วิศวกรรมไฟฟ้า

ไม่มีใครมีแหล่งที่มาสูตรหรือเครื่องคิดเลขสำหรับขีดความสามารถในปัจจุบันของเลเซอร์เจาะไมโคร ฉันยังไม่พบสิ่งที่ดีเลย ฉันแน่ใจว่ามันขึ้นอยู่กับการชุบด้วย มีความแตกต่างระหว่างทองแดงที่เต็มไปด้วยตัวนำไฟฟ้าที่เต็มไปด้วยและเปิดหรือไม่นำไฟฟ้าที่เต็มไปด้วย? ตัวอย่างเช่นฉันอาจใช้เลเซอร์ 5mil ที่มีอิเล็กทริกไดอิเล็กทริก 2-3 มม. และนำไฟฟ้ามาเติมและแบน โอ้และฉันถามผู้ขายของฉัน แต่ไม่ได้รับการตอบกลับ ... แก้ไข: ฉันไม่คิดว่านี่เป็นสิ่งที่ซ้ำซ้อนของกระแสที่สามารถพกพาได้เนื่องจากเลเซอร์เจาะผ่านโครงสร้างนั้นแตกต่างจากการเจาะผ่าน ในความเป็นจริงฉันได้อ่านในหลาย ๆ ที่ว่าพวกเขามีกระแสเกินกว่าแบบดั้งเดิมผ่านดังนั้นฉันจึงมองเพื่อดูว่าใครมีคำตอบ

10 pcb  via 

จะมีโอกาสเมื่อใช้ปลั๊ก 2 ขาปลอดภัยกว่าปลั๊ก 3 ขาหรือไม่ มันถูกต้องหรือไม่ที่จะบอกว่าปลั๊ก 3 พินนั้นปลอดภัยกว่าเสมอหากมีอยู่ในโลก?

10 plug  electricity  earth 

แต่ฉันคิดว่ามันไม่ถูกต้องอย่างแน่นอน BJT ทรานซิสเตอร์สามารถทำงานโดยไม่มีฐานได้อย่างไร ไม่ควรทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีฐานเป็นเพียงเซมิคอนดักเตอร์ (PP, NN) มีทรานซิสเตอร์ BJT ทดลองเกรดกองทัพของนาซ่าที่ไม่มีฐานหรือไม่? แล้วใครล่ะที่ถูกต้องฉันหรืออาจารย์?

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

ฉันกำลังมองหาส่วนหนึ่งที่ช่วยให้ผู้ใช้เปลี่ยนการกำหนดค่าบ่อยครั้ง ตอนนี้ฉันกำลังใช้สวิตช์ DIP กรมทรัพย์สินทางปัญญาที่เชื่อมต่อกับ I2C I / O แผ่ สิ่งที่ทำให้ฉันรำคาญใจคือรอยเท้าขนาดใหญ่ของส่วนประกอบเหล่านี้ (สวิตช์ DIP รวมกับ IO expander IC) รวมถึงส่วนต่อประสานผู้ใช้ที่ค่อนข้างน่าเบื่อ มีสวิตช์ DIP หรือบางอย่างที่ทำหน้าที่เดียวกับที่ฉันสามารถพูดคุยผ่านบัสดิจิทัลเช่น I2C เพื่ออ่านสถานะได้หรือไม่ ฉันเปิดกว้างสำหรับแนวทางที่แตกต่างอย่างสิ้นเชิง ทั้งหมดที่ฉันต้องการคือสิ่งที่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ทางกลไกอย่างถาวรและอนุญาตอย่างน้อย 64 สถานะที่แตกต่างกัน มันเป็นสิ่งสำคัญที่การกำหนดค่าสามารถทำได้เมื่อไม่ได้เปิดวงจรและให้ข้อเสนอแนะภาพของการกำหนดค่าที่แน่นอนให้กับผู้ใช้ วิธีเดียวที่จะสามารถเพิ่มพลังให้กับวงจรได้ก็คือถ้าการกำหนดค่าและการตอบกลับด้วยภาพนั้นมีอยู่ในตัวเองโดยไม่จำเป็นต้องมีการควบคุมจากไมโครคอนโทรลเลอร์หรือ SoC คำถามนี้ค่อนข้างเกี่ยวข้องกับคำถามนี้เมื่อ 6 ปีที่แล้ว: การเปลี่ยน DIP แก้ไข:มีคำแนะนำที่ดีในคำตอบและฉันคิดว่าฉันทิ้งคำถามนี้ไว้การลงคะแนนของชุมชนควรตัดสินว่าอะไรมีประโยชน์และอะไรไม่ได้ หากคุณมีปัญหาแบบเดียวกับที่ฉันมีให้ดูคำตอบทั้งหมด

10 switches  digital-communications  mechanical  configuration 

ฉันไม่สามารถตกลงกับสิ่งที่ฉันคิดว่าเป็นสถานการณ์ที่ขัดแย้งกันเกี่ยวกับพื้นที่เสมือนจริงของ Operational Amplifier ได้โปรดยกโทษให้ฉันถ้านี่เป็นคำถามที่โง่มาก เมื่อ 'ข้อเสนอแนะเชิงลบ' ใน Op-Amp (เหมาะ) ทำให้ความแตกต่างระหว่างขั้วอินพุตของมันเท่ากับ 'ศูนย์' ผลลัพธ์ไม่ควรเป็นศูนย์เช่นกันเพราะ Op-Amp เป็นเครื่องขยายเสียงที่แตกต่างและเป็นไปตามสมการ: Vo = (อัตราขยายวงเปิด) * (แรงดันไฟฟ้าส่วนต่าง b / w อินพุต) คำอธิบายที่ฉันคิดขึ้นมาคือ: - 1) เอาท์พุท Op-Amp เป็นศูนย์แน่นอนและเป็นวงจรภายนอก (ประกอบด้วยตัวต้านทาน Rf และริน) ที่สร้างแรงดันซึ่งเพิ่มขึ้นถึงแรงดันเอาท์พุท Op-Amp (ในกรณีนี้เป็นศูนย์) ที่จุดBเพื่อสร้าง เอาต์พุตจริงของระบบ 2) กราวด์เสมือนไม่สมบูรณ์และมีแรงดันไฟฟ้าแตกต่างกันเล็กน้อยมากที่อินพุตซึ่งได้รับการคูณด้วยอัตราขยายที่สูงและสร้างเอาท์พุท ฉันไม่สามารถเข้าใจได้อย่างชัดเจนว่าคำจำกัดความที่แท้จริงของพฤติกรรม Op-Amp นั้นสอดคล้องกับปรากฏการณ์กราวด์เสมือนหรือไม่โดยไม่ทำให้ผลลัพธ์เป็นศูนย์ กรุณาช่วย!

10 operational-amplifier  feedback  virtual-ground 

ฉันคิดว่าฉันกำลังมองหาคำตอบสำหรับคำถามเรื่องไม่สำคัญ ฉันพยายามที่จะเข้าใจว่าทำไม MIPS Architecture จึงใช้ค่า "ศูนย์" ที่ชัดเจนในการลงทะเบียนเมื่อคุณสามารถบรรลุสิ่งเดียวกันโดยเพียงแค่ XOR'ing การลงทะเบียนใด ๆ กับตัวเอง อาจกล่าวได้ว่าการดำเนินการเสร็จแล้วสำหรับคุณ อย่างไรก็ตามฉันไม่สามารถจินตนาการถึงสถานการณ์ที่คุณจะใช้ค่า "ศูนย์" จำนวนมากได้ ฉันอ่านเอกสารต้นฉบับของ Hennessey และมันแค่กำหนดค่าศูนย์ให้เป็นเรื่องจริงโดยไม่มีเหตุผลจริงใด ๆ เหตุผลเชิงตรรกะที่มีการกำหนดเลขฐานสองแบบฮาร์ดโค้ดเป็นศูนย์หรือไม่? ปรับปรุง: ใน 8k ของปฏิบัติการจาก xc32-gcc สำหรับแกน MIPS ใน PIC32MZ ฉันมีอินสแตนซ์เดียวของ "ศูนย์" add t3,t1,zero คำตอบที่แท้จริง: ฉันได้รับรางวัลสำหรับผู้ที่มีข้อมูลเกี่ยวกับ MIPS และรหัสเงื่อนไข คำตอบนั้นอยู่ในโครงสร้างของ MIPS สำหรับเงื่อนไขต่างๆ แม้ว่าในตอนแรกฉันไม่ต้องการกำหนดเวลาให้กับเรื่องนี้ แต่ฉันได้ตรวจสอบสถาปัตยกรรมสำหรับopensparc , MIPS-Vและ OpenPOWER (เอกสารนี้เป็นภายใน) และนี่คือผลสรุป การลงทะเบียน R0 จำเป็นสำหรับการเปรียบเทียบสาขาเนื่องจากสถาปัตยกรรมของไปป์ไลน์ …

10 cpu  computer-architecture  mips 

ฉันสนใจที่จะรู้ว่าอัตราการอัพเดทสูงสุดที่ทำได้สำหรับเครื่องรับสัญญาณ GPS แบบพลเรือน เฉพาะ ตัวรับสัญญาณที่ขึ้นอยู่เฉพาะบนดาวเทียมจีพีเอส (เช่นไม่รวม IMU ตามการประมาณค่าการเคลื่อนไหวสอดแทรก) ขีด จำกัด ของสมมติฐาน (เช่นไม่รวมข้อกังวลเกี่ยวกับความเป็นไปได้เช่นพลังการประมวลผล) อัปเดตอัตราหลังจากล็อค (เช่น TTFF) ชิปตัวรับสัญญาณพลเรือนที่เร็วที่สุดที่ฉันพบมีอัตราการอัปเดตที่ 50Hz เช่น Venus838FLPx อ้างอิงจาก alex.forencich ในเธรดการแลกเปลี่ยนสแต็กนี้อาจเป็น "ค่อนข้างสูง": เป็นการยากที่จะกำหนดอัตราการอัปเดตตำแหน่งบนดาวเทียมเนื่องจากทุกอย่างอยู่ในเครื่องรับ ดาวเทียมเพียงส่งข้อมูล ephemeris วงโคจรและเวลาของวันที่ 50 บิตต่อวินาทีและอัตราชิป CDMA ที่ 1.023 MHz ทุกเฟสล็อคอย่างแม่นยำเพื่อมาตรฐานความถี่อะตอม ตัวรับสัญญาณ GPS รักษาล็อครหัสการแพร่กระจาย CDMA และใช้เพื่อกำหนดเวลาของความแตกต่างของการมาถึงระหว่างดาวเทียม การล็อคในสถานที่แรกใช้เวลาสักครู่ แต่หลังจากนั้นตำแหน่งสามารถอัปเดตที่ความถี่ค่อนข้างสูง ฉันไม่แน่ใจว่าขีด จำกัด บนของมันคืออะไร และนี้เป็นหลักสูตรที่ไม่เกี่ยวข้องกับCocom ความเร็วและความสูงวงเงินสำหรับรับพลเรือน นั่นคือสิ่งที่ฉันได้พบ

10 gps  gnss 

สวัสดีฉันได้ทำงานในโครงการที่ใช้ Arduino Uno (ดังนั้น ATmega328p) ซึ่งเวลาค่อนข้างสำคัญและฉันต้องการดูว่าคำสั่งใดที่คอมไพเลอร์แปลงรหัสของฉัน และในนั้นฉันมีuint8_tที่ฉันเปลี่ยนหนึ่งบิตไปทางขวาในแต่ละการใช้ซ้ำdata >>= 1และดูเหมือนว่าคอมไพเลอร์แปลสิ่งนี้เป็น 5 คำแนะนำ ( dataอยู่ในr24): mov r18, r24 ldi r19, 0x00 asr r19 ror r18 mov r24, r18 แต่ถ้าฉันดูเอกสารชุดคำสั่งฉันเห็นคำสั่งที่ทำสิ่งนี้: lsr r24 ฉันจะมองข้ามบางสิ่งหรือทำไมคอมไพเลอร์ก็ไม่ใช้สิ่งนี้ด้วย การลงทะเบียนr18และr19ไม่ได้ใช้ที่อื่น ฉันใช้ Ardunio แต่ถ้าฉันถูกต้องมันจะใช้avr-gccคอมไพเลอร์ปกติ นี่คือรหัส (ตัด) ซึ่งสร้างลำดับ: ISR(PCINT0_vect) { uint8_t data = 0; for (uint8_t i = 8; i > …

10 arduino  avr-gcc 

ฉันจำลองวงจรนี้จากการออกแบบอ้างอิง แต่ฉันไม่แน่ใจทั้งหมดว่ามันทำงานอย่างไรหรือคุณจะออกแบบสิ่งนี้อย่างไร ในการจำลองดูเหมือนว่าได้รับการออกแบบให้เก็บกระแสไฟฟ้าผ่านค่าคงที่ D1 ที่ประมาณ 5mA แม้จะมีช่วงแรงดันไฟฟ้าอินพุตสูงถึง 25V ฉันเห็นว่าแรงดันเกตสำหรับ M1 นั้นอยู่ที่ประมาณ 1.6V และแรงดันไฟฟ้าฐานสำหรับ BJT เพิ่มขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าขาเข้าเพิ่มขึ้น ดังนั้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นกระแส BJT เพิ่มขึ้นมันจึงทำหน้าที่เป็นอิมพีแดนซ์ที่ปรับได้ที่นั่น นั่นถูกต้องใช่ไหม? นี่เป็นสิ่งที่คุณทำในรูปแบบของเครื่องเทศหรือเป็นวงจรกระจกในปัจจุบันที่กำหนดไว้ที่ไหนสักแห่งและฉันก็จำมันไม่ได้เหรอ?

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

ฉันพยายามทำความเข้าใจว่ารีเลย์ด้านความปลอดภัยเหล่านี้จาก Weidmuller ทำงานอย่างไร แต่เนื่องจากฉันไม่สามารถหาแหล่งข้อมูลที่เป็นประโยชน์ใด ๆ บนอินเทอร์เน็ตมันก็ยังไม่ชัดเจนสำหรับฉัน นี่คือลิงค์ไปยังแผ่นข้อมูล: SIL3 RELAYS นี่คือแผนภาพภายใน: (ที่มา: Weidmüller) แผ่นข้อมูลบอกว่ารีเลย์เหล่านี้ถูกใช้ในพื้นที่ที่ต้องการการปิดใช้งานหรือเปิดใช้งานอย่างปลอดภัย แต่อย่างไร แตกต่างจากรีเลย์ธรรมดาหรือไม่? และทำไมผู้ติดต่อบางรายถึงเชื่อมต่อกันในแนวขนานและติดต่อกัน แล้วอินพุตทดสอบคืออะไร? (แผ่นข้อมูลบอกว่าอินพุตเหล่านี้ใช้สำหรับการทดสอบหน้าสัมผัสรีเลย์ แต่เป็นอย่างไร)

10 relay  safety 

ฉันสงสัยว่าคำอธิบายของ IC ตัวแรกที่ Kilby ทำคืออะไร ภาพที่มีชื่อเสียงปรากฏในหลาย ๆ เว็บไซต์ แต่ฉันอยากรู้ว่ามันคืออะไร!

10 integrated-circuit 

ฉันกำลังพยายามสร้างกล่องรับปฏิกิริยาดังนั้นฉันจึงสามารถเรียกใช้แอมป์กีต้าร์โดยไม่ต้องใช้ลำโพง มันเป็นอุปกรณ์ที่จำลองเส้นโค้งความต้านทาน / ความถี่ของลำโพงพลังสูง ฉันต้องการอิมพิแดนซ์4Ω แต่ร้านขายเครื่องใช้ไฟฟ้าในท้องถิ่นของฉันไม่ได้ขายตัวต้านทาน4Ω 100W ดังนั้นฉันจึงได้รับตัวต้านทาน16Ωสี่ตัวและวางขนานกัน ด้านขวาเป็นกราฟความต้านทานที่ถูกต้องโดยใช้ตัวต้านทาน4Ωตัวเดียวและทางซ้ายวงจรเดียวกัน แต่ใช้ตัวต้านทาน16Ωแบบขนานสี่ตัว ทำไมผลการจำลองต่างกัน? ฉันคิดว่าวงจรเหล่านี้ควรจะเท่ากัน แก้ไขโดย Steve G. : วงจรต่อไปนี้ให้ผลลัพธ์เหมือนกับวงจรตัวต้านทาน 4 x 16Ω (สังเกตลวดลอย):

10 resistors  parallel  ltspice 

ฉันกำลังออกแบบตัวแปลง AC เป็น DC แหล่งพลังงานของฉันเป็นตัวกำเนิดไฟฟ้ากระแสสลับแบบซิงโครนัสเฟสเดียวที่มีช่วงแรงดันไฟฟ้า 170 ~ 260 VAC และความถี่ 40 ~ 60 Hz ฉันสามารถใช้หม้อแปลงที่ออกแบบบน 50 Hz และ 220 VAC เพื่อทำงานกับสเป็คของเครื่องกำเนิดไฟฟ้ากระแสสลับได้หรือไม่?

10 power-supply  transformer  ac-dc  synchronous  alternator 

ฉันได้ออกแบบวงจรสำหรับอุปกรณ์ที่ใช้แบตเตอรี่ซึ่งมีขั้วต่อ USB ที่สัมผัสภายนอกสำหรับการชาร์จและถ่ายโอนข้อมูล มันเป็นตัวเชื่อมต่อ USB ที่ไม่ได้มาตรฐานเชื่อมต่อได้โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบป้องกันและวงจรทั้งหมดจะอยู่ในปลอกพลาสติกที่ไม่มีความเป็นไปได้ในการใช้งานตัวถัง / ป้องกันโลกบางอย่างเช่นภาพด้านล่าง: สำหรับการป้องกัน ESD ฉันได้ปฏิบัติตามคำแนะนำการออกแบบเกือบทั้งหมดที่มีให้ที่นี่: http://www.semtech.com/images/promo/Protecting_USB_Ports_from_ESD_Damage.pdf ฉันสามารถเห็นภาพเส้นทางปัจจุบันเมื่อ Vbus, D + หรือ D- ได้รับผลกระทบจากชีพจรบวกหรือลบ ESD เช่นการหมุนพวงมาลัยไดโอดไปข้างหน้าเพื่อทำการลบชีพจรหรือเบี่ยงเบนไปที่ TVS กลางสำหรับชีพจรบวกโปรดแก้ไขถ้าความเข้าใจของฉันปิด อย่างไรก็ตามฉันไม่แน่ใจว่าจะเกิดอะไรขึ้นถ้าขา GND ที่เปิดรับได้รับ zap คำถาม: การตี ESD เชิงลบบนขา GND จะมีผลเช่นเดียวกับชีพจรเชิงบวกต่อ Vbus เช่นการพังทลายของ TVS avalanche ส่วนกลางที่นำไปสู่การจับยึดหรือไม่ ในกรณีที่ ESD หยุดงานประท้วงใน GND, ไดโอดบังคับเลี้ยวและ / หรือ TVS ส่วนกลางจะทำการส่งต่อและส่งพลังงานทั้งหมด (ลบ 1 diode …

10 usb  ground  protection  esd  surge-protection 

ผมทำงานเกี่ยวกับพลังงานต่ำแบตเตอรี่ตามโครงการ AVR-based ที่รวมอุปกรณ์ที่แตกต่างกันไม่กี่รวมทั้งแถบ neopixel และนางฟ้า Adafruit เมื่ออุปกรณ์โดยรวมหยุดนิ่งฉันอยากให้วาดน้อยกว่า 0.1mA เพื่อยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ LiPo ให้สูงสุด ฉันได้รับสิ่งนี้ทั้งหมด (วัด 0.035mA) แต่ฉันไม่แน่ใจว่าฉันจำเป็นต้องทำในทางที่“ ถูกต้อง” และฉันวางแผนที่จะสร้างผลิตภัณฑ์ตามสิ่งนี้ดังนั้นฉันต้องการทำถูก (ไม่แสดง: flyback diode สำหรับรีเลย์) ความกังวลหลักที่ฉันมีคือการเปิดเครื่อง "กาฝาก" ของอุปกรณ์เมื่อ VCC ถูกตัดการเชื่อมต่อผ่านกระแสที่ไหลออกจากพินข้อมูล ตัวอย่างเช่น Pixie (ซึ่งสื่อสารผ่านพอร์ตอนุกรม) ไม่มีโหมดปิดเครื่องและแม้กระทั่งเมื่อ“ ปิด” ท่อระบายน้ำประมาณหนึ่งล้าน ดังนั้นฉันจึงวางรีเลย์ขนาดเล็กเพื่อตัดการเชื่อมต่อ VCC ของมันและค้นพบว่าพินอนุกรมนั้นยังคงให้พลังงานกับพิกซี่ คำแนะนำอื่น ๆชี้ให้เห็นว่าชิปจำนวนมากมีไดโอดสับขาอินพุตดิจิตอลของพวกเขาเพื่อ VCC เป็นการป้องกันไฟ เพื่อแก้ปัญหานี้ฉันต้องระงับไลบรารี่อนุกรมและ digitalWrite (PIN, LOW) จริง ๆ ระหว่างการนอนหลับ สิ่งเดียวกันกับแถบ WS2812b - การตัดการเชื่อมต่อ …

10 power  low-power  load