คำถามติดแท็ก decoupling

ฉันทำการซ่อมเมนบอร์ดส่วนประกอบแท็บเล็ตในระดับส่วนประกอบและฉันได้เห็นสถานการณ์ที่ทำให้งงงวยบนเมนบอร์ดแท็บเล็ต Samsung ทั้งสองรุ่นจนถึงขณะนี้ (SM-T210, SM-T818A) มีประจุชิปเซรามิกบน PCB ที่มีการเชื่อมต่ออย่างชัดเจนกับระนาบพื้นดินที่ปลายทั้งสอง การตรวจสอบความต้านทานยืนยันและมันค่อนข้างชัดเจนเพียงแค่มองไปที่พวกเขา SM-T210 - ดูเหมือนว่าการปรับสภาพสัญญาณบางอย่าง มันอยู่ที่ด้านหลังของ PCB จากช่องเสียบ SD แต่ SD ใช้มากกว่าสองสายสัญญาณดังนั้นฉันจึงไม่ได้ SM-T210 - นี่คือด้านหลังของ PCB จาก USB commutator IC มันอยู่ติดกับช่องเสียบแบตเตอรี่ SM-T818A - นี่คือแหล่งจ่ายไฟ AMOLED ฝาปิดลึกลับนั้นอยู่ที่ขอบของ EMI shield (ถูกเอาออกไปจากภาพถ่าย) และกรอบโล่ต้องรวมถึงการตัดเพื่อล้างหมวก ดังนั้นพวกเขาจึงมีปัญหากับหมวกที่นี่ สถานการณ์เดียวที่ฉันสามารถทำได้คือในระหว่างการจับวิศวกรออกแบบวางหมวกจำนวนมากไว้ใช้ในที่สุด แต่เชื่อมต่อปลายทั้งสองข้างกับพื้นเพื่อให้โมดูล DRC ไม่บ่นเกี่ยวกับหมุดลอย จากนั้นพวกเขาลงเอยด้วยการไม่ใช้พวกเขาทั้งหมด แต่ไม่ได้ลบสิ่งพิเศษออกจากการออกแบบ การออกแบบจะถูกส่งไปยังวิศวกรเลย์เอาต์ที่วางและกำหนดเส้นทางการออกแบบที่ได้รับ ฉันยอมให้ใครบางคนทำบางสิ่งที่ฉลาดและฉลาดเกินกว่าจะเป็นเคน (กรองเสียงเฮิร์ตซ์ - แบนด์จากระนาบกราวน์?) แต่ฉันไม่คิดว่านี่เป็นตัวอย่างของ …

125 capacitor  pcb-design  analog  decoupling-capacitor  decoupling 

ฉันเคยเห็นวงจรบางส่วนที่ใช้ตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณเช่นเดียวกับตัวเก็บประจุตัวเก็บประจุเช่นนี้ (C4 และ C5): ฉันได้อ่านเกี่ยวกับตัวแยกตัวเก็บประจุแยกและสำหรับฉันดูเหมือนว่าพวกเขาตั้งใจที่จะลบความผันผวนเล็กน้อยในแรงดันไฟฟ้า ถ้าอย่างนั้นฉันก็คิดว่านั่นไม่ใช่จุดประสงค์ของตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำด้วยเหรอ? ทำไมตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำจะไม่สามารถกรองความผันผวนเล็ก ๆ น้อย ๆ ได้ถ้ามันสามารถกรองความผันผวนขนาดใหญ่ออกมาได้? ดังนั้นฉันรู้สึกเหมือนฉันมีความเข้าใจผิดขั้นพื้นฐานที่นี่ อะไรคือวัตถุประสงค์ของตัวเก็บประจุแยกที่อยู่ถัดจากตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำเมื่อเราสมมติว่าเราวางทั้งสองใกล้กับส่วนที่ใช้พลังงานเท่า ๆ กัน? หรือเป็นข้อได้เปรียบเพียงอย่างเดียวของตัวเก็บประจุแยกที่มีขนาดเล็กและสามารถวางไว้ใกล้กับส่วนที่กินไฟได้ง่าย?

58 capacitor  decoupling-capacitor  decoupling 

ชื่ออาจจะดีพอ แต่ฉันสงสัยอยู่เสมอว่าทำไมการแยกแคปชั่นไม่ได้สร้างไว้ในชิปหรืออย่างน้อยบรรจุภัณฑ์ IC?

48 decoupling-capacitor  decoupling 

สำหรับโครงการของฉันที่มี ATtiny85 ทำงานที่ 32.768 kHz โดยใช้คริสตัลนาฬิกาภายนอกฉันคิดว่าฉันจะรวมตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณ 1 ยูเอฟที่อยู่ใกล้กับพินพลังงานของ MCU สำหรับการวัดที่ดี อย่างไรก็ตามการอ่านบนดูเหมือนว่าคนส่วนใหญ่แนะนำตัวเก็บประจุ 0.1 ยูเอฟ การใช้ขีด จำกัด ที่มีขนาดใหญ่เกินไป (เช่น 1 ยูเอฟ) สามารถก่อให้เกิดอันตรายใด ๆ หรือไม่ก็ได้

19 microcontroller  decoupling 

ฉันมักจะเข้าใจเสมอว่าจุดที่ใช้ตัวเก็บประจุขนาดเล็กในแบบขนานคือให้ความต้านทานต่ำที่ความถี่สูงกว่าตัวเก็บประจุที่ใหญ่กว่าเพราะตัวเก็บประจุตัวเก็บประจุที่สูงกว่ามักจะมีแพ็คเกจที่ใหญ่กว่าดังนั้นตัวเหนี่ยวนำกาฝากจึง . อย่างไรก็ตามหากตัวพิมพ์ใหญ่ทั้งสองมีบรรจุภัณฑ์เดียวกัน ( 0402ในกรณีนี้) มีประโยชน์อย่างไรบ้าง?

17 capacitor  parallel  ceramic  decoupling 

ในการออกแบบส่วนใหญ่ของฉันเมื่อเร็ว ๆ นี้ฉันค่อนข้างเสรีในการใช้ตัวถอดรหัส decoupling (โดยเฉพาะ 0.1uf X5Rs) บนส่วนใหญ่หากไม่ทั้งหมดของหมุดจัดหาสำหรับสิ่งที่ดำเนินการสลับที่สำคัญจากระยะไกล (โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อแผ่นข้อมูล กว่าจะมีพินอุปทาน) นี่เป็นวิธีปฏิบัติที่ดี / ดีหรือเป็นเรื่องสำคัญที่จะต้องยึดคู่มือผู้ผลิตและใช้สิ่งที่พวกเขาระบุ?

16 design  decoupling 

คำถามง่ายๆ: อะไรคือสิ่งที่อยู่เบื้องหลังความต้องการในการวางตัวเก็บประจุให้ใกล้กับพินของอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่ในปัจจุบัน นั่นคือการเหนี่ยวนำความต้านทานหรือความต้านทานของแทร็ก PCB หรือลวดที่มีผลต่อประจุไฟฟ้า

15 capacitance  decoupling-capacitor  decoupling 

ฉันกำลังดูแผ่นข้อมูลและฉันเห็นบางสิ่งที่ทำให้ฉันสับสน เหตุใดจึงมีตัวต้านทาน 1 โอห์ม (R2) ในซีรีย์กับตัวเก็บประจุ นี่คือรางไฟฟ้าดังนั้นฉันจะถือว่ามันเป็นตัวเก็บประจุแยก Pin 15 คือ VREG_OUT - เอาต์พุตตัวควบคุมพลังงาน (1.8 V ขณะตื่นขึ้น, 0 V ระหว่างการนอนหลับสนิท) หลังจากความพยายามค้นหาของ Google สองสามครั้งฉันไม่พอใจกับคำตอบหรือการขาดของมัน วัตถุประสงค์ที่เป็นไปได้ของ "R2" คืออะไร?

12 power-supply  decoupling-capacitor  decoupling 

ฉันกำลังทำงานกับการออกแบบฮาร์ดแวร์ไมโครคอนโทรลเลอร์ตัวแรกของฉัน ฉันมีชั้นเรียนของไมโครคอนโทรลเลอร์ในวิทยาลัย แต่มันมุ่งเน้นไปที่ด้านซอฟต์แวร์ของสิ่งต่าง ๆ และใช้บอร์ดพัฒนาที่สร้างไว้ล่วงหน้า (สำหรับ Freescale 68HC12) ฉันมีคำถามที่ฉันลังเลที่จะถามเพราะดูเหมือนว่าค่อนข้างธรรมดาและอาจชัดเจน แต่ในเวลาเดียวกันฉันไม่สามารถหาคำตอบที่ชัดเจนขณะค้นหาผ่านแผ่นข้อมูลหรือฟอรัมออนไลน์ ฉันได้ตัดสินใจใช้ชิปตระกูล STM32F7 และฉันพบปัญหานี้ในขณะที่วางแผนพลังงานพื้นฐานและการเชื่อมต่อภาคพื้นดิน ฉันเห็นจำนวนขา 12 Vdd บนแพ็คเกจ 144-LQFP (9xVdd + 1xVdda + 1xVddusb + 1xVddsdmmc) แต่มีเพียง 10 Vss pin กันอย่างรวดเร็ว: ฉันพิจารณาคร่าว ๆ ของ dsPIC33F ของ Microchip สำหรับโครงการนี้และฉันสังเกตเห็นความไม่สมดุลที่คล้ายกัน (7 Vdd pins และ 6 Vss pin) ฉันได้อ่านเอกสารการออกแบบฮาร์ดแวร์เบื้องต้นแล้วและความสำคัญของการแยกแคปที่วางไว้ใกล้กับอุปกรณ์สำหรับคู่ Vdd / Vss แต่ละคู่นั้นให้ความสำคัญกับการออกแบบความเร็วสูงเสมอ ฉันสงสัยว่าฉันควรทำอย่างไรกับพิน …

11 microcontroller  decoupling-capacitor  high-speed  decoupling 

ฉันสงสัยว่าถ้าใครบางคนอธิบายได้ว่าทำไมตัวเก็บประจุที่ใหญ่กว่า (1210) ควรจะมี ESL และ ESR มากกว่าตัวเล็กกว่า - พูดว่าแพ็คเกจ 0603? ฉันคิดว่าแพ็คเกจที่ใหญ่กว่านั้นยังคงเทียบเท่ากับ 0603 ซึ่งเทียบเท่ากับเซรามิกหลายชั้น สมมติว่าเรากำลังเปรียบเทียบ 0.1-1uF 0603 กับ ~ 10uF 1210 แพ็คเกจ 10uF จะมีประสิทธิภาพมากกว่าสำหรับการแยกตัวหรือไม่ ทำไมแพ็คเกจเล็ก ๆ แนะนำให้ decoupling เมื่อแพ็คเกจที่ใหญ่กว่า "ดู" ดีกว่าในใจ ขอบคุณมาก!

11 capacitor  packages  decoupling  esr 

ขณะนี้ฉันกำลังออกแบบ GPS พื้นฐานซึ่งจะมี radiomodem (ออกอากาศที่ 407-480MHz), ไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM7 ทำงานที่ 60MHz และชิป FTDI USB ชิป FTDI USB ยังทำงานที่ 480MHz ภายในซึ่งอยู่ในเขตการทำงานของวิทยุ เนื่องจากเสียงประสานทั้งหมดและความถี่สูงเหล่านี้จาก PLL (ซึ่งในที่สุดจะไหลออกมาจากหมุดพลังงานของอุปกรณ์) ฉันจึงระมัดระวังเป็นพิเศษในการออกแบบ PCB นี้ เราได้มีการพูดคุยกันในหมู่เพื่อนร่วมงานว่าการปฏิบัติที่ดีที่สุดสำหรับการออกแบบที่พิสูจน์ด้วย EMI โดยเฉพาะการทำให้ไมโครคอนโทรลเลอร์ 'เงียบ' เป็นสิ่งสำคัญ ขณะนี้วิธีการของตัวเองอยู่บนพื้นฐานของคำถามนี้ซึ่งเป็นเรื่องเกี่ยวกับ decoupling จากคำแนะนำฉันได้เปลี่ยนการออกแบบ PCB ของฉันให้มีระนาบกราวด์ท้องถิ่นภายใต้ไมโครคอนโทรลเลอร์ซึ่งแยกจากระนาบกราวด์ระดับโลก ฉันเชื่อมต่อเครื่องบินในท้องที่นี้กับเครื่องบินทั่วโลกโดยใช้ 4 ผ่านใต้ชิป แบบฝึกหัดนี้ใช้สำหรับบริดจ์ FTDI USB UART ตัวพิมพ์ใหญ่ทั้งหมดถูกกำหนดเส้นทางให้ใกล้เคียงที่สุดและปรับทิศทางในลักษณะที่ขา VCC และ GND มีการเชื่อมต่อสั้น ๆ ฉันป้อนพลังงานด้วยผ่านจากชั้นอุปทาน GND …

11 pcb  design  emc  decoupling  grounding 

ฉันคิดเสมอว่าถ้า IC ถูกต่อสายดินกับระนาบกราวน์แล้วเชื่อมต่อตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณกับ VDD ที่ด้านหนึ่งและตรงไปที่ระนาบกราวด์ในอีกด้านหนึ่งเป็นที่ยอมรับได้: อย่างไรก็ตามในขณะที่ฉันเข้าใจคู่มือที่สะกดไม่ดีนี้จากความลึกของอินเทอร์เน็ตบอกฉันว่าฉันผิดตลอดและวิธีที่ถูกต้องคือการติดตามจาก IC ground pin ไปยังตัวเก็บประจุและจากนั้นเชื่อมต่อกับระนาบพื้น: ฉันเชื่อว่าฉันใช้ d) ซึ่งผิดอย่างใด ใครบ้างที่มีประสบการณ์มากขึ้นสามารถทำให้กระจ่างในหัวข้อนี้ซึ่งหนึ่งในวิธีเหล่านี้เป็นวิธีที่ต้องการ? ขอบคุณ.

10 capacitor  ground  decoupling 

คุณช่วยอธิบายได้หรือไม่ว่าทำไมและที่ฉันควรใส่ตัวเก็บประจุแบบ AC-coupling (โดยปกติประมาณ 0.1uF) บนอินเตอร์เฟสแบบอนุกรมความเร็วสูง (1 ... 5 GHz) (เช่น SerDes สำหรับโมดูล Gigabit Ethernet SFP) จากสิ่งที่ฉันได้อ่านตัวพิมพ์ใหญ่ควรอยู่ใกล้กับพินตัวรับมากที่สุด ยินดีอ้างอิงใด ๆ ที่ถูกกฎหมาย [CHIP1 RX+]--||-------------[CHIP2 TX+] [CHIP1 RX-]--||-------------[CHIP2 TX-] 0.1uF [CHIP1 TX+]-------------||--[CHIP2 RX+] [CHIP1 TX-]-------------||--[CHIP2 RX-] 0.1uF ขอบคุณล่วงหน้า UPDATE: ได้รับคำตอบจากผู้ผลิต IC และแนะนำให้ใส่ฝาปิดใกล้กับตัวส่ง ดังนั้นดูเหมือนว่าสถานที่จริงขึ้นอยู่กับการทำงานของ IC เฉพาะ เมื่อไม่นานมานี้มีคำแนะนำที่ตรงข้ามอย่างสมบูรณ์จากผู้ผลิตรายอื่น

9 serial  decoupling-capacitor  decoupling