วิศวกรรมไฟฟ้า

หากฉันมีอุปกรณ์ที่ใช้แบตเตอรีเดียวและด้วยแบตเตอรีเดียวอุปกรณ์นั้นใช้เวลาหนึ่งชั่วโมงและฉันต้องการให้อุปกรณ์นั้นใช้งานได้สองชั่วโมงฉันคิดว่าฉันสามารถต่อสายแบตเตอรีสองก้อนได้ . แต่อย่างไร ฉันต้องการที่จะเป็นสองเท่าของแรงดันไฟฟ้า (ดังนั้นอนุกรม) หรือสองเท่าในปัจจุบัน? (ขนานมาก) ไม่ว่าจะด้วยวิธีใดถ้าอุปกรณ์ใช้แบตเตอรี่สองก้อนตามปกติและฉันต้องการเพิ่มเวลาในการทำงานเป็นสองเท่าฉันจะทำคอมโบของอนุกรมอนุกรม 2 ก้อนของแบตเตอรี่อนุกรม 2 ก้อนใช่ไหม? แต่ถ้าฉันต้องการเพิ่มระยะเวลาเพิ่มขึ้นเป็นสามเท่านั่นคือ 3p2s หรือ 2p3s ใช่ไหม ขอบคุณ

16 batteries  basic  power 

โอเคฉันตัดสินใจที่จะขว้างตัวเองที่ตระกูล PIC (รวมถึง dsPIC) ตอนนี้ฉันมีคำถามเกี่ยวกับโปรแกรมเมอร์ ฉันได้ยินสิ่งเลวร้ายมากมายเกี่ยวกับ PICKIT 3 ใหม่และสงสัยว่าฉันควรจะได้รับมันหรือ PICKIT 2 ที่น่านับถือกว่านี้หรือไม่? หากฉันต้องการใช้ PIC ล่าสุดฉันคิดว่าฉันอาจต้องซื้อ PIC ล่าสุด แต่ฉันก็ไม่แน่ใจ ขอขอบคุณ!

16 microcontroller  pic  programmer 

วิธีต้นทุนต่ำสุดในการเพิ่มวิทยุในตัว Bluetooth ให้กับระบบฝังตัวคืออะไร? ฉันใช้ BlueGiga WT12 ซึ่งทำงานได้ดี IIRC เหล่านี้อยู่ในช่วง $ 20 - $ 25 มีโมดูลเทียบเคียงที่มีราคาถูกกว่าหรือไม่ ตัวอย่างเช่นฉันยังพิจารณาวิทยุในตัวของ Zigbee (เช่น XBee) อย่างไรก็ตามดูเหมือนว่าทุกอย่างจะอยู่ในช่วง $ 20 - $ 25

16 bluetooth 

ฉันได้อ่านไม่กี่เขียนเกี่ยวกับการแปลงเตาอบเครื่องปิ้งขนมปังหรือ skillets สำหรับ reflowing ส่วนประกอบ SMT ส่วนที่สำคัญดูเหมือนจะเป็น: ความพยายามในการจับคู่โปรไฟล์ reflow (รูปแบบอุณหภูมิเพื่อเพิ่มทางลาดและลงที่ร้อนพอที่จะไหลใหม่ แต่ไม่ร้อนพอที่จะสร้างความเสียหายต่อส่วนประกอบ / PCB) ในการทำให้การแปะใช้ง่ายขึ้นในบางพื้นที่: ใช้เทมเพลต (เลเซอร์ตัดเป็นที่นิยม) SparkFun ยังเสนอชุดควบคุมเตาอบหรือกระทะ แต่เห็นได้ชัดว่าเนื่องจากความกังวลเกี่ยวกับความรับผิดชอบชุดใช้รีเลย์ 12v แทนรีเลย์รีเลย์ 110 / 120v หรือ 220v คุณมีประสบการณ์ส่วนตัวกับเรื่องนี้อย่างไร? มันจะเป็นการดีหากได้ยินประสบการณ์จริงเกี่ยวกับสิ่งที่ได้ผลและสิ่งที่ต้องหลีก

16 soldering  surface-mount 

ฉันเป็นนักเรียน EE และสามารถเขียนโปรแกรม [อย่างน้อยง่าย ๆ ] ในภาษาที่มากกว่าที่ฉันมี ฉันเพิ่งเริ่มเรียนรู้ VHDL และฉันก็สงสัยว่าโครงการที่ดีจะต้องรู้จักภาษาและเครื่องมือที่เกี่ยวข้องเป็นอย่างไร ฉันมีปัญหาในการเข้าใช้งานเพราะมันเป็นรูปแบบการเขียนโปรแกรมที่แตกต่างกันมากสำหรับฉัน ฉันได้ทำสิ่งที่เรียบง่ายเช่นตัวเสริม แต่ฉันกำลังมองหาโครงการระยะยาว (เช่นหนึ่งเดือนหรือมากกว่านั้น) ในกรณีที่มีความเกี่ยวข้องฉันมี Xilinx Webpack และกระดาน Digilent Spartan3

16 fpga  xilinx  vhdl 

เมื่อเร็ว ๆ นี้ฉันได้สร้างเซ็นเซอร์โค้งไฟเบอร์ออปติกและฉันต้องการอ่านค่าที่ได้จากพวกเขาลงในคอมพิวเตอร์ผ่านทาง Arduino ฉันวัดแสงด้วยโฟโตไดโอดนี้จากอุตสาหกรรมไฟเบอร์ออปติก ขณะนี้ฉันกำลังให้ LED ที่ปลายอีกด้านเช่นเดียวกับโฟโตไดโอด 2.2V คำถามของฉันเกี่ยวกับความจริงที่ว่าความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าที่วัดด้วยมัลติมิเตอร์บนโฟโตไดโอดนั้นเป็นแบบเส้นตรง แต่ค่อนข้างเล็กเนื่องจากเส้นใยมีการเปลี่ยนรูปแม้จะค่อนข้างรุนแรง เมื่อใช้เส้นใยตรงขึ้นอยู่กับไฟเบอร์ (มันยากที่จะให้คะแนนพวกเขาเหมือนกัน) แรงดันไฟฟ้าจะวนอยู่ที่ประมาณ 1.92V และด้วยการโค้งงอมันก็จะขึ้นไปพูด 1.93-1.94V ฉันไม่กังวลเกี่ยวกับการทำให้แรงดันไฟฟ้าเหมือนกันกับที่ฉันสามารถวัดได้ในซอฟต์แวร์ สิ่งที่ฉันกังวลเกี่ยวกับการสูญเสียความละเอียดเมื่อทำ A / D กับ Arduino หากความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าของฉันอยู่ที่ 10mV A / D ของ 10 บิต A / D จะไม่วัดปริมาณนรกออกมาแม้ว่าฉันจะปรับแรงดันไฟฟ้าได้สูงถึง 5V ด้วยตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้าหรือไม่ สิ่งที่ฉันกำลังมองหาคือ scaler อะนาล็อก ฉันจะยืดช่วงนั้นระหว่าง 1.92 ถึง 1.94 ให้ครอบคลุมเต็มรูปแบบได้อย่างไรจาก 0V ถึง 5V เพื่อที่ฉันจะสามารถใช้ประโยชน์จาก …

16 arduino  sensor 

ฉันกำลังทำการบัดกรีด้วยมือ SMD ในบางครั้งและกำลังมองหาวิธีที่ดีกว่าในการรับตัวต้านทาน SMD จากแถบดังนั้นการวางแนวของพวกเขาจะกลับหัวและการอ่านของพวกเขาเป็นเช่นจากซ้ายไปขวา ปกติแล้วฉันจะลอกออกฟอยล์ปิด แต่จากนั้นกอง "" ดูเหมือนว่าภาพด้านล่าง ฉันคิดว่าจะเอาฟอยล์ออกและใช้เทปกาวเพื่อดึงมันออกมา จากนั้นตัวต้านทานจะถูกจัดเรียงอย่างเท่าเทียมกัน แต่กลับหัวดังนั้นจึงไม่สามารถใช้งานได้จริง ดังนั้นวิธีการรับตัวต้านทาน SMD จากแถบคืออะไรพวกเขาจะคว่ำและจัดชิดเท่ากัน? BTW เพื่อให้ได้ภาพที่ชัดเจนฉันพบตัวต้านทาน 1206 แต่ส่วนใหญ่ฉันใช้ 0603 (รหัสอิมพีเรียล)

16 soldering  surface-mount 

การใช้ทรานซิสเตอร์ด้วยแรงดันเกต (หรือฐาน) ที่ จำกัด จะทำให้พวกมัน จำกัด กระแสไฟฟ้าซึ่งจะแนะนำแรงดันตกคร่อมที่สำคัญข้ามทรานซิสเตอร์ทำให้มันกระจายพลังงาน สิ่งนี้ถือว่าไม่ดีเปลืองพลังงานและทำให้อายุการใช้งานของอุปกรณ์สั้นลง แต่ถ้าฉันรักษาอุณหภูมิให้ต่ำไม่ว่าจะด้วยฮีตซิงก์หรือด้วยการ จำกัด พลังงานฉันสามารถใช้ MOSFET ด้วยวิธีนี้ได้หรือไม่? หรือเป็นปัจจัยที่ไม่ดีสำหรับองค์ประกอบที่จะทำให้พลังงานลดลง? ฉันถามเพราะฉันได้รับผลลัพธ์ที่ยอดเยี่ยมโดยการควบคุม MOSFET ด้วยแรงดันไฟฟ้าตัวแปรเพื่อขับแถบ LED ด้วย PWM 8 บิต LED จะเพิ่มความสว่างจากระดับศูนย์เป็น "อ่านหนังสือ" ในขณะที่ mosfet ที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันไฟฟ้าช่วยให้เปิดใช้งานได้อย่างราบรื่นแม้จะใช้ระดับแรงดันไฟฟ้า 8 บิต พลังงานเชิงเส้นกับพลังงานเลขชี้กำลังสร้างความแตกต่างและ PWM เป็นเส้นตรง ดวงตาของเราไม่รับรู้แสงเป็นเส้นตรง ผลลัพธ์ที่ควบคุมแรงดันไฟฟ้านั้นดีเกินกว่าจะใช้งานไม่ได้ ภาคผนวก: ฉันทำการทดลองอย่างละเอียดด้วย PWM รวมถึงการปรับการตั้งค่าล่วงหน้า การเปลี่ยนหน้าที่ PWM ไม่ใช่วิธีแก้ปัญหาที่มีประสิทธิภาพ แต่ถ้ามีคนต้องการบริจาคออสซิลโลสโคปผมอาจสามารถทำงานได้ :) ภาคผนวก: โครงการนี้เป็นนาฬิกาปลุกที่สว่างไสวเหมือนผลิตภัณฑ์ Philipsเหล่านี้แต่ได้รับการปรับแต่งให้ละเอียดยิ่งขึ้น มันเป็นสิ่งจำเป็นที่การไล่ระดับสีระหว่างระดับพลังงานต่ำมีความไม่แน่นอน สถานะพลังงานต่ำที่ยอมรับได้สว่างที่สุดคือประมาณ 0.002% …

16 mosfet  gate-driving 

ตัวอย่างเช่นปลาไหลใช้ไฟฟ้าช็อตโดยการสร้างความแตกต่างที่อาจเกิดขึ้นในสองจุดในน้ำ อย่างไรก็ตามดูเหมือนว่ากระแสจะพบ "เส้นทางที่สั้นกว่า" ในความแตกต่างที่อาจเกิดขึ้นโดยเพียงแค่ผ่านน้ำ ทำไมปัจจุบันปัจจุบันถึง "เป้าหมาย" ซึ่งอยู่ไกลออกไปและมีแนวโน้มว่าจะมีความต้านทานสูงกว่าน้ำทะเล?

16 current 

(คำถามนี้เกิดขึ้นกับฉันเนื่องจากคำถามอื่นที่นี่) ฉันมักจะพิถีพิถันเกี่ยวกับการใช้ตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณที่อยู่ใกล้กับพินพลังงานทั้งหมดใน ICs ขนาดใหญ่และขนาดเล็กแบบอะนาล็อกหรือดิจิตอล ฉันยังใช้พลังงานและระนาบกราวด์ในการออกแบบ PCB เมื่อเป็นไปได้ โดยทั่วไปแล้วฉันพยายามใช้ "แนวปฏิบัติที่ดี" เพื่อรับการออกแบบที่แข็งแกร่งและเชื่อถือได้ และเท่าที่ฉันจะบอกได้ว่าฉันประสบความสำเร็จ คำถามคือสิ่งที่เป็นตัวชี้วัดของการแยกตัวไม่เพียงพอ สมมติว่าฉันตัดสินใจที่จะไม่รวมหมวกบายพาสที่หมุดพลังงานของไมโครคอนโทรลเลอร์หรือตัวรับส่งสัญญาณ CAN หรืออย่างอื่น มีตัวบ่งชี้ที่ชัดเจนบางอย่างเช่นไมโครคอนโทรลเลอร์รีเซ็ตโดยธรรมชาติ แต่จะต้องมีปัญหาที่ลึกซึ้งยิ่งขึ้นซึ่งฉันอาจไม่เห็นแม้แต่อย่างเดียว

16 pcb-design  decoupling-capacitor 

ฉันทำงานกับการปรับปรุง MOSFET มาเป็นเวลานาน แต่ฉันไม่เคยเห็นวงจรใด ๆ โดยใช้พร่อง - มอสเฟต กรณีการใช้งานโดยทั่วไปของการสูญเสีย MOSFET คืออะไร

16 mosfet  circuit-design 

ฉันกำลังเรียกดูGoogle ภาพของIC อ้างอิงแรงดันไฟฟ้าLTZ1000 ฉันเห็นว่าใน PCB บางส่วนร่องรอยที่ไป LTZ1000 นั้นมีรูปร่างเป็นเกลียวและมีช่องว่างที่ถูกตัดออกเหลืออยู่ระหว่างพวกเขา เหตุผลเบื้องหลังนี้คืออะไร

16 pcb-design  voltage-reference  trace 

ตกลงคำถามพื้นฐานมากที่นี่ ฉันอ่านหนังสือมากมายค้นหาค่อนข้างน้อยและทุกคำอธิบายที่ฉันอ่านดูเหมือนจะพูดถึงการไหลของอิเล็กตรอนและในทางทฤษฎีฉันจะเข้าใจหลักการพื้นฐานของการใช้งาน ฉันเข้าใจว่าตัวต้านทาน จำกัด "การไหล" ดังนั้น LED ไม่ระเบิดขึ้น แต่ฉันไม่เข้าใจสิ่งที่ตัวต้านทานทำกับกระแสและแรงดัน ... ตัวต้านทานมีผลต่อกระแสและแรงดันหรือไม่? ในลักษณะใด

16 resistors 

เรากำลังใช้แบตเตอรี่ลิเธียม 3.6V (ER14505) นี้เพื่อให้พลังงานแก่วงจรไมโครคอนโทรลเลอร์ในอุปกรณ์ของเรา อุปกรณ์สามารถรายงานระดับแบตเตอรี่ได้ เนื่องจากขีด จำกัด Brown-out อยู่ที่ 2.7V เราใช้ช่วงจาก 2.9V-3.5V เพื่อรายงาน 0-100% (ควรเปลี่ยนแบตเตอรี่ @ 0%) ในขณะที่ทดสอบอุปกรณ์เราพบว่ามีการหยดเป็นระยะ ๆ อยู่ในช่วง 20-40% ที่เราไม่สามารถอธิบายได้ ในระหว่างการตรวจสอบเราพบว่าแรงดันไฟฟ้าของแบตเตอรี่แตกต่างกันไปสูงถึง 200mV ขึ้นอยู่กับทิศทางของอุปกรณ์! ดังนั้นเราจึงจับแบตเตอรี่หนึ่งก้อนและมัลติมิเตอร์และทำการทดสอบบางอย่าง: ไม่มีโหลดแรงดันจะยังคงเหมือนเดิม ด้วยโหลด 150 โอห์ม (22mA@3.3V) เราสามารถยืนยันได้ว่าแรงดันไฟฟ้ามีการเปลี่ยนแปลงเกือบ 200mV จากเคสที่ดีที่สุดเป็นการวางแนวเคสที่แย่ที่สุด แบตเตอรี่ "ใหม่" ไม่ได้รับผลกระทบมากเท่ากับเซลล์ที่ใช้งานมาระยะหนึ่ง (ยังคงอยู่ที่ประมาณ 3.6V โดยไม่มีโหลด) ฉันพยายามให้ Google รวบรวมข้อมูลเกี่ยวกับปรากฏการณ์นี้ แต่ไม่สามารถหาสิ่งที่มีประโยชน์ได้ ใครบ้างมีข้อมูลเกี่ยวกับสิ่งที่เกิดขึ้นจริงชนิดของแบตเตอรี่ได้รับผลกระทบหรือหากเราขาดอะไรบางอย่างที่ชัดเจน?

16 batteries 

คำถามง่าย ๆ ฉันหวังว่า! ฉันไม่พบคำตอบที่ชัดเจนใด ๆ ... ฉันกำลังเขียนไดรเวอร์สำหรับ ชิปหน่วยความจำแฟลชSST25VF064C มันสื่อสารผ่าน SPI เช่นเดียวกับหน่วยความจำแฟลชทั้งหมด (ที่ฉันรู้) มันจำเป็นต้องลบ (บิตทั้งหมด = 1) ก่อนที่จะสามารถเขียนได้ (บิต = 0) สำหรับชิปนี้พื้นที่ที่เล็กที่สุดที่สามารถลบได้คือ 4kB หน่วยความจำแบ่งออกเป็น 256 หน้า ด้วยคำสั่งเดียวฉันสามารถเขียนที่ใดก็ได้จากหนึ่งไบต์ถึง 256 ไบต์ลงในหน้าที่ระบุ ฉันไม่ต้องเริ่มต้นบนขอบเขตหน้า: ตำแหน่งแรกที่ตั้งโปรแกรมสามารถอยู่ที่ใดก็ได้ภายในหน้า กฎทั่วไปคือเพื่อให้แน่ใจว่าหน้าจะถูกลบก่อนที่จะเขียนลงไป แต่ฉันสามารถเขียนลงในหน้าที่เขียนก่อนหน้านี้ได้หรือไม่หากฉันหลีกเลี่ยงพื้นที่ที่เขียนแล้ว? ตัวอย่างเช่นบอกว่าฉันเก็บข้อมูลลงในไบต์ 0-127 ในภายหลังฉันสามารถเขียนอีก 128 ไบต์ลงในหน้าเดียวกันได้ไหมถ้าฉันเริ่มที่ 128 ไบต์?

16 flash