คำถามติดแท็ก protection

ฉันจะเริ่มพัฒนาอุปกรณ์ USB 1.1 โดยใช้ไมโครคอนโทรลเลอร์ PIC ฉันจะเก็บหนึ่งพอร์ต USB ของพีซีของฉันเชื่อมต่อกับบอร์ดขนมปังในระหว่างกระบวนการนี้ ฉันไม่ต้องการทำลายพอร์ต USB ของพีซีโดยลัดวงจรหรือเชื่อมต่อสายข้อมูลเข้าด้วยกันหรือสายไฟโดยไม่ตั้งใจ±±\pm ฉันจะป้องกันพอร์ต USB ได้อย่างไร พอร์ต USB มาตรฐานมีการป้องกันไฟฟ้าลัดวงจรในตัวหรือไม่? ฉันควรเชื่อมต่อไดโอดตัวต้านทานฟิวส์บน / ผ่าน / ข้ามพินหรือไม่?

118 usb  protection 

ฉันอ่านบางที่ว่าสิ่งนี้สามารถใช้สำหรับการป้องกันกระแสไฟฟ้าย้อนกลับในวงจร แต่ฉันค่อนข้างสับสนกับการทำงานของมัน ใครบางคนสามารถช่วยฉันด้วยเรื่องนี้ จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab

23 mosfet  protection  polarity 

จากการดูแผนงานบางอย่างที่วาง flyback หรือ snubber diode ข้ามทรานซิสเตอร์ CE (การกำหนดค่าที่ถูกต้อง), แทนที่จะเป็นสิ่งที่ฉันเห็นโดยทั่วไปว่าเป็น flyback ที่วางข้ามขั้วขดลวด (การกำหนดค่าด้านซ้าย) ข้อใดถูก "ถูกต้อง" หรือว่าแต่ละคนมีวัตถุประสงค์ที่แยกจากกัน? ตามปกติแล้วไดโอดจะแสดงเป็นไดโอดภายนอกชนิด 1N400x (บน TIP120 ดาร์ลิงตัน) ไม่ใช่ไดโอดตัวภายในของ BJT หรือ Mosfet หมายเหตุสุดท้ายฉันได้เห็นแผนงานสองสามอย่างที่มีทั้งไดโอดอันหนึ่งข้ามขดลวดและอีกอันหนึ่งข้ามขั้ว CE ฉันคิดว่ามีเพียงแค่ซ้ำซ้อนโดยไม่ส่งผลกระทบต่อวงจรในกรณีนั้นจริงหรือไม่ จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab คำตอบของเมื่อไหร่ / ทำไมคุณจะใช้ Zener diode เป็น flywheel diode (บนคอยล์ของรีเลย์) สัมผัสกับสิ่งนี้เล็กน้อยโดยแสดง Diode ปกติในการกำหนดค่าด้านซ้ายด้านบนในขณะที่แสดง Zener Diode ในการกำหนดค่าที่เหมาะสม ไม่ได้บอกว่าสิ่งที่ตรงกันข้ามนั้นไม่เป็นความจริง ( หรือทำไม ) ดังนั้นในส่วนที่สองซีเนอร์สามารถทำงานได้ในการตั้งค่าด้านซ้าย …

22 diodes  protection  inductive  flyback 

Raspberry Pi B + รุ่นมีวงจรป้องกันระหว่างขั้วต่อ USB และ 5V สุทธิบนกระดาน พวกเขาแนะนำให้วางวงจรป้องกันที่คล้ายกันไว้ใน Pi HAT ก่อน 'backpowering' pi ผ่านส่วนหัวของ GPIO พร้อมกับโพลีฟิวส์ ฉันเข้าใจว่าทำไมนี่คือคำแนะนำ แต่ฉันต้องการที่จะเข้าใจมากขึ้นเกี่ยวกับวิธีการทำงานของวงจรนี้ ฉันทำการค้นหาก่อนที่จะโพสต์คำถามนี้และพบข้อมูลเกี่ยวกับการใช้ MOSFET เป็นไดโอดแรงดันไฟฟ้าต่ำ แต่พวกเขาทุกคนมีประตูสายตรงสู่พื้นดินโดยไม่ต้องคู่ของ PNP และตัวต้านทาน พวกเขากำลังทำอะไรกับวงจรนี้ นอกจากนี้การใช้ไดโอดร่างกายเป็นหลักหรือไม่? ในกรณีใดข้อมูลที่เกี่ยวข้องในแผ่นข้อมูลที่มีคุณสมบัติเป็น DMG2305UX สำหรับแอปพลิเคชันนี้คืออะไร ในวงจรอื่น ๆ ที่ฉันพบมันปรากฏว่า Rdson และ Vgsth มีความเข้ากันได้ต่ำกับวงจรดูเหมือนกับคุณลักษณะที่เกี่ยวข้อง

21 mosfet  diodes  raspberry-pi  protection 

ฉันไม่เข้าใจจริงๆว่าไดโอดเหล่านี้ในวงจรนี้และวงจรที่คล้ายกัน (เช่นขับวงจรรีเลย์) ปกป้องวงจรควบคุมจากพลังงานที่เก็บไว้โดยการเหนี่ยวนำของขดลวด ฉันซาบซึ้งจริง ๆ ถ้ามีคนอธิบายกราฟิกได้ (ฉันหมายถึงวิธีที่ไดโอดบล็อกกระแสและอื่น ๆ ) คำถามที่สองเกี่ยวกับวงจรนี้คือตัวเก็บประจุ จะเกิดอะไรขึ้นถ้ามันไม่มี

21 capacitor  motor  diodes  driver  protection 

ฉันกำลังศึกษาชิปป้องกันแบตเตอรี่และวงจรอ้างอิง (ด้านล่าง) ที่ใช้กันทั่วไปในแบตเตอรี่ Li-ion ของโทรศัพท์มือถือและฉันสับสนโดย MOSFET สองตัวในซีรีส์ที่ขั้วลบ EB- ตามคำถามนี้ฉันเข้าใจว่า MOSFET สามารถดำเนินการในทิศทาง SD หรือ DS คำถามของฉันคือ 1. เหตุใดจึงมีมอสเฟตสองตัวในวงจรนี้ ทำไมไม่ลองแค่อันเดียว 2. หากพวกเขาทำในทิศทางใดทำไม FET1 และ FET2 ติดตั้งด้วยขั้วตรงกันข้าม สิ่งนี้มีประโยชน์ต่อวงจรอย่างไร?

20 mosfet  battery-charging  lithium-ion  protection 

ฉันกำลังมองหาแหล่งจ่ายไฟ 24V สองตัวเลือกคือ: PSP24-060S แหล่งจ่ายไฟ 24 VDC 2.5A (60W) PSB24-060-P 24 VDC 2.5A (60W) แหล่งจ่ายไฟ ข้อเสนอแรกคือ"การป้องกันไฟฟ้าลัดวงจรแบบพับได้"และ"การป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกิน"แต่มีค่าใช้จ่าย $ 85 ดอลลาร์ ประการที่สองราคาถูกกว่ามาก แต่ไม่ได้พูดถึงสิ่งเหล่านี้ การป้องกันประเภทนี้คืออะไรและมีความสำคัญเพียงใด พวกเขามีค่าเพิ่ม ~ $ 50 หรือไม่? ขอบคุณ!

18 power-supply  protection 

วิธีที่ง่ายที่สุดในการควบคุมแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงขั้นต่ำในวงจรคืออะไร? จะทำอย่างไรกับไดโอดซีเนอร์? Desired performance: Input > 3.3 VDC Output = Input Input = 3.3 VDC Output = Input Input < 3.3 VDC Output = 0.

17 protection  undervoltage 

ฉันกำลังออกแบบวงจรที่มีข้อกำหนดการป้องกันดังต่อไปนี้: ขั้วกลับ มากกว่าแรงดัน (สูงสุด 60v) มากกว่าปัจจุบัน (ประมาณ 1A) มีช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตค่อนข้างใหญ่ช่วง 10v ถึง 60v 48v เป็นเพียงเล็กน้อยวาดประมาณ 150mA ที่ 10vin มันจะดึง 750mA อย่างแน่นอน ฉันทำและทดสอบวงจรต่อไปนี้เพื่อให้เป็นไปตามเงื่อนไข: (ค่ากำลังทำงาน แต่ไม่ได้รับการพิสูจน์ว่าเหมาะสมที่สุด) M1 เป็นจุดเริ่มต้นของฉันสำหรับการกลับขั้วจากนั้นซีเนอร์ตัวหาร & M2 ถูกเพิ่มสำหรับแรงดันไฟฟ้าเกิน ฉันพบว่าจำเป็นต้องใช้ D1 เมื่อฉันใช้งานเกินระดับความรำคาญของฉันเพราะฉันต้องการหลีกเลี่ยงแรงดันไฟฟ้าตกมาก (ฉันได้กลิ่นความซ้ำซ้อน ... ) ฟิวส์เป็นองค์ประกอบที่น่าผิดหวังที่สุด ฉันไม่ต้องการเปลี่ยนชิ้นส่วนใด ๆ หากมีข้อผิดพลาด (แม้แต่ฟิวส์ในตัวเรือน) ดังนั้นฉันจึงทำงานกับฟิวส์ PTC ที่ตั้งค่าใหม่ได้ สิ่งนี้ไม่เพียงมีเวลาสะดุดที่น่ากลัว (~ 4 วินาที!) แต่ก็มีรอยขนาดใหญ่บน PCB ใหญ่เกินไปสำหรับฉันฉันกลัว :( …

16 protection  current-limiting  polarity 

ฉันมีตัวเลือกแหล่งจ่ายไฟสองตัวในบอร์ดของฉัน: USB 5.0V แจ็คไฟ DC ขนาด 5.0V ความตั้งใจของฉันคือการออกแบบตัวเลือกแหล่งจ่ายไฟหรือไอเอ็นจีเนื่องจากทั้งสองอย่างจะถูกใช้ในแต่ละครั้ง แนวทางแก้ไขที่เป็นไปได้มีดังนี้: ใช้ไดโอด oring หรือใช้สอง p-mos ปัญหาที่อาจเกิดขึ้นกับตัวเลือกด้านบน: การใช้ไดโอดนั้นมีราคาถูกและตัวเลือกที่ดี แต่ไดโอดธรรมดาให้ลดลง 0.7V และไดโอด schottky จะลดลง 0.16 ถึง 0.20 โวลต์ซึ่งไม่เป็นที่ยอมรับเพราะโปรเซสเซอร์IMX.28 ที่ฉัน แนะนำคือ 5.0V และ แรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำคือ 4.75 ด้วย 0.2V พร้อมไดโอด schottky 5.0V จะลดลงเหลือ 4.80V และระยะห่างระหว่างที่แนะนำและแหล่งจ่ายน้อยกว่ามาก จากนั้นฉันคิดว่าจะใช้ p-mosfets ซึ่งทำหน้าที่จุดประสงค์ของการปกป้องพร้อมกับการป้องกันกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ แต่สมมติว่ากรณีที่อุปกรณ์ทั้งสองถูกป้อนเข้าด้วยกันโดยไม่ได้ตั้งใจและมีความแตกต่างเล็กน้อยระหว่างอุปทาน USB และแจ็ค DC กล่าวว่า 4.9V สำหรับ USB และ …

16 power-supply  protection 

โปรดอธิบายให้ฉันฟังว่าทำไมวงจรนี้สามารถให้ 5V ที่ได้รับการควบคุมได้ ฉันเข้าใจส่วน Joule Thief แต่ทำไมส่วนควบคุมทำงานได้อย่างไร จำลองวงจรนี้ - แผนผังที่สร้างโดยใช้CircuitLab โดยเฉพาะอย่างยิ่งเหตุใด Zener diode D2 จึงมีความสำคัญในการป้องกัน 1117 และ MCU ไม่ให้ถูกทอดและทำไม cap C1 ไม่ควรชาร์จเต็มตลอดเวลา - แก้ไข - เนื่องจากพวกคุณกำลังแนะนำการออกแบบวงปิดนี่ดูดีกว่าไหม? (เตือนคุณว่า MCU จะไม่ใช้รางพลังการเต้นที่ดีเกินไปดังนั้นฉันแค่เก็บ LDO ไว้ที่นั่นด้วยส่วนที่เล็กที่สุดเท่าที่จะทำได้เพื่อให้ได้กฎระเบียบที่เหมาะสม) จำลองวงจรนี้ schametic ข้างต้นมีการปรับเปลี่ยนเพื่อรวมตัวต้านทานแลงที่แนะนำ - แก้ไข 2 - มันจะทำงานด้วยการสูญเสียน้อยลง จำลองวงจรนี้ Tweak R2 ในแผนผังนี้เพื่อให้ JFET บีบออกเมื่อแรงดันไฟฟ้าข้าม C1 สูงกว่า 6V (มี headroom …

15 protection  boost 

ฉันพยายามป้องกันทั้งแฟลชจากการอ่านผ่าน ISP มันมี bootloader สามารถโปรแกรมส่วนตนเอง การตั้งค่าล็อคไบต์เป็น: LB1/LB2 จะไม่อนุญาตให้ผู้ใช้ใช้ bootloader เพื่ออัปโหลดเฟิร์มแวร์ใหม่ BLB12/BLB11และBLB01&BLB02จะไม่ป้องกันการอ่านแฟลชผ่าน ISP หากฉันไม่ผิด ดังนั้นจึงไม่มีวิธีให้ผู้ใช้อัปเดตเฟิร์มแวร์โดย bootloader ที่กำหนดเองและป้องกันแฟลชจากการอ่านในเวลาเดียวกันได้หรือไม่

15 avr  atmega  protection 

ฉันมักจะเห็นวงจรนี้เมื่อพูดถึงการป้องกันแรงดันไฟฟ้าเกินหรือ ESD (วงจรนี้ทำได้ทั้งสองอย่างหรือเพียงแค่หนึ่งวงจร): อย่างไรก็ตามฉันไม่เข้าใจวิธีการทำงาน สมมติว่าฉันใส่ 20V ที่ Vpin ดังนั้น Vpin จึงมีศักยภาพสูงกว่า Vdd ดังนั้นกระแสจะไหลผ่านไดโอด แต่แรงดันไฟฟ้าที่โหนด Vpin ยังคงเป็น 20V และ IC ยังคงเห็น 20V - นี่จะป้องกันวงจรภายในอย่างไร นอกจากนี้หากเหตุการณ์ ESD มีค่า 10,000V ถึง Vpin จะป้องกันวงจรภายในได้อย่างไร ในที่สุดไดโอด D2 จะมีเพื่อป้องกันแรงดันไฟฟ้าด้านล่าง Vss หรือมีวัตถุประสงค์อื่นหรือไม่? ฉันลองจำลองวงจรนี้ แต่ด้วยเหตุผลบางอย่างมันไม่ทำงาน

15 diodes  protection  esd 

ฉันกำลังมองหาวิธีในการป้องกันวงจรขนาดเล็กที่จะใช้ภายในรถยนต์หรือรถบรรทุก (ระบบไฟ 12V หรือ 24V) วงจรกินไฟประมาณ 12-15W ฉันใช้โมดูลตัวแปลง DC / DC แบบแยกซึ่งสามารถควบคุม 9-36V ลงไปที่ 3.3V ฉันกำลังมองหาวงจรที่แนะนำหรือ IC ควบคุมที่สามารถดูแลอันตรายตามปกติ: โหลดเดือยแหลม แรงดันย้อนกลับ การป้องกัน OV / UV เสียงทั่วไปในสายไฟ ... ทุกอย่างที่ฉันอาจจะพลาด ขณะนี้ฉันมีตาของฉันในLTC4365จากเทคโนโลยีเชิงเส้น ฉันเคยคิดที่จะใช้มันร่วมกับ TVS bi-directional, จับแรงดันไฟฟ้าที่ 32V และปกป้องทุกอย่างด้วยฟิวส์ที่เป่าอย่างรวดเร็ว นี่จะเป็นทางออกที่เหมาะสมหรือฉันพลาดบางสิ่งที่นี่

15 power  protection  automotive 

ฉันต้องการออกแบบ PCB 4 เลเยอร์ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าต่อไปนี้ GND, 5V, 3.3V และ 80V ในวงจรมีมอสเฟตบางตัวซึ่งขับด้วย 3.3V และสวิทช์ MOSFET 80V (กระแสที่ต้องการคือระดับ uA ที่ต่ำมาก) ซึ่งทำให้ภาพรวมบน pcb มีสัญญาณ 80V และ 3.3V ใกล้กัน (ในบางสถานที่น้อยกว่า 20 mils) สำหรับการป้องกันฉันเก็บ 80V ที่ชั้นล่าง และระดับแรงดันไฟฟ้าและสัญญาณอื่น ๆ อยู่ที่ชั้นบนสุดและชั้นที่สอง และฉันเก็บชั้นที่สามไว้โดยสมบูรณ์ ฉันพยายามแสดงการออกแบบด้วยภาพอย่างง่ายด้านล่าง ตอนนี้ฉันกังวลเกี่ยวกับแรงดันพังทลายที่ DC ใน PCB ของฉัน สำหรับวงจรที่ใช้แรงดันไฟฟ้าสูงและต่ำต่างกันฉันก็ไม่ค่อยมีประสบการณ์ ฉันไม่แน่ใจเกี่ยวกับโครงสร้างของฉันไม่ว่าจะปลอดภัยหรือไม่ มีบทความหรือแหล่งข้อมูลใดบ้างที่ฉันสามารถหาข้อมูลที่เป็นประโยชน์เกี่ยวกับปัญหานี้ได้ คุณมีคำแนะนำสำหรับการออกแบบ PCB หรือไม่? หากไม่มีข้อมูลที่จำเป็นสำหรับคำถามกรุณาถาม

14 pcb-design  high-voltage  protection