว่าทำไม ฉันรู้ว่า MOSFET ไม่มีของเสียที่ประตูที่ฐานของ BJT ทำ แต่นี่ไม่ใช่ปัญหาสำหรับฉันเนื่องจากฉันไม่ได้ใช้แบตเตอรี่ MOSFET ยังไม่ต้องการตัวต้านทานแบบอนุกรมที่มีเกท แต่โดยทั่วไปแล้วจำเป็นต้องมีตัวต้านทานแบบเลื่อนลงเพื่อให้เกทไม่ลอยเมื่อรีบูต MCU (ใช่ไหม) ไม่มีการลดจำนวนชิ้นส่วนลง ดูเหมือนจะไม่มีส่วนเกินที่ยอดเยี่ยมของ MOSFET ระดับตรรกะที่สามารถเปลี่ยนกระแสที่ BJT ราคาถูกสามารถ (~ 600-800mA สำหรับ 2N2222 เป็นต้น) และที่มีอยู่ (ตัวอย่างเช่น TN0702) หายากและแพงกว่ามาก MOSFET เหมาะสมกว่า BJT …

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

ทำไมการระบายเทอร์มินัลแหล่งที่มาของฟังก์ชัน MOSFET แตกต่างกันในขณะที่โครงสร้างทางกายภาพของพวกเขามีความคล้ายคลึงกัน / สมมาตร? นี่คือ MOSFET: คุณจะเห็นว่าท่อระบายน้ำและแหล่งที่มาจะคล้ายกัน เหตุใดฉันจึงต้องเชื่อมต่อหนึ่งใน VCC และอีกอันเข้ากับ GND

48 mosfet  physics 

ฉันมีวงจรต่อไปนี้ติดอยู่บนเขียงหั่นขนม ฉันเปลี่ยนแรงดันเกทโดยใช้โพเทนชิออมิเตอร์ นี่คือสิ่งที่ทำให้ฉันสับสน: ตามวิกิพีเดีย MOSFET อยู่ในความอิ่มตัวเมื่อ V (GS)> V (TH) และ V (DS)> V (GS) - V (TH) ถ้าฉันเพิ่มแรงดันเกตช้าๆเริ่มจาก 0 MOSFET จะยังคงปิดอยู่ LED จะเริ่มต้นกระแสไฟฟ้าเล็กน้อยเมื่อแรงดันประตูมีค่าประมาณ 2.5V หรือมากกว่านั้น ความสว่างจะหยุดเพิ่มขึ้นเมื่อแรงดันเกตของประตูถึงประมาณ 4V ไม่มีการเปลี่ยนแปลงในความสว่างของ LED เมื่อแรงดันเกตมากกว่า 4V แม้ว่าฉันจะเพิ่มแรงดันไฟฟ้าอย่างรวดเร็วจาก 4 เป็น 12 ความสว่างของ LED ยังคงไม่เปลี่ยนแปลง ฉันยังตรวจสอบแรงดัน Drain to Source ขณะที่ฉันเพิ่มแรงดันเกต การระบายแรงดันจากแหล่งจ่ายไฟลดลงจาก 12V ไปใกล้ 0V เมื่อแรงดันเกตเป็น 4V …

44 mosfet 

ฉันคิดว่ามันเป็นเวลาที่ฉันเข้าใจหลักการทำงานของทรานซิสเตอร์ MOSFET ... สมมติว่า; ฉันต้องการสลับแรงดันไฟฟ้าบนโหลดตัวต้านทานโดยทรานซิสเตอร์ MOSFET สัญญาณควบคุมใด ๆ ระหว่าง -500V ถึง + 500V สามารถสร้างได้อย่างง่ายดาย แบบจำลองทรานซิสเตอร์ในภาพไม่สำคัญพวกมันสามารถเป็นแบบอื่นที่เหมาะสมเช่นกัน คำถาม # 1 เทคนิคการขับขี่แบบใดที่เป็นไปได้? ฉันหมายถึงวงจรสี่วงจรนี้จะทำงานกับสัญญาณควบคุมที่ใช้อย่างถูกต้องหรือไม่ คำถาม # 2 อะไรคือช่วงของระดับแรงดันไฟฟ้าของสัญญาณควบคุม (CS1, CS2, CS3, CS4) ที่โหลดและยกเลิกการโหลดตัวต้านทาน? (ฉันเข้าใจว่าขอบเขตที่แน่นอนของการเปิดและปิดต้องคำนวณเป็นรายบุคคล แต่ฉันขอค่าโดยประมาณเพื่อทำความเข้าใจหลักการทำงานโปรดระบุข้อความเช่น " ในวงจร (2) ทรานซิสเตอร์จะเปิดเมื่อ CS2 ต่ำกว่า 397V และจะดับลงเมื่อสูงกว่า 397V ".)

40 transistors  mosfet  dc  control 

ฉันค้นหาและอ่านคำถามที่คล้ายกันมากมาย แต่ไม่พบคำตอบเฉพาะสำหรับวิธีการคำนวณค่าที่ถูกต้องสำหรับตัวต้านทานแบบเลื่อนลงสำหรับประตูลอยตัวของ MOSFET ดูเหมือนว่าทุกคนหลบคำถามด้วย 1K, 10K หรือ 100K "ควรทำงาน" หากฉันมี N-Channel IRF510และฉันจะเรียกใช้เกตจาก 9V เพื่อเปลี่ยนของ 24V ที่ 500mA ฉันควรใช้ค่าใดสำหรับตัวต้านทานแบบเลื่อนลงของเกตและคุณคำนวณค่านั้นอย่างไรVDSVDSV_{DS}

40 resistors  mosfet 

ฉันกำลังมองหาไดรฟ์ล็อคประตูแม่เหล็กจาก Arduino ฉันได้พบคำถามเกี่ยวกับการขับโซลินอยด์จาก Arduinoซึ่งรวมถึงวงจรที่ดูสมบูรณ์แบบสำหรับซิตัสประเภทนี้: สิ่งที่ฉันไม่เข้าใจคือวิธีเลือก MOSFET สำหรับงาน ฉันควรมองหาคุณสมบัติใดถ้าฉันรู้ระดับตรรกะของฉันแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์และอุปกรณ์เป็นปัจจุบัน ในกรณีนี้มันเป็นตรรกะ 5V และโหลดทำงานที่ 12V / 500mA แต่มันก็ดีที่ได้รู้กฎทั่วไป

35 arduino  microcontroller  transistors  mosfet 

ฉันกำลังมองหาวงจรไดรเวอร์ MOSFET ที่สามารถวางระหว่าง op-amp และ MOSFET พลังงานเพื่อใช้งานทรานซิสเตอร์เป็นแอมพลิฟายเออร์เชิงเส้น (ตรงข้ามกับสวิตช์) พื้นหลัง ฉันกำลังพัฒนาวงจรโหลดอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องสามารถโหลดได้ประมาณ 1µs ขนาดขั้นตอนที่สำคัญที่สุดมีขนาดเล็กพูดได้ 100mA แม้ว่าเมื่อฉันได้รับสิ่งนี้มาแล้วฉันก็อยากจะได้ความเร็วสัญญาณขนาดใหญ่ที่ 2.5A / µs ด้วย มันควรจะรองรับแหล่งที่มาจาก 1 ถึง 50V กระแสจาก 0 ถึง 5A และจะสามารถสลายตัวประมาณ 30W นี่คือวงจรที่ดูเหมือนในปัจจุบัน เนื่องจากปรากฏในคำถามก่อนหน้านี้ฉันได้แทนที่ MOSFET ด้วยอุปกรณ์ความจุที่เล็กที่สุดที่ฉันสามารถหาได้ (IRF530N -> IRFZ24N) และย้ายไปใช้แบนด์วิดท์ที่กว้างพอสมควรอัตราการฆ่าสูง op-amp (LM358 -> MC34072) ในดินแดนวุ้น ขณะนี้ฉันกำลังได้กำไรประมาณ 4 ตัวในแอมป์สหกรณ์เพื่อความเสถียรซึ่งให้แบนด์วิดท์ในย่าน 1MHz พื้นหลังเพิ่มเติมด้านล่างสำหรับทุกคนที่สนใจ ปัญหา ในขณะที่วงจรทำงานได้ดีพอสมควรปัญหาในขณะนี้คือเสถียรภาพคือดีไม่เสถียร :) มันไม่สั่นหรืออะไรทำนองนั้น …

33 operational-amplifier  mosfet  analog  mosfet-driver  gate-driving 

ฉันจะใช้ไมโครคอนโทรลเลอร์เพื่อสร้างสัญญาณ PWM สำหรับควบคุมมอเตอร์ ฉันเข้าใจวิธีการทำงานของ PWM และรอบการทำงานอย่างไรก็ตามฉันไม่แน่ใจเกี่ยวกับความถี่ในอุดมคติ ฉันยังไม่มีมอเตอร์ของฉันดังนั้นฉันจึงไม่สามารถทดสอบและค้นหามันได้ ฉันจะไม่เปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าเพียงเวลาที่ได้รับแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด ดังนั้นฉันจะถือว่าการตอบสนองเชิงเส้น? ที่หน้าที่ 10% และอุปทาน 24 V มันจะทำงานที่ความเร็ว 15 RPM หรือไม่ ถ้ามันสร้างความแตกต่างฉันจะรวมการตั้งค่า ฉันกำลังวิ่ง 24 V โดยตรงไปยัง H-bridge ที่ควบคุมมอเตอร์ เห็นได้ชัดว่าฉันมีหมุด PWM สองตัวที่เดินจาก MCU ไปยังประตูของทั้งสองเปิดใช้งาน MOSFETS แก้ไข: ขออภัยลิงค์ดูเหมือนจะไม่ทำงาน ฉันเดาว่าไฟร์วอลล์ในที่ทำงานไม่ชอบ imgur รูปภาพแสดงกราฟของ RPM และแรงดันไฟฟ้า มันเป็นเส้นตรงจาก 50 RPM ที่ 8 V ถึง 150 RPM ที่ 24 V.

26 microcontroller  mosfet  pwm  dc-motor  h-bridge 

ฉันเคยไปที่ไซต์นี้แล้วสองสามเดือนและฉันสังเกตเห็นสัญลักษณ์ต่าง ๆ ที่ใช้สำหรับ MOSFET สัญลักษณ์ที่ต้องการสำหรับ N Channel MOSFET คืออะไรและเพราะเหตุใด

26 mosfet 

ฉันพยายามใช้ Arduino เพื่อเปิด / ปิดโซลินอยด์ 12V ฉันใช้สะพาน H และทำงานได้ดี จากนั้นฉันตัดสินใจที่จะลดความซับซ้อนของสิ่งต่าง ๆ และรับ mosfet เดียวแทนที่จะเป็น H-bridge หลายช่องทางและทำให้ฉันสับสนมาก ฉันพยายามที่จะเข้าใจวิธีที่เหมาะสมในการใช้ Mosfet P-channel (หรือ N-channel) ในการตั้งค่านี้และเจอวงจรตัวอย่างนี้บน google: เหตุใดจึงมีทรานซิสเตอร์อีกตัวที่เกี่ยวข้อง (2N3904) และทำไมจึงมีไดโอดข้ามโหลด ฉันเข้าใจว่า P-channel เปิดใช้งานเมื่อถูกนำมาสูง (เหนือ + ) ดังนั้นการดึงขึ้น แต่ทำไมทรานซิสเตอร์พิเศษ? MCU ไม่ควร (ในกรณีนี้คือ PIC) จะทำสิ่งเดียวกันหรือไม่?Vก.ทีอีVก.aเสื้ออีV_{gate}Vs o u r c eVsโอยูRคอีV_{source}Vdr a i nVdRaผมnV_{drain} นอกจากนี้ - ในสถานการณ์ที่สิ่งที่ฉันทำคือการเปิดหรือปิดโหลด …

25 mosfet 

ในช่วงเวลาที่ราคาถูกฉันตัดสินใจที่จะไม่สั่ง shifter ระดับ 5v ถึง 3.3v จาก Sparkfun แต่แทนที่จะรวมเข้าด้วยกัน วงจรเดิมใช้BSS138 MOSFET แต่ตั้งแต่ผมสนุกกับการยึดติดพื้นผิวบัดกรีประมาณเท่าการรักษาคลองรากผมตัดสินใจที่จะใช้MOSFET ที่เห็นคล้ายกันว่าจะผ่านหลุมติดตั้งได้อย่างง่ายดายและสามารถใช้ได้จากผู้ผลิตที่ต้องการของฉัน ผลลัพธ์ของสิ่งนี้ดีที่สุดย่อย เมื่อดึงสาย 5v ลงพื้นดินทั้งหมดนั้นดี - ด้าน 3.3v ไปที่ 0.07v แต่เมื่อดึง 3.3v ลงกราวด์เส้น 5v แสดงรอบ 4.14v (หรือสัมผัสที่สูงกว่า 5.1v) จากการอ่านเอกสารข้อมูลที่เกี่ยวข้องอย่างใกล้ชิดรวมถึงบันทึกย่อของแอปพลิเคชันดั้งเดิมของฟิลิปส์ในเรื่องฉันเริ่มสรุปว่าแรงดันเกตของเกตเป็นปัญหา โดยการเปลี่ยนวงจรและผูกเกทของ MOSFET เป็น 5v แทนที่จะเป็น 3.3v ทั้งสองข้างดูเหมือนจะทำงานได้ดี การดึงที่ด้านล่างต่ำลงทำให้ด้านอื่น ๆ ลดลง อย่างไรก็ตามฉันไม่มั่นใจเลยว่านี่เป็นสิ่งที่ควรทำ ความเข้าใจของฉันเกี่ยวกับแผนผังดั้งเดิมไม่ลึกพอที่จะสร้างความเห็นที่สมเหตุสมผล แผนผังนี้จะได้รับการแก้ไขหรือไม่หรือเป็นผลลัพธ์ที่ดีในปัจจุบันที่ฉันเห็น fluke เพียงอย่างเดียวหรือสารตั้งต้นในการปล่อยควันวิเศษ?

25 mosfet  level-shifting 

ฉันใช้ BJT ที่มีอยู่ทั่วไปเช่น 2N2222 และ 2N3904 เป็นสวิตช์โดยใช้งานมันใน "โหมดความอิ่มตัว" จาก MCU ของฉัน ฉันเชื่อว่าสำหรับแอพพลิเคชั่นประเภทนี้ MOSFET เป็นอุปกรณ์ที่เหมาะสมกว่า อย่างไรก็ตามฉันมีคำถามสองสามข้อ 1) MOSFET มี "โหมดความอิ่มตัว" เหมือน BJT หรือไม่? "ความอิ่มตัว" นี้ทำได้โดยเพียงแค่ให้แรงดันไฟฟ้าสูงเพียงพอบนฐานที่ MOSFET นั้นสมบูรณ์แบบ "เปิด"? 2) การขับ MOSFET นั้นปลอดภัยจาก MCU โดยตรงหรือไม่? ฉันเข้าใจว่าประตูของ MOSFET นั้นทำงานเหมือนตัวเก็บประจุดังนั้นจึงดึงกระแสในขณะที่ "กำลังชาร์จ" และหลังจากนั้นก็ไม่มีใครเลย การชาร์จกระแสนี้สูงพอที่จะทำให้พินเสียหายหรือไม่? ด้วยการวางตัวต้านทานแบบอนุกรมกับเกตฉันสามารถป้องกันพินได้ แต่สิ่งนี้จะทำให้สวิทช์ช้าลงซึ่งอาจทำให้ MOSFET กระจายความร้อนได้สูงหรือไม่ 3) "งานอดิเรก" MOSFET ทั่วไปคืออะไรเหมาะสำหรับสถานการณ์พลังงานต่ำต่าง ๆ IE, MOSFET …

25 microcontroller  mosfet 

ฉันสร้างวงจรนี้เพื่อหรี่แสงไฟด้วยสัญญาณ PWM มันมีปัญหาที่ MOSFET เริ่มร้อนขึ้นจริงๆ ดังนั้นฉันอยากรู้ว่าเกิดอะไรขึ้นที่ประตูมอสเฟต ฉันปิดสัญญาณ PWM และด้วยมัลติมิเตอร์ของฉันฉันวัดเป็น 12V ตอนนี้มั่นใจว่าฉันสามารถดูรูปคลื่นด้วย USB-oscilloscope เล็ก ๆ ของฉัน (ได้รับการจัดอันดับถึง 20V) ที่ฉันเชื่อมต่ออยู่ Bammm ไฟดับและฉันทิ้งไว้กับสโคปอิฐและพีซีที่เชื่อมต่อกับมันVG SVGSV_{GS} ฉันค่อนข้างเศร้าเกี่ยวกับการทำลายพีซีของฉัน อย่างไรก็ตามฉันต้องรู้ว่ามีอะไรผิดปกติดังนั้นฉันจึงอยู่ที่นี่ เกี่ยวกับปัญหากับ MOSFET ที่ร้อนแรง: ปรากฎว่ามีข้อผิดพลาดในโค้ดทำให้ความถี่ PWM สูงมาก ตรวจสอบให้แน่ใจว่าเป็น 200Hz แก้ไขความร้อนสูงเกินไปและตัวหรี่ดูเหมือนจะทำงานได้ตามที่ตั้งใจ แก้ไข: MOSFET: IXTQ40N50L2 Opto-coupler: ILQ2

24 mosfet  pwm  oscilloscope  measurement 

ฉันกำลังทำงานกับวงจรควบคุมความเร็วสำหรับมอเตอร์แปรงถ่าน (24v, 500rpm, 2A, 4kgcm) ส่วนประกอบหลักที่ฉันวางแผนจะใช้คือ PIC16f873, optocoupler 4n25, IRFZ44N MOSFET, โดย 500 - 800 ไดโอด (สำหรับการหมุนฟรี) เกณฑ์ที่อยู่เบื้องหลังการเลือกความถี่ PWM คืออะไร ผลกระทบของความถี่ PWM สูงและต่ำมากในระบบคืออะไร สิ่งที่เป็นข้อเสียและการปรับปรุงที่จะทำในฮาร์ดแวร์ที่ให้ไว้ที่นี่?

24 mosfet  pwm  dc-motor  opto-isolator  gate-driving