วิศวกรรมไฟฟ้า

ฉันสงสัยว่าข้อได้เปรียบอะไรบ้าง (เกี่ยวกับเสียงรบกวนหรือปัจจัยสำคัญอื่น ๆ ) วงจร opamp: ถือครองวงจรที่ประกอบด้วยโฟโตไดโอดเพียงตัวเดียวและตัวต้านทาน (ตัวต้านทานจะต้องถูกวางไว้ที่แรงดันไฟฟ้า (V) คือ): คณิตศาสตร์ควรเหมือนกัน: ยูo ยูที∝ R ∗ผมp h o t o dฉันo dอียูโอยูเสื้อαR* * * *ผมพีชั่วโมงโอเสื้อโอdผมโอdอี U_{out} \propto R * I_{photodiode} ฉันสงสัยว่าความคิดของคุณคืออะไร PS: ฉันต้องการใช้วงจรเพื่อส่งแรงดันไฟฟ้าตามสัดส่วนของโฟโตไดโอดในปัจจุบันไปยัง ADC ของ µC

9 operational-amplifier  photodiode 

ฉันพยายามที่จะเข้าใจการทำงานของวงจรที่พบในTIDA-00121 (คุณสามารถดาวน์โหลดไฟล์ออกแบบได้จากที่นี่ ) ฉันคิดว่าสิ่งนี้เกี่ยวข้องกับความจริงที่ว่า PV ไม่ได้ผูกติดอยู่กับพื้นโดยตรง (กระแสมอสเฟตย้อนกลับอาจถูกปิดเมื่อแรงดันแผงโซลาร์เซลล์ต่ำเกินไปเพื่อป้องกันกระแสย้อนกลับไหลเข้าแผง) สำหรับฟังก์ชั่นการถ่ายโอน (จากซอร์สโค้ด ) แรงดันไฟฟ้าที่ด้านไมโครคอนโทรลเลอร์เท่ากับ: V = 0.086045Pv-0.14718475V (PV คือแรงดันแผง) สิ่งนี้สกัดจากข้อเท็จจริงที่ว่า Vref = 2.39,10 บิต ADC และสมการของซอร์สโค้ด: แรงดันแผงควบคุม = 36.83 * PV - 63 เพื่อตรวจสอบสมมติฐานของฉันจากซอร์สโค้ด: แรงดันแบตเตอรี่ = BV * 52.44 ซึ่งให้แรงดันที่ด้านไมโครคอนโทรลเลอร์ของตัวแบ่งแรงดันแบตเตอรี่: V = 0.122BV ซึ่งเป็นอัตราส่วนแบ่งแรงดันไฟฟ้า (เครือข่าย 14K / 100K) คำถามคือ: บทบาทของเครือข่ายทรานซิสเตอร์ pnp คืออะไร? วิธีการคำนวณฟังก์ชั่นการถ่ายโอนของแรงดันไฟฟ้าที่ด้านไมโครคอนโทรลเลอร์? …

9 microcontroller  adc  interface  pnp 

ฉันมีสองคำถาม ... ฉันได้เห็นแล้วว่าตัวเก็บประจุที่มีค่าต่างกันในวงจรเครื่องขยายเสียงแตกต่างกัน ... ตัวอย่างเช่นวงจรเครื่องขยายเสียงที่มีตัวเก็บประจุ 470 ยูเอฟมีเบสมากขึ้นและเสียงแหลม ... ตัวเก็บประจุ 1000 ยูเอฟมีการกระจายความถี่เท่ากัน ... ตัวเก็บประจุขนาด 330 ยูเอฟดูเหมือนจะให้ความสำคัญกับเสียงร้องมากกว่า ... ช่วงกลาง ... ดังนั้นอะไรคือเหตุผลที่แท้จริงสำหรับพวกเขาที่จะทำให้เกิดเสียงในแบบที่พวกเขาทำ ในฟิสิกส์หรือกลศาสตร์หรืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ... ในการตั้งค่ากีต้าร์ไฟฟ้าและแอมป์ ... แนะนำค่าความต้านทานระหว่างแอมป์และกีต้าร์เปลี่ยนวิธีการเล่นกีตาร์ ... ฉันได้ลองใช้ค่าจำนวนมากบางอัน ได้แก่ 330k, 470k และอื่น ๆ ช่วง ... ทำไมการตั้งค่านี้ทำหน้าที่เหมือนอีควอไลเซอร์? ตัวต้านทานที่ฉันเชื่อมต่ออยู่ในขั้วบวกไม่ใช่ขั้วต่อกราวด์ ... ดูเหมือนว่าจะทำงานในเครื่องเล่นซีดีไปยังระบบเพลงด้วย ... ตัวต้านทานกลายเป็นเหมือนตัวตั้งค่าของตัวปรับแต่งเพลง ... ฉันเข้าใจว่าเรากำลังเปลี่ยนอิมพีแดนซ์ แต่ทำไมพวกเขาถึงแตกต่างกันในอิมพีแดนซ์ต่างกัน ... ? วงจรตัวอย่าง:

9 capacitor  amplifier  resistors  impedance  sound 

ยกตัวอย่างซีพียูที่สามารถเปลี่ยนความเร็วสัญญาณนาฬิกาเช่นซีพียูคอมพิวเตอร์สมัยใหม่ (Intel, AMD, อะไรก็ตาม) เมื่อทำการคำนวณบางอย่างที่ความเร็วสัญญาณนาฬิกาโดยเฉพาะมันจะสร้างความร้อนจำนวนเท่ากันเมื่อทำการคำนวณที่เหมือนกันที่ความเร็วสัญญาณนาฬิกาช้าลงหรือไม่? ฉันรู้ว่าการกระจายความร้อนและการสะสมความร้อนเป็นปัญหาที่แตกต่างกันดังนั้นเรามาพูดถึงความร้อนที่เกิดขึ้น

9 thermal  processor 

มีบางสิ่งที่ฉันเข้าใจ: DRAM จัดเก็บข้อมูลแต่ละบิตไปยังตัวเก็บประจุขนาดเล็กที่มีความแตกต่างที่เป็นไปได้ เว้นแต่ว่าตัวเก็บประจุจะเชื่อมต่อกับจุดสิ้นสุดแรงดันไฟฟ้าต่ำความแตกต่างที่อาจเกิดขึ้นควรจะยังคงเหมือนเดิม ทำไมเราต้องรีเฟรชความต่างศักย์ที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุใน DRAM หรือ ทำไมตัวเก็บประจุถึงเสียประจุใน DRAM และอย่างไร (ตัวเก็บประจุเชื่อมต่อกับแรงดันไฟฟ้าต่ำสิ้นสุดหรือไม่?) ตัวเก็บประจุไม่ควรเกี่ยวข้องกับความแตกต่างที่เป็นไปได้และ DRAM ควรทำงานเหมือนหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนเพราะสิ่งนี้? ปรับปรุง: นอกจากนี้หากคุณสามารถตอบประเด็นที่ Harry Svensson กล่าวไว้ในความคิดเห็น: ทำไมตัวเก็บประจุใน DRAM จำเป็นต้องได้รับการปรับปรุง แต่ตัวเก็บประจุในประตูใน FPGA แบบอะนาล็อกยังคงเก็บประจุของมันอยู่

9 voltage  capacitor  memory  non-volatile-memory  dram 

ปิด คำถามนี้เป็นคำถามความคิดเห็นตาม ไม่ยอมรับคำตอบในขณะนี้ ต้องการปรับปรุงคำถามนี้หรือไม่ อัปเดตคำถามเพื่อให้สามารถตอบข้อเท็จจริงและการอ้างอิงได้โดยแก้ไขโพสต์นี้ ปิดให้บริการใน2 ปีที่ผ่านมา นี่เป็นคำถามที่แตกต่างเล็กน้อยจากปกติ .. Aliexpress กำลังก้าวชีวิตของฉันบางครั้งฉันก็สั่งสิ่งที่ฉันไม่ต้องการด้วยซ้ำเพราะมันดูเท่ ไม่กี่ครั้งที่ผ่านมาฉันสั่งชิป 500x555 เพียงไม่กี่เหรียญยังไม่ได้ใช้ มีโปรเจคอะไรที่ฉันสามารถทำได้กับชิป 555 ตัว? ฉันเปิดให้ทุกโครงการที่ไร้สาระโง่เขลามีประโยชน์และไม่เป็นประโยชน์หรือเป็นต้นฉบับ อาจเป็นนาฬิกายักษ์สไตล์นักล่าหรือ? https://www.youtube.com/watch?v=UyBwKHCtgm0 หรืออาจเป็นเพียงแค่การสุ่มเมทริกซ์ LED กะพริบที่ไม่มีประโยชน์อะไรเลย เปิดรับทุกข้อเสนอแนะ :)

9 555  ne555 

ด้วยสิ่งต่าง ๆ ที่กำลังมุ่งหน้าไปฟังก์ชั่นมากขึ้นเรื่อย ๆ ก็ย้ายเข้ามาอยู่ในชิปตัวเดียวในแต่ละปี อย่างไรก็ตามสิ่งหนึ่งที่ดูเหมือนว่าจะไม่ถูกแตะต้องโดยสมบูรณ์คืออุปกรณ์ MEMS เช่น accelerometers และ gyros แม้จะมีคลาสอุปกรณ์มากมายที่ต้องใช้เครื่องเร่งความเร็วจริงการรวม MEMS เข้ากับชิปดูเหมือนจะหายากอย่างน่าประหลาดใจยกเว้นค่าผิดปกติ (และอ่อน) ที่มีราคาแพงเพียงเล็กน้อยจาก ST และ Bosch ฉันถือว่าเหตุผลนั้นเป็นเรื่องทางเทคนิค โดยเฉพาะฉันสนใจคำถามต่อไปนี้: อะไรทำให้พวกเขาหายากเหรอ? ความแตกต่างของกระบวนการมีผลกับสิ่งนี้หรือไม่? ส่วนประกอบที่มีอยู่จะหลีกเลี่ยงปัญหาเหล่านี้ได้อย่างไร

9 integrated-circuit  manufacturing  soc  mems 

ฉันพยายามคิดว่าฉันใช้พลังงานมากแค่ไหนเมื่อฉันชาร์จโทรศัพท์ นี่คือข้อมูลจำเพาะของเครื่องชาร์จของฉัน: อินพุต: 100/240 V, 50–60 Hz, 0.15 A เอาท์พุต: 5 V, 0.7 A ฉันได้ยินมาว่าในการคำนวณสิ่งนี้คุณต้องใส่ใจกับอินพุต P= V⋅ A = 240 V ⋅ 0.15 A = 36 W P=V⋅A=240 V⋅0.15 A=36 WP = V\cdot A = 240\ \mathrm V\cdot 0.15\ \mathrm A = 36\ \mathrm W ฉันคิดค่าโทรศัพท์เป็นเวลา 4 ชั่วโมงต่อวันเป็นอย่างมาก ในกรณีนี้ฉันใช้ 144 …

9 batteries  electricity 

สัญลักษณ์นี้หมายถึงอะไรเปรียบเทียบความแตกต่างคืออะไรฟังก์ชั่นของมันคืออะไรใครสามารถแนะนำให้ฉันได้

9 schematics  symbol 

ฉันใช้ ADC 6.4Mhz 12 บิตเพื่อบันทึกการอ่านเซ็นเซอร์ มันเป็นระบบ doppler ultrasound DAC ใช้เพื่อสร้างความถี่ TX ความถี่นั้นจะเด้งออกจากเป้าหมายที่เคลื่อนที่และรับผ่านเซ็นเซอร์อัลตราโซนิก ในสภาพแวดล้อมการทดสอบของฉันความกว้างของการอ่านนี้ค่อนข้างคงที่ตลอดเวลา: อย่างไรก็ตามเมื่อติดตั้งเซ็นเซอร์ในสถานที่ฉันเห็นการรบกวนประเภทแอมพลิจูดแบบแอมพลิจูด: ฉันคุ้นเคยกับสัญญาณรบกวนที่ได้รับความถี่เพิ่มเติม / รบกวนการบันทึกอย่างไรก็ตามฉันไม่รู้ว่าอะไรเป็นสาเหตุของสิ่งนี้ ฉันไม่แน่ใจด้วยซ้ำว่าชื่อนี้มีชื่อหรือไม่ และที่สำคัญกว่านั้นจะทำให้เกิดพฤติกรรมนี้อย่างไร ข้อมูลเพิ่มเติม: ผลลัพธ์เพิ่มเติมด้วย FFT: นี่ไม่ใช่สิ่งประดิษฐ์ที่แสดง ขยายเข้าไปในหนึ่งใน "การข้ามศูนย์": ฉันทำซ้ำสิ่งนี้ใน Matlab โดยผสมข้อมูล adc กับไซน์ซอยด์ 200 Hz จุดสูงสุดของยอด FFT แต่ละจุดมีความถี่สูงสุดสองค่าแยกกันแทนที่จะเป็นหนึ่งค่า

9 adc 

ฉันวัดกระแสผ่านกระจกปัจจุบันเมื่อฉันพบปัญหา แต่ก่อนอื่นฉันอยากจะพูดถึงว่าฉันวัดสิ่งนี้ด้วยสองแอมป์มิเตอร์ของผู้ผลิตเดียวกันและรุ่นเดียวกัน (Mustool MT826 Digital Multimeter) ทั้งสองถูกตั้งค่าเป็น mA (หนึ่งในพันแอมแปร์) การตั้งค่าการวัดและผ่านทั้งสองนั้นกระแสที่วัดได้อยู่ที่ประมาณ 0.5 mA สำหรับทั้งสองกระแสการสะสมจนถึงไตรมาสที่ 1 และไตรมาสที่ 2 ถ้าอย่างนั้นฉันก็คิดว่ามันจะเป็นการดีกว่าที่จะตั้งค่าการวัดทั้งสองเป็น uA (ไมโครแอมป์) การตั้งค่าและฉันก็ทำเช่นนั้น แต่มีเพียงจุดเริ่มต้นเท่านั้น AM1 ถูกตั้งค่าเป็น mA ในขณะที่ AM2 ถูกตั้งค่าเป็น uA - ฉันพบปัญหา ทันใดนั้นกระแสผ่าน AM1 ประมาณ 2.5 mA ในขณะที่กระแสผ่าน AM2 ลดลงเป็น 300 uA ดังนั้นฉันจึงคิดอยู่พักหนึ่งและฉันก็สรุปได้ว่าที่การตั้งค่าต่าง ๆ สำหรับการวัดในปัจจุบันแอมป์มิเตอร์ก็คือ "มอง" ว่าเป็นโหลดที่แตกต่างจากตัวส่งของ Q1 และ Q2 ดังนั้นคำถามของฉันคือ: เป็นเรื่องปกติหรือไม่ที่แอมป์มิเตอร์จะเปลี่ยนความต้านทานภายในเมื่อเราสลับระหว่างการตั้งค่าการวัดที่แตกต่างกัน …

9 current-measurement  multimeter  error 

ฉันกำลังสร้างอุปกรณ์ แต่ PCB มีขนาดค่อนข้างใหญ่ ฉันไม่เคยทำ PCB สองด้านมาก่อน แต่ตอนนี้ฉันกำลังพิจารณาอยู่ ฉันได้บัดกรีที่โรงเรียนที่ส่วนประกอบ SMD อยู่ด้านบนและผ่านส่วนประกอบของรูที่ด้านล่าง เป็นการดีที่จะใส่ส่วนประกอบของรูทั้งสองข้างหรือไม่? ฉันไม่สามารถคิดถึงข้อเสียใด ๆ ของสิ่งนี้ แต่ฉันต้องการที่จะแน่ใจ มันจะช่วยฉันประหยัดพื้นที่ได้มาก

9 pcb 

ข้อจำกัดความรับผิดชอบ: ฉันไม่ใช่วิศวกรไฟฟ้าที่ได้รับการฝึกฝน ... ฉันเป็นวิทยาการคอมพิวเตอร์ล่าสุดที่มีประสบการณ์ประมาณสิบปีในฐานะเทคโนโลยีการทดสอบ RF ฉันไม่รู้ทุกอย่างและสำหรับฉันพบว่ามีประสบการณ์อย่างสูงสุดในการใช้งานจริงเช่นนี้ ฉันเป็นคน RF คนเดียวในองค์กรของฉัน ฉันกำลังติดต่อผู้เชี่ยวชาญ RF, EMI หรือ EMC ที่มีประสบการณ์เพื่อพูดคุยเกี่ยวกับปัญหานี้ ฉันมีห้องป้องกันไร้สายซึ่งใช้เป็นสำนักงานสร้างขึ้นจากเหล็กเชื่อมขนาด 16 นิ้วที่ใช้สำหรับแยกการปล่อยมลพิษออกจากโลกภายนอก มันยังไม่ได้รับการบำรุงรักษาที่ดีและมีการแทรกซึมทางไฟฟ้าที่ไม่เหมาะสมหลายครั้งในช่วงสองสามทศวรรษที่ผ่านมา ในฐานะที่เป็นวิศวกร RF คนใหม่ฉันพยายามกู้คืนประสิทธิภาพที่ได้รับการป้องกัน (SE) สำหรับสนามไฟฟ้าและการลดทอนคลื่นระนาบอย่างน้อย 60dBm สูงสุด 10GHz เราจะทำการทดสอบ SE หลังจากการซ่อมเสร็จสมบูรณ์ ฉันได้ทำการซ่อมแซมหลายครั้งรวมถึงการออกแบบและติดตั้ง waveguide-Below-cutoff (WBC) penetrations สำหรับไฟเบอร์และกำจัดสายอีเธอร์เน็ตและสายโคแอกซ์ ฉันได้ทำการกรองสายโทรศัพท์ POTS ทั้งหมดอย่างถูกต้องทำการซ่อมแซมบางอย่างกับนิ้วมือ & มีดขอบประตูรูที่ได้รับการแก้ไขตรวจสอบตัวกรองรังผึ้ง นี่คือปัญหาสุดท้ายที่เหลืออยู่ ... ห้องมีสายควบคุมแบบดิจิตอลสำหรับ HVAC thermostats (Metasys N2, RS485, twisted shielded …

9 rf  electromagnetism  emc  faraday-cage 

ฉันต้องการทราบวิธีสร้างตัวควบคุม DRAM แบบอะซิงโครนัสแบบกระดูกเปลือย ฉันมีโมดูล DRAM ขนาด 70 เมกะไบต์ 1 SIMM 70ns DRAM (1Mx9 with parity) ที่ฉันต้องการใช้ในโครงการคอมพิวเตอร์ย้อนยุคในโฮมบรูว์ น่าเสียดายที่ไม่มีแผ่นข้อมูลสำหรับพวกเขาดังนั้นฉันไปจากซีเมนส์ HYM 91000S-70และ"การทำความเข้าใจกับการทำงานของ DRAM"โดย IBM อินเทอร์เฟซพื้นฐานที่ฉันต้องการจะทำคือ / CS: in, เลือกชิป R / W: in, อ่าน / ไม่เขียน RDY: ออกสูงเมื่อข้อมูลพร้อม D: เข้า / ออกบัสข้อมูล 8 บิต A: ในบัส 20 บิตที่อยู่ รีเฟรชดูเหมือนตรงไปตรงมาด้วยหลายวิธีที่จะทำให้ถูกต้อง ฉันควรจะทำการกระจาย (interleaved) RAS-only refresh …

9 memory  timing  dram  7400 

ในรถยนต์และรถบรรทุกส่วนใหญ่สายเคเบิลหนาเชื่อมต่อแบตเตอรี่โดยตรงกับสตาร์ทเตอร์ (โซลินอยด์) ทำไมวงจรเหล่านี้จึงไม่มีการป้องกันกระแสเกินชนิดใด ๆ มันเป็นวิธีปฏิบัติที่ได้รับการยอมรับทั่วทั้งอุตสาหกรรมยานยนต์ ต่อไปนี้เป็นสองมาตรฐานแยกที่ยกเว้นวงจรเริ่มต้นโดยเฉพาะจากการป้องกันกระแสเกิน (สิ่งเหล่านี้เป็นทั้งเรือบรรทุกสินค้าซึ่งผลที่ตามมาจะยิ่งใหญ่กว่า; คุณไม่สามารถเดินจากไฟในทะเล) ตัวนำเอาท์พุทที่ไม่ได้รับการรับรองแต่ละตัวจากแบตเตอรี่ที่เก็บจะต้องมีการรีเซ็ตเบรกเกอร์หรือฟิวส์แบบไม่มีการเคลื่อนที่ยกเว้นกรณีที่ตัวนำเอาท์พุทอยู่ในวงจรป้อนกำลังหลักจากแบตเตอรี่ไปยังมอเตอร์ที่หมุนเครื่องยนต์ นี่เป็นเพียงตัวอย่าง ฉันไม่สงสัยเลยว่าองค์กรต่าง ๆ เช่น SAE และ ABYC มีข้อกำหนดที่คล้ายกันในมาตรฐานของพวกเขา รถหลายล้านคันถูกเชื่อมต่อด้วยวิธีนี้ ทุกวงจรยกเว้นแหล่งจ่ายไฟหลักจากแบตเตอรี่ไปยังมอเตอร์สตาร์ทและมอเตอร์พวงมาลัยที่ขับเคลื่อนด้วยไฟฟ้าควรได้รับการป้องกันทางไฟฟ้าจากการโอเวอร์โหลดและการลัดวงจร (เช่นฟิวส์หรือเบรกเกอร์วงจรควรติดตั้ง) ฉันขอเหตุผลทางวิศวกรรมที่อยู่เบื้องหลังข้อยกเว้นเหล่านี้ ถึงแม้ว่าสายเคเบิลจะหนากว่าขดลวดสตาร์ทมาก แต่ความล้มเหลวทางกลหรือแรงกระแทกก็ยังสามารถสร้างให้สั้นลงได้ กระแสที่เกิดขึ้นสามารถเกิน 500A และเพียงพอที่จะเชื่อมเหล็กหนา ฉันเข้าใจว่าสตาร์ทเตอร์นั้นต้องการกระแสมากกว่าวงจรอื่น ๆ แต่แน่นอนว่าจะสามารถหาวิธีแก้ปัญหาที่คุ้มค่าได้เช่นลิงค์ที่หลอมได้ หรือฉันเข้าใจผิด? นี่คือเหตุผลที่เป็นไปได้ที่ไม่สมเหตุสมผลสำหรับฉัน: สายเคเบิลมีความหนามาก (เทียบกับขนาดของแบตเตอรี่) ที่ไม่ต้องการการป้องกัน สตาร์ตเตอร์จะไหม้หรือแบตเตอรี่จะระเบิดก่อนที่สายเคเบิลจะละลาย ในขณะที่สิ่งนี้อาจเป็นจริงจากมุมมอง "ป้องกันลวด" ฉันเชื่อว่านี่เป็นเหตุผลที่แข็งแกร่งยิ่งกว่าสำหรับการป้องกันกระแสเกินในวงจรเริ่มต้น ... เพื่อปกป้องยานพาหนะทั้งหมด ความเสี่ยงของความผิดปกติในวงจรนี้ไม่น่าเป็นไปได้ เป็นความจริงที่ starters เป็นอุปกรณ์ที่ทนทานและสายเคเบิลหนามีความแข็งแรงเชิงกลมากขึ้น อย่างไรก็ตามความล้มเหลวยังคงเป็นไปได้และเกิดขึ้นเป็นครั้งคราวในโลกแห่งความเป็นจริง นอกจากนี้ผลกระทบของความล้มเหลวในวงจรนี้อาจเป็นความหายนะที่นำไปสู่การสูญเสียทั้งหมดของยานพาหนะหรือเสียชีวิต ดังนั้นฉันคาดหวังว่าความรุนแรงของปัญหาจะครอบงำโอกาสที่ต่ำ (เป็นที่ยอมรับ) ในการวิเคราะห์โหมดความล้มเหลว แก้ไขสำหรับผู้อ่านในอนาคต: …

9 safety  automotive  circuit-protection