คำถามติดแท็ก transistors

ฉันต้องการควบคุมลำโพงไซเรน (มีไดรเวอร์ในตัว) พร้อม Arduino ไซเรนต้องการ 12V และกินไฟประมาณ 480mA ขาออก Arduino เป็น 5V และสามารถแหล่ง 40mA สูงสุด ฉันต้องการใช้ทรานซิสเตอร์เพื่อเปิดและปิดไซเรน นี่เป็นแอปพลิเคชั่น OK สำหรับทรานซิสเตอร์หรือไม่ ฉันไม่ต้องการใช้รีเลย์หรือ SSR เพราะฉันไม่มีอะไรในมือ ฉันคำนวณความต้านทานโหลด (ไซเรน) ของฉันเป็น 25 โอห์มโดยใช้กฎของโอห์ม R = E / I (ฉันใช้แอมป์โวลต์และโอห์มเป็นหน่วย) 12 โวลต์0.48 A= 25 Ω12V0.48A=25Ω\frac{12V}{0.48A} = 25 \Omega ฉันพบการคำนวณต่าง ๆ เพื่อกำหนดประเภทของทรานซิสเตอร์ที่ฉันต้องการและฉันไม่แน่ใจว่าเป็นทรานซิสเตอร์ที่ดีที่สุด หนึ่งในนั้นคือ: ชั่วโมงFE( m ฉันn ฉันเมตรยูม. )= …

24 transistors 

ฉันมีสวิทช์ NPN ง่ายดูแผนภาพ ฉันป้อน 100KHz square wave (TTL) ไปที่ฐานของทรานซิสเตอร์นี้และจะเปิดเร็วมาก (ไม่กี่ nSec) แต่มันไม่ปิดเร็วเท่าไหร่มันใช้ 2uSec เพื่อปิด (ฉันกำลังดูนักสะสมของวงจรนี้) ไดโอดเป็นเลเซอร์ทรานซิสเตอร์จะถูกเรียกใช้จาก mill NPN ( แผ่นข้อมูล ) ฉันยังลองใช้ NPN อีกอันจาก ONSemi ซึ่งเป็นเรื่องเดียวกันเร็วกว่า ทำไมทรานซิสเตอร์ไม่ปิดอย่างรวดเร็ว ฉันจะปิดในไม่กี่ nSec ได้อย่างไร มันจะดีกว่าถ้าใช้ MOSFET มากกว่า NPN ในกรณีนี้? ** อัพเดท ** ฉันได้เพิ่ม 1K แทนแผ่นตัวเก็บประจุ NA และใช้ BJT ที่เร็วขึ้นสิ่งต่าง ๆ ดีขึ้นเล็กน้อย (ที่จริงแล้วฉันพบว่า BJT นั้นมีความเร็วใกล้เคียงกัน …

24 transistors  switches 

ใครบางคนสามารถอธิบายได้ - เป็นภาษาอังกฤษธรรมดา - ทรานซิสเตอร์คืออะไรและทำงานอย่างไร ฉันรู้ว่าคอมพิวเตอร์เต็มไปด้วยสิ่งเหล่านี้ แต่ไม่ค่อยรู้อะไรเกี่ยวกับพวกเขา PS ฉันรู้เกี่ยวกับเว็บไซต์นี้จากอีกไซต์หนึ่งในตระกูล StackExchange (ฉันไม่มีพื้นฐานด้านวิศวกรรม) และหวังว่าจะมีคนช่วยฉันด้วยสิ่งนี้ กรุณาอย่าเชื่อมโยงกับคำอธิบายของวิกิ ฉันอ่านมันมาแล้วและฉันก็สับสนมากขึ้น ฉันกำลังมองหาคำอธิบายอายุ 7 ปี ขอขอบคุณ!

24 transistors  computers 

เนื่องจากการสื่อสารแบบซีเรียลแบบอะซิงโครนัสแพร่กระจายอย่างกว้างขวางในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทุกวันนี้ฉันเชื่อว่าพวกเราหลายคนได้พบคำถามเช่นนี้เป็นครั้งคราว พิจารณาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์Dและคอมพิวเตอร์PCที่เชื่อมต่อกับสายอนุกรม (RS-232 หรือคล้ายกัน) และจำเป็นต้องมีการแลกเปลี่ยนข้อมูลอย่างต่อเนื่อง Ie PCกำลังส่งเฟรมคำสั่งแต่ละเฟรมX msและDกำลังตอบกลับด้วยรายงานสถานะ / เฟรม telemetry แต่ละรายการY ms(สามารถส่งรายงานเป็นการตอบสนองต่อคำขอหรือเป็นอิสระ - ไม่สำคัญเลยที่นี่) กรอบการสื่อสารสามารถมีข้อมูลไบนารีใด ๆ โดยพลการ สมมติว่าเฟรมการสื่อสารเป็นแพ็กเก็ตที่มีความยาวคงที่ ปัญหา: เนื่องจากโปรโตคอลมีความต่อเนื่องด้านการรับอาจหลุดการซิงโครไนซ์หรือเพียงแค่ "เข้าร่วม" ที่อยู่ตรงกลางของเฟรมที่ส่งต่อเนื่องดังนั้นมันจะไม่รู้ว่าจุดเริ่มต้นของเฟรม (SOF) นั้นอยู่ที่ไหน ข้อมูลมีความหมายที่แตกต่างกันไปตามตำแหน่งของ SOF ข้อมูลที่ได้รับจะเสียหายและอาจเกิดขึ้นตลอดไป ทางออกที่ต้องการ รูปแบบการลด / ประสานที่เชื่อถือได้ในการตรวจจับ SOF ด้วยเวลาการกู้คืนสั้น ๆ (เช่นไม่ควรใช้เวลามากกว่านั้นพูด 1 เฟรมเพื่อซิงโครไนซ์อีกครั้ง) เทคนิคที่มีอยู่ฉันรู้ (และใช้บางส่วน) ของ: 1) ส่วนหัว / การตรวจสอบ - SOF เป็นค่าไบต์ที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ตรวจสอบผลรวมในตอนท้ายของเฟรม จุดเด่น:เรียบง่าย …

24 serial  communication  protocol  brushless-dc-motor  hall-effect  hdd  scr  flipflop  state-machines  pic  c  uart  gps  arduino  gsm  microcontroller  can  resonance  memory  microprocessor  verilog  modelsim  transistors  relay  voltage-regulator  switch-mode-power-supply  resistance  bluetooth  emc  fcc  microcontroller  atmel  flash  microcontroller  pic  c  stm32  interrupts  freertos  oscilloscope  arduino  esp8266  pcb-assembly  microcontroller  uart  level  arduino  transistors  amplifier  audio  transistors  diodes  spice  ltspice  schmitt-trigger  voltage  digital-logic  microprocessor  clock-speed  overclocking  filter  passive-networks  arduino  mosfet  control  12v  switching  temperature  light  luminous-flux  photometry  circuit-analysis  integrated-circuit  memory  pwm  simulation  behavioral-source  usb  serial  rs232  converter  diy  energia  diodes  7segmentdisplay  keypad  pcb-design  schematics  fuses  fuse-holders  radio  transmitter  power-supply  voltage  multimeter  tools  control  servo  avr  adc  uc3  identification  wire  port  not-gate  dc-motor  microcontroller  c  spi  voltage-regulator  microcontroller  sensor  c  i2c  conversion  microcontroller  low-battery  arduino  resistors  voltage-divider  lipo  pic  microchip  gpio  remappable-pins  peripheral-pin-select  soldering  flux  cleaning  sampling  filter  noise  computers  interference  power-supply  switch-mode-power-supply  efficiency  lm78xx 

ฉันยังใหม่กับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และนี่คือคำถามเกี่ยวกับมือใหม่ที่ฉันอยากจะถาม: ฉันจะรู้ได้อย่างไรว่าขาตัวใดเป็นตัวส่งหรือตัวสะสมในทรานซิสเตอร์ (สำหรับ PNP และ NPN) โดยใช้มัลติมิเตอร์แบบอนาล็อกเท่านั้น?

22 transistors 

BJT ส่วนใหญ่จะใช้ในตัวปล่อยทั่วไปบางครั้งการกำหนดค่าตัวสะสมทั่วไป ฉันไม่ค่อยเห็นฐานสามัญ เมื่อใดที่คุณจะใช้ BJT ในฐานร่วม? ตัวอย่างเช่นพารามิเตอร์ใดที่แตกต่างจากตัวปล่อยทั่วไป?

21 transistors  bjt 

ดูอย่างรอบคอบในแผนภาพของ MOSFET ประเภทนี้: (พบในบันทึกแอปพลิเคชันนี้ ) เราสามารถเห็นว่าอุปกรณ์มีความสมมาตรอย่างแท้จริง อะไรทำให้เกตอ้างอิงถึงแหล่งที่มาไม่ใช่ท่อระบายน้ำ ทำไมประตูเกตออกมาแตกที่ 20V Vgs และไม่ใช่ 20V Vgd (ไม่ใช่คำถามการบ้านเพียงแค่อยากรู้อยากเห็น)

21 transistors  mosfet 

ฉันซื้อของมอสเฟตทรานซิสเตอร์สำหรับชุดเลขหมายและสังเกตเห็นรายการที่ระบุว่ามอสเฟตเหมาะสำหรับลอจิก 5v แต่แผ่นข้อมูลบอกว่าเกตเกตมีค่า 1-2 โวลต์ mosfets รั้ว 4v ซึ่งใกล้เคียงกับ 5v โดยผู้ขายรายเดียวกันไม่ได้โฆษณาตามความเหมาะสม ฉันเข้าใจว่าการใช้แรงดันไฟฟ้า Vgs กับประตูจะเปิดมอสเฟต แต่มันจะทำงานอย่างไรกับแรงดันไฟฟ้าที่แตกต่างกัน ตัวอย่างเช่นถ้า mosfet มีช่วง Vgs 2-3 และฉันใช้ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่ 0-1,2-3,3-7 กับมันฉันคิดว่ามันจะเป็นแบบนี้ (แก้ไขฉันถ้าฉันผิด): 0-1v - ปิด 2-3v - เปิดพร้อมนำไฟฟ้าแบบสัดส่วน (พร้อม 3v มีค่าสูงสุด) 3-7v - ความร้อน / เผาไหม้?

20 voltage  transistors  mosfet 

การออกแบบวงจรจำนวนมากที่ฉันเห็นด้วยทรานซิสเตอร์ใช้ทรานซิสเตอร์สองตัวถูกล่ามโซ่ไว้ด้วยกันแทนที่จะใช้เพียงทรานซิสเตอร์เดียว กรณีในจุด: วงจรนี้ออกแบบมาเพื่อให้อุปกรณ์ที่มี 3.3V UART สามารถสื่อสารกับไมโครคอนโทรลเลอร์ 5V ฉันเข้าใจว่าเมื่อปิด Q2, TX_TTL จะสูงและเมื่อเปิด Q2, TX_TTL จะต่ำ คำถามของฉันคือทำไมไม่เรียกใช้ UART_TXD โดยตรงกับฐานของ Q2 แทนที่จะใช้ Q1 เพื่อควบคุมแรงดันไฟฟ้าฐานของ Q2

20 transistors  uart  npn 

พิจารณาภาพร่าง CircuitLab อย่างง่าย ๆ ของวงจร (แหล่งกระแส): ฉันไม่แน่ใจว่าจะคำนวณการกระจายพลังงานของทรานซิสเตอร์ได้อย่างไร ฉันเรียนวิชาอิเล็กทรอนิกส์และมีสมการต่อไปนี้ในบันทึกย่อของฉัน (ไม่แน่ใจว่าช่วยได้หรือไม่): P=PCE+PBE+Pbase−resistorP=PCE+PBE+Pbase−resistorP = P_{CE} + P_{BE} + P_{base-resistor} ดังนั้นการกระจายอำนาจคือการกระจายอำนาจทั่วสะสมและอีซีแอล, กระจายอำนาจข้ามฐานและอีซีแอลและเป็นปัจจัยลึกลับPbase−resistorPbase−resistorP_{base-resistor} R โปรดทราบว่าβของทรานซิสเตอร์ในตัวอย่างนี้ตั้งไว้ที่ 50 ฉันสับสนค่อนข้างโดยรวมและอีกหลาย คำถาม ที่นี่ในทรานซิสเตอร์ได้รับประโยชน์มาก

20 transistors  bjt 

รูปแบบ (แน่นอนง่าย ๆ ) ของทรานซิสเตอร์สองขั้วหนึ่งสอนในหลักสูตรฟิสิกส์พื้นฐานที่ดูเหมือนจะสมมาตร - ดังนั้นอะไรคือความแตกต่างระหว่างตัวสะสมและตัวปล่อยของ BJT จริง หากทรานซิสเตอร์มีความสมมาตรก็จะไม่ทำให้ความแตกต่างนี้ ... นอกจากนี้: BJT มีแรงดันไฟฟ้าตกที่ 0.6V เหมือนไดโอดหรือไม่? BJTs เป็นตัวนำไฟฟ้าทั้งสองทิศทางคือ EC และ CE หรือไม่ ขอบคุณมาก.

20 transistors  physics 

ฉันกำลังพยายามสร้างสัญญาณเตือนสายเคเบิลของตัวเอง (สำหรับวิทยาศาสตร์!) และฉันมีปัญหาในการหาวิธีการตรวจสอบว่ามีการตัดสายไฟ วงจรมีการ ไม่มีการใช้พลังงานที่ว่าง (หรืออย่างน้อยที่สุดก็น้อยมากเพื่อไม่ต้องเปลี่ยนแบตเตอรี่ทุกชั่วโมง) ส่งเสียงลำโพงเมื่อตัดสายเฉพาะ ความรู้ด้านอิเล็คทรอนิคส์ของฉันมีน้อยมากฉันรู้ว่าตัวเก็บประจุไดโอดตัวต้านทานและสิ่งพื้นฐานอื่น ๆ คืออะไรและทำอะไร แต่ฉันไม่มีความเข้าใจที่ดีเกี่ยวกับการไหลของกระแสไฟฟ้าในสิ่งอื่นที่ไม่ใช่วงเดียว ฉันดูเหมือนจะจำได้ว่าเมื่อสร้างวงจรที่เป็นแบบนี้ .. (และโอ้ geez ฉันไม่รู้ด้วยซ้ำว่าจะทำไดอะแกรมที่เหมาะสมได้อย่างไรเพื่อให้อภัยฉันด้วย) /----------[battery]-------\ | | |--------[light bulb]------| | | \-----[wire to be cut]-----/ และหลอดไฟจะสว่างขึ้นก็ต่อเมื่อลวดด้านล่างถูกตัดเพราะไฟฟ้ามักใช้เส้นทางที่มีความต้านทานน้อยที่สุด อย่างไรก็ตามนี่จะเป็นวงจรที่ใช้แบตเตอรี่และฉันค่อนข้างแน่ใจว่าไดอะแกรมข้างบนนั้นสั้น ฉันคิดว่ามีตัวต้านทานที่เกี่ยวข้อง แต่ฉันจำไม่ได้ว่ามันไปไหน หากใครสามารถให้พอยน์เตอร์ที่ยอดเยี่ยมกับฉันได้

19 transistors  batteries  sensor  switches 

ฉันควบคุมพัดลม DC โดย AVR MCU และฉันอยากรู้เกี่ยวกับลักษณะความร้อนของทรานซิสเตอร์2N3904 NPN ที่พัดลมเชื่อมต่ออยู่ เมื่ออ่านแผ่นข้อมูลของทรานซิสเตอร์ฉันพบค่าต่อไปนี้: RθJ−A=200 ∘C/WRθJ−A=200 ∘C/W R_{\theta J-A} = 200\text{ }^{\circ}\text{C/W} RθJ−C=83.3 ∘C/WRθJ−C=83.3 ∘C/W R_{\theta J-C} = 83.3\text{ }^{\circ}\text{C/W} ฉันคาดหวังความต้านทานความร้อนระหว่างสภาพแวดล้อมและกรณีเป็น: Rθ C- ก= Rθ J- ก- อาθ J- C= 116.7 ∘C / WRθค-A=RθJ-A-RθJ-ค=116.7 ∘C / W R_{\theta C-A} = R_{\theta J-A} - R_{\theta J-C} …

18 transistors  thermal  power-dissipation 

ดูวงจรนี้จากไมโครอิเล็กทรอนิกส์ Sedra & Smith รุ่นที่ 6 หน้า 287: มันบอกว่าความต้านทานระหว่างเกตและแหล่งที่มามองเข้าไปที่แหล่งที่มาคือ 1 / gm แต่ความต้านทานระหว่างเกตและแหล่งที่มองเข้าไปที่เกทนั้นไม่มีที่สิ้นสุด ทำไม? “ การมองหา” หมายถึงอะไรและอะไรที่ทำให้แตกต่าง? ตามความเข้าใจของฉันไม่ว่าคุณจะมองเข้าไปในแหล่งที่มาหรือเข้าไปที่ประตูความต้านทานระหว่าง G และ S คือ 1 / gm หากคุณใส่แรงดันไฟฟ้าระหว่าง G และ S และวัดกระแสตามกฎของโอห์มคุณจะพบว่า R คือ 1 / gm ต้องมีบางอย่างที่ฉันไม่เข้าใจ แก้ไข: นี่คืออีกสิ่งที่เกี่ยวข้องฉันไม่เข้าใจ ดูวงจรนี้: มันบอกว่ารินคือ vi / -i ฉันสามารถดูว่าการแสดงออกนี้มาจากไหน แต่ฉันไม่ทราบคำจำกัดความที่เป็นทางการของริน ทำไมถึงมี - หน้าฉัน

17 transistors  mosfet  resistance 

ฉันต้องการสลับแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 50V กระแสไฟที่ไหลออกสูงสุดจะเป็น 5A ความถี่คือ 50Hz ความเร็วในการสับเปลี่ยนไม่สำคัญสามารถช้าได้จริงไม่มีปัญหาในแอปพลิเคชันของฉัน ฉันต้องการใช้โซลิดสเตตรีเลย์ในตอนแรกเพื่อจุดประสงค์นี้ แต่ทันทีที่ฉันเริ่มค้นหา SSR ฉันเห็นว่าราคาของพวกเขาสูงเกินไป สำหรับโซลูชันอื่นที่มีราคาถูกกว่าฉันต้องการใช้ทรานซิสเตอร์ MOSFET (อาจเป็นประเภททรานซิสเตอร์ที่แตกต่างกันเช่นกัน) แทนที่จะใช้โซลิดสเตตรีเลย์ คุณช่วยแนะนำวงจรสมมูล MOSFET ของโซลิดสเตตรีเลย์ด้วยสเปคที่ฉันให้ไว้ข้างต้นได้หรือไม่?

17 transistors  relay  mosfet  solid-state-relay