คำถามติดแท็ก decoupling-capacitor

ฉันคิดว่าฉันค่อนข้างโง่เขลาเมื่อพูดถึงรายละเอียดปลีกย่อยของโครงร่าง PCB เมื่อเร็ว ๆ นี้ฉันได้อ่านหนังสือสองเล่มที่พยายามทำให้ดีที่สุดเพื่อนำฉันไปสู่ความตรงและแคบ นี่คือตัวอย่างของบอร์ดของฉันเมื่อไม่นานมานี้และฉันได้ไฮไลต์ฝาครอบตัวแยกสามอัน MCU เป็นแพ็คเกจ LQFP100 และตัวพิมพ์ใหญ่เป็น 100nF ในแพ็คเกจ 0402 จุดอ่อนเชื่อมต่อกับภาคพื้นดินและระนาบพลังงาน ฝาปิดด้านบน (C19) วางไว้ตามแนวทางปฏิบัติที่ดีที่สุด (ตามที่ฉันเข้าใจ) อีกสองคนไม่ได้ ฉันไม่ได้สังเกตเห็นปัญหาใด ๆ แต่แล้วอีกครั้งที่คณะกรรมการไม่เคยออกไปข้างนอกห้องแล็บ ฉันเดาคำถามของฉันคือข้อตกลงนี้ใหญ่แค่ไหน? ตราบใดที่แทร็กยังสั้น หมุด Vref (แรงดันอ้างอิงสำหรับ ADC) มีฝาปิด 100nF อยู่ด้วย Vref + มาจากตัวควบคุม shunt ของ TL431 Vref- ไปที่พื้นดิน พวกเขาจำเป็นต้องได้รับการดูแลเป็นพิเศษเช่นเกราะหรือพื้นดินหรือไม่? แก้ไข ขอบคุณสำหรับคำแนะนำที่ยอดเยี่ยม! แนวทางของฉันคือการพึ่งพาระนาบกราวด์ที่ไม่ต่อเนื่องเสมอ ระนาบกราวด์จะมีอิมพิแดนซ์ต่ำสุดที่เป็นไปได้ แต่วิธีการนี้อาจง่ายเกินไปสำหรับสัญญาณความถี่ที่สูงขึ้น ฉันได้ทำการแทงอย่างรวดเร็วที่การเพิ่มกราวด์และพลังท้องถิ่นภายใต้ MCU (ส่วนคือ NXP LPC1768 …

222 pcb  layout  decoupling-capacitor 

ตัวเก็บประจุแบบแยกตัวคืออะไร (หรือตัวเก็บประจุแบบปรับให้เรียบตามที่อ้างถึงในลิงก์ด้านล่าง)? ฉันจะรู้ได้อย่างไรว่าฉันจำเป็นต้องใช้และจำเป็นต้องใช้ขนาดใดและจะต้องไปที่ไหน คำถามนี้กล่าวถึงชิปจำนวนมากที่ต้องการหนึ่งชิประหว่าง VCC และ GND ฉันจะรู้ได้อย่างไรว่าชิปหนึ่งเป็นหนึ่ง กล่าวจะSN74195N 4 บิตเข้าถึงขนานทะเบียนกะใช้กับ Arduino ต้องหรือไม่ (หากต้องการใช้โครงการปัจจุบันของฉันเป็นตัวอย่าง) ทำไมหรือเพราะเหตุใด ฉันรู้สึกว่าฉันเริ่มเข้าใจพื้นฐานของตัวต้านทานและบางแห่งที่พวกเขาใช้ค่าที่ควรใช้ในสถานที่ดังกล่าว ฯลฯ และฉันต้องการเข้าใจตัวเก็บประจุในระดับพื้นฐานเช่นกัน

190 capacitor  decoupling-capacitor 

ฉันทำการซ่อมเมนบอร์ดส่วนประกอบแท็บเล็ตในระดับส่วนประกอบและฉันได้เห็นสถานการณ์ที่ทำให้งงงวยบนเมนบอร์ดแท็บเล็ต Samsung ทั้งสองรุ่นจนถึงขณะนี้ (SM-T210, SM-T818A) มีประจุชิปเซรามิกบน PCB ที่มีการเชื่อมต่ออย่างชัดเจนกับระนาบพื้นดินที่ปลายทั้งสอง การตรวจสอบความต้านทานยืนยันและมันค่อนข้างชัดเจนเพียงแค่มองไปที่พวกเขา SM-T210 - ดูเหมือนว่าการปรับสภาพสัญญาณบางอย่าง มันอยู่ที่ด้านหลังของ PCB จากช่องเสียบ SD แต่ SD ใช้มากกว่าสองสายสัญญาณดังนั้นฉันจึงไม่ได้ SM-T210 - นี่คือด้านหลังของ PCB จาก USB commutator IC มันอยู่ติดกับช่องเสียบแบตเตอรี่ SM-T818A - นี่คือแหล่งจ่ายไฟ AMOLED ฝาปิดลึกลับนั้นอยู่ที่ขอบของ EMI shield (ถูกเอาออกไปจากภาพถ่าย) และกรอบโล่ต้องรวมถึงการตัดเพื่อล้างหมวก ดังนั้นพวกเขาจึงมีปัญหากับหมวกที่นี่ สถานการณ์เดียวที่ฉันสามารถทำได้คือในระหว่างการจับวิศวกรออกแบบวางหมวกจำนวนมากไว้ใช้ในที่สุด แต่เชื่อมต่อปลายทั้งสองข้างกับพื้นเพื่อให้โมดูล DRC ไม่บ่นเกี่ยวกับหมุดลอย จากนั้นพวกเขาลงเอยด้วยการไม่ใช้พวกเขาทั้งหมด แต่ไม่ได้ลบสิ่งพิเศษออกจากการออกแบบ การออกแบบจะถูกส่งไปยังวิศวกรเลย์เอาต์ที่วางและกำหนดเส้นทางการออกแบบที่ได้รับ ฉันยอมให้ใครบางคนทำบางสิ่งที่ฉลาดและฉลาดเกินกว่าจะเป็นเคน (กรองเสียงเฮิร์ตซ์ - แบนด์จากระนาบกราวน์?) แต่ฉันไม่คิดว่านี่เป็นตัวอย่างของ …

125 capacitor  pcb-design  analog  decoupling-capacitor  decoupling 

ชิปจำนวนมากในปัจจุบันต้องการตัวเก็บประจุที่ราบเรียบระหว่าง VCC และ GND เพื่อการทำงานที่เหมาะสม เนื่องจากโครงการของฉันทำงานที่แรงดันไฟฟ้าและระดับกระแสไฟฟ้าที่แตกต่างกันฉันสงสัยว่าถ้าใครมีกฎง่ายๆสำหรับ a) มีกี่ตัวและข) ตัวเก็บประจุขนาดไหนที่ควรใช้เพื่อให้แน่ใจว่าระลอกคลื่นไฟฟ้าจะไม่ส่งผลกระทบต่อ วงจร?

62 power  capacitor  decoupling-capacitor 

ฉันเคยเห็นวงจรบางส่วนที่ใช้ตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณเช่นเดียวกับตัวเก็บประจุตัวเก็บประจุเช่นนี้ (C4 และ C5): ฉันได้อ่านเกี่ยวกับตัวแยกตัวเก็บประจุแยกและสำหรับฉันดูเหมือนว่าพวกเขาตั้งใจที่จะลบความผันผวนเล็กน้อยในแรงดันไฟฟ้า ถ้าอย่างนั้นฉันก็คิดว่านั่นไม่ใช่จุดประสงค์ของตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำด้วยเหรอ? ทำไมตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำจะไม่สามารถกรองความผันผวนเล็ก ๆ น้อย ๆ ได้ถ้ามันสามารถกรองความผันผวนขนาดใหญ่ออกมาได้? ดังนั้นฉันรู้สึกเหมือนฉันมีความเข้าใจผิดขั้นพื้นฐานที่นี่ อะไรคือวัตถุประสงค์ของตัวเก็บประจุแยกที่อยู่ถัดจากตัวเก็บประจุอ่างเก็บน้ำเมื่อเราสมมติว่าเราวางทั้งสองใกล้กับส่วนที่ใช้พลังงานเท่า ๆ กัน? หรือเป็นข้อได้เปรียบเพียงอย่างเดียวของตัวเก็บประจุแยกที่มีขนาดเล็กและสามารถวางไว้ใกล้กับส่วนที่กินไฟได้ง่าย?

58 capacitor  decoupling-capacitor  decoupling 

ฉันกำลังออกแบบวงจรแหล่งจ่ายไฟสำหรับระบบที่ต้องการอุปกรณ์สิ้นเปลืองคำถามของฉันคือ เป็นไปได้หรือไม่ที่จะเปลี่ยนแคปอิเล็กโทรไลต์ทั้งหมด (ส่วนใหญ่เป็น 100 ยูเอฟ) ด้วยเซรามิก? เซรามิกมีข้อ จำกัด อะไรบ้าง? ฉันควรใช้พิกัดแรงดันไฟฟ้า 2x สำหรับเซรามิกส์ที่ทำด้วยอิเล็กโทรไลต์หรือไม่ ระลอกปัจจุบันให้คะแนนอะไร? มันเป็นปัจจัยสำคัญหรือไม่ในการเลือกเซรามิกเหมือนอิเล็กโทรไลติค? เพิ่ม 1/9/2014:ข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับข้อ จำกัด ของเซรามิก ฉันพบวิดีโอที่ยอดเยี่ยมนี้ส่งโดย Dave ที่ EEVBlog แสดงข้อ จำกัด ของฝาครอบเซรามิกประเภทต่าง ๆ และวิธีที่พวกเขาได้รับผลกระทบจากแรงดันไฟฟ้าที่ใช้และแรงดันไบอัส น่าดู!

57 power-supply  power  capacitor  decoupling-capacitor 

ชื่ออาจจะดีพอ แต่ฉันสงสัยอยู่เสมอว่าทำไมการแยกแคปชั่นไม่ได้สร้างไว้ในชิปหรืออย่างน้อยบรรจุภัณฑ์ IC?

48 decoupling-capacitor  decoupling 

ขณะนี้ฉันเรียกใช้แกดเจ็ตทั้งหมดจากแบตเตอรี่และไม่ใช้ตัวเก็บประจุแยก โดยทั่วไปแล้วพวกเขาต้องการ / มีประโยชน์เมื่อดึงพลังงานจากแบตเตอรี่หรือไม่?

37 batteries  decoupling-capacitor 

ฉันค้นหาเอกสารเทคโนโลยีเกี่ยวกับการจัดวางตัวเก็บประจุแยกและแนวคิดหลักที่แสดงในภาพต่อไปนี้: ฉันคิดว่ามันสมเหตุสมผล แต่ฉันต้องใส่ตัวเก็บประจุแยกและ MCU ในชั้นเดียวกันหรือไม่ ฉันไม่สะดวกที่จะวางอุปกรณ์อื่น ดังนั้นฉันเลือกที่จะวางตัวเก็บประจุแยกในชั้นล่าง PCB ของฉันเป็นหนึ่งในสี่ชั้น (signal-power-gnd-signal) หนึ่งและเมื่อฉันแยกพลังงานและชั้น gnd จุดแวะทั้งสองปิดไปที่หมุดของ MCU ในภาพด้านบนจะไม่รวมอยู่ในสุทธิของพลังงานและชั้น gnd มันมีประสิทธิภาพที่ดีเหมือนกับกรณี f ในภาพหรือไม่? ฉันจำเป็นต้องมีการเหนี่ยวนำของจุดอ่อนในกรณีนี้หรือไม่?

25 microcontroller  decoupling-capacitor 

ฉันอ่านเกี่ยวกับตัวเก็บประจุแยกตัวและฉันไม่สามารถเข้าใจได้ว่าทำไม ST จึงแนะนำตัวเก็บประจุแยกส่วน 100 nF ในไมโครคอนโทรลเลอร์ ARM 72 MHz โดยทั่วไปแล้วตัวเก็บประจุแยกความถี่ 100 nF จะมีประสิทธิภาพสูงถึงประมาณ 20-40 MHz เนื่องจากการสั่นพ้อง ฉันคิดว่าแคป decoupling 10 nF มีความเหมาะสมมากกว่าเนื่องจากเสียงเรโซแนนซ์ใกล้กับ 100 MHz (เห็นได้ชัดว่ามันขึ้นอยู่กับแพ็คเกจและการเหนี่ยวนำ แต่สิ่งเหล่านี้เป็นเพียงค่า ballpark จากสิ่งที่ฉันเห็น) จากแผ่นข้อมูล STM32F103 นั้น ST แนะนำตัวเก็บประจุ 100 nF สำหรับ V DDและ 10 nF สำหรับ VDDA ทำไมถึงเป็นอย่างนั้น? ฉันคิดว่าฉันควรใช้ 10 nF บน V DDด้วย

18 stm32  impedance  decoupling-capacitor 

ฉันพบการสนทนาจำนวนมากเกี่ยวกับตัวเก็บประจุบายพาสและวัตถุประสงค์ของพวกเขา โดยปกติแล้วพวกเขามาเป็นคู่ 0.1uF และ 10uF ทำไมต้องเป็นคู่ ใครบ้างมีการอ้างอิงที่ดีกับกระดาษหรือบทความหรือสามารถให้คำอธิบายที่ดี? ฉันหวังว่าจะได้รับทฤษฎีเล็กน้อยว่าทำไมทั้งสองและวัตถุประสงค์ของแต่ละ

16 decoupling-capacitor 

ดังนั้นฉันจึงพบวงจรมอเตอร์ซึ่งมีลักษณะดังนี้: เนื่องจากผู้ใช้หลายคนเชื่อว่าแผนการวาดด้วยมือของฉันเป็นภาพของสัตว์ประหลาดปาเก็ตตี้ที่บินได้ฉันจะให้คำอธิบายเป็นลายลักษณ์อักษร: มีสองสายอินพุตที่มีเครื่องหมาย + และ - ไปที่มอเตอร์ มีตัวเก็บประจุเชื่อมต่อขนานกับมอเตอร์ มีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวเชื่อมต่อกับด้านบวกของมอเตอร์และตัวโลหะของมอเตอร์และมีตัวเก็บประจุหนึ่งตัวเชื่อมต่อกับด้านลบของมอเตอร์และตัวโลหะของมอเตอร์ ตัวเก็บประจุมีลักษณะเช่นตัวเก็บประจุเซรามิกหลายและมีความจุของF มอเตอร์เป็นKysan อิเล็กทรอนิกส์ FK-180SH-3240มอเตอร์ DC เป็นที่น่าสังเกตว่ามอเตอร์มีแรงดันไฟฟ้าเล็กน้อยที่ 3 V แต่ใช้พลังงานจากแบตเตอรี่ LiPo 2 เซลล์และควบคุมด้วยวงจรไมโครคอนโทรลเลอร์0.1 μF0.1 μF0.1 \mbox{ } \mu F ดังนั้นคำถามของฉันคือ: ทำไมต้องใช้ตัวเก็บประจุ 3 ตัวโดยที่ทั้งสองเชื่อมต่อกับตัวมอเตอร์? ดูเหมือนว่ามีเหตุผลที่จะมีตัวเก็บประจุบนขั้วมอเตอร์เพื่อป้องกันการรบกวนจากไมโครคอนโทรลเลอร์ แต่ฉันไม่เห็นว่าการมีตัวเก็บประจุบัดกรีกับตัวมอเตอร์จะช่วยได้อย่างไร

16 capacitor  motor  decoupling-capacitor 

(คำถามนี้เกิดขึ้นกับฉันเนื่องจากคำถามอื่นที่นี่) ฉันมักจะพิถีพิถันเกี่ยวกับการใช้ตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณที่อยู่ใกล้กับพินพลังงานทั้งหมดใน ICs ขนาดใหญ่และขนาดเล็กแบบอะนาล็อกหรือดิจิตอล ฉันยังใช้พลังงานและระนาบกราวด์ในการออกแบบ PCB เมื่อเป็นไปได้ โดยทั่วไปแล้วฉันพยายามใช้ "แนวปฏิบัติที่ดี" เพื่อรับการออกแบบที่แข็งแกร่งและเชื่อถือได้ และเท่าที่ฉันจะบอกได้ว่าฉันประสบความสำเร็จ คำถามคือสิ่งที่เป็นตัวชี้วัดของการแยกตัวไม่เพียงพอ สมมติว่าฉันตัดสินใจที่จะไม่รวมหมวกบายพาสที่หมุดพลังงานของไมโครคอนโทรลเลอร์หรือตัวรับส่งสัญญาณ CAN หรืออย่างอื่น มีตัวบ่งชี้ที่ชัดเจนบางอย่างเช่นไมโครคอนโทรลเลอร์รีเซ็ตโดยธรรมชาติ แต่จะต้องมีปัญหาที่ลึกซึ้งยิ่งขึ้นซึ่งฉันอาจไม่เห็นแม้แต่อย่างเดียว

16 pcb-design  decoupling-capacitor 

คำถามง่ายๆ: อะไรคือสิ่งที่อยู่เบื้องหลังความต้องการในการวางตัวเก็บประจุให้ใกล้กับพินของอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่ในปัจจุบัน นั่นคือการเหนี่ยวนำความต้านทานหรือความต้านทานของแทร็ก PCB หรือลวดที่มีผลต่อประจุไฟฟ้า

15 capacitance  decoupling-capacitor  decoupling 

ฉันใช้ตัวเก็บประจุ 0.01 uF decoupling ในแพคเกจ 0805 , ในแต่ละ V ซีซี / GND คู่ของฉันCPLDs ดังนั้นประมาณแปดตัวเก็บประจุทั้งหมด) ฉันคิดว่ามันง่ายขึ้นเล็กน้อยไปยังเส้นทางที่คณะกรรมการถ้าตัวเก็บประจุ decoupling ถูกวางไว้บนชั้นล่างและเชื่อมต่อกับวีซีซีและหมุด GND ของ CPLD / การใช้ MCU แวะ นี่เป็นวิธีปฏิบัติที่ดีหรือไม่? ฉันเข้าใจจุดมุ่งหมายคือการลดการวนรอบปัจจุบันระหว่างชิปและตัวเก็บประจุ ชั้นล่างของฉันยังทำหน้าที่เป็นระนาบกราวด์ (มันเป็นบอร์ดสองชั้นดังนั้นฉันไม่มีเครื่องบินซีซี V ) และดังนั้นฉันจึงไม่จำเป็นต้องเชื่อมต่อพินกราวด์ของตัวเก็บประจุโดยใช้จุดแวะ เห็นได้ชัดว่าพิน GND ของชิปนั้นเชื่อมต่อโดยใช้ผ่าน นี่คือภาพที่แสดงสิ่งที่ดีกว่านี้: เส้นหนาที่เข้าหาตัวเก็บประจุคือ V cc (3.3 V) และเชื่อมต่อกับรอยหนาอื่นที่มาจากแหล่งพลังงานโดยตรง ฉันให้ V ซีซีกับตัวเก็บประจุทั้งหมดด้วยวิธีนี้ เป็นการดีหรือไม่ที่จะเชื่อมต่อตัวเก็บประจุตัวแยกสัญญาณทั้งหมดด้วยวิธีดังกล่าวหรือฉันจะประสบปัญหาตามท้องถนน? อีกทางเลือกหนึ่งที่ฉันเคยเห็นการใช้คือมีร่องรอยเดียวสำหรับ V ccและอีกอย่างสำหรับ GND ที่ทำงานจากแหล่งพลังงาน …

15 pcb  ground  decoupling-capacitor